Введення домішки (дифузія)

Технологічні методи формування елементів монолітних НП ІМС

Технологія виготовлення ІМС

Електричні параметри цифрових ІМС на – МОН стуктурах

Електричні параметри цифрових ІМС ТТЛ

U⁰вих - вихідна напруга логічного нуля;

U¹вих -вихідна напруга логічної одиниці;

І⁰вх - вхідний струм логічного нуля;

І¹вх - вхідний струм логічної одиниці;

Рспож – споживаєма потужність;

U макс вх – максимальна напруга на вході;

U мін вх – мінімальна напруга на вході;

U макс вих – максимальна напруга прикладена до виходу закритої схеми;

Напруга живлення ІМС ТТЛ серії Uж = 5 [В]±10%.

U⁰вих пор - порогова вихідна напруга логічного нуля;

U¹вих пор - порогова вихідна напруга логічної одиниці;

U⁰вих - вихідна напруга логічного нуля;

U¹вих - вихідна напруга логічного нуля;

І⁰вх - вхідний струм логічного нуля;

І¹вх - вхідний струм логічної одиниці;

Імакс вих - максимальний вихідний струм;

Іспож – споживаємий струм;

Напруга живлення ІМС МОН серії Uж = 9 [В]±10%.

За конструктивно-технологічними ознаками ІМС поділяють на:

напівпровідникові;

гібридні;

плівкові;

суміщені.

У НП ІМС усі пасивні та активні елементи (резистори, конденсатори, діоди, транзистори та інші.) а також між елементні з’єднання виконані на основі одного кристалу НП матеріалу (кремнію), який називається активною підкладинкою. Розрізняють планарно-дифузійну та планарно-епітаксіальну технології виготовлення монолітних НП ІМС.

У плівкових ІМС усі елементи являють собою плівки, які наносяться на діелектричну пасивну підкладинку.

Розрізняють тонкоплівкові та товстоплівкові ІМС.

У гібридних ІМС пасивні елементи виконані у вигляді плівок, що нанесені на діелектричну підкладинку, НП елементи (діоди, транзистори і т.д.) є навісними, малогабаритними, безкорпусними НП радіокомпонентами.

У суміщених ІМС пасивні елементи виготовляють за плівковою технологією, а діоди та транзистори – за НП технологією.

Виготовлення НП ІМС – це складний технологічний процес, який складається з більше ніж ста операцій, основними з яких є:

підготовка пластини кремнію;

окислення кремнію;

фотолітографія;

ПІДГОТОВКА ПЛАСТИНИ КРЕМНІЮ - включає орієнтацію злитків кремнію за кристалографічними шарами, розрізання їх на пластини, шліфовку, поліровку, травлення та очистку поверхні.

ОКИСЛЕННЯ МОНОКРИСТАЛУ КРЕМНІЮ - проводиться багаторазово, матеріал SiO2 є непроникливим для багатьох легуючих домішок.

ФОТОЛІТОГРАФІЯ:

нанесення на поверхню кремнію тонкого шару (не більше 1 [мкм]) фоторезисту (світлочутливий полімер, нерозчинний в проявнику);

накладання фотошаблону з рисунком потрібної конфігурації;

опромінення фотошаблону світлом;

змивання проявником неопромінених ділянок та травлення під ними шару SiO2;

вилучення фоторезисту зі всієї поверхні кремнію.

Процес дифузії описується рівнянням Фіка

Дата добавления: 2014-01-15