Фоторезистори

Вступ

UЖ VD

Rобм

+

–

Рис. 5. Схема включення світлодіода

Маркування світлодіодів подібне до маркування звичайних діодів: другий елемент – буква Л (рос. – лучевой прибор); третій елемент: цифри 1 або 2 – інфрачервоне випромінювання малої або великої потужності відповідно; цифри 3 або 4 – видиме випромінювання малої або великої потужності відповідно. Крім окремих світлодіодів, виготовляють випромінюючі збірки. Другий елемент маркування збірок світлодіодів – букви ЛС (рос. – лучевой прибор, сборка).

Приклад: АЛ302А.

Параметри інжекційних світлодіодів:

1. Сила світла Іv – cвітловий потік, що приходиться на одиницю кута в заданому напрямку, одиниця вимірювання кандела [ кд ] (0,1÷10 [мкд]).

2. Колір випромінювання або довжина хвилі випромінювання.

3. Постійна пряма напруга U_ПР – спад напруги при заданому струмові (2÷4 [В]).

4. Кут випромінювання α – плоский кут в межах якого сила світла складає не менше половини її максимального значення.

5. Характеристики залежностей: сили світла Іv від струму І; спектральної щільності випромінювання від довжини хвилі Іv(λ) / Іv(λ)макс; постійного прямого струму І_ПР від постійної прямої напруги U_ПР.

4. Лазери – джерела монохроматичного когерентного випромінювання. Залежно від середовища, що використовується для створення лазерної генерації, розрізняють твердотільні, газові та напівпровідникові лазери. Лазер є відносно складним та дорогим оптоелектронним приладом і тому використовується рідко.

Частіше в оптронах в якості джерел оптичного випромінювання – електролюмінісценції використовуються світловипромінюючі діоди (світлодіоди або інжекційні світлодіоди).

Старший викладач кафедри №5

Шестак І.М.

Приймачі світлового випромінювання (фотоприймачі) призначені для перетворення світлового випромінювання в електричні сигнали. За принципом дії приймачі оптичного випромінювання поділяються на теплові та фотонні.

В якості фотоприймачів можуть використовуватися фоторезистори, фотодіоди, фототранзистори, фототиристори і т.д.

При виборі фотовипромінювачів та фотоприймачів необхідно узгоджувати їх спектральні характеристики.

Фотоелектричні явища, на основі яких будуються фотоприймачі поділяються на три основні види:

1) зміна електропровідності речовини при її освітленні – внутрішній

фотоефект;

2) виникнення ЕРС на границі двох матеріалів під дією світла – фотоефект в запірному шарі (використовується в напівпровідникових фотоелементах);

3) випускання речовиною електронів під дією світла – зовнішній фотоефект.

(використовується в вакуумних та газонаповнених фотоелементах)

Явище внутрішнього фотоефекта покладено в основу функціонування:

фоторезистора – радіокомпонент, опір якого змінюється під дією інфрачервоного, видимого та ультрафіолетового випромінювання;

фотодіода – НПД, зворотний струм якого значно зростає при збільшенні освітленості його р-n переходу;

фототранзистора – БТ, струм бази якого, а значить і колектора, суттєво залежить від освітленості колекторно - базового переходу;

фототиристора – тиристора, включення якого керується оптичним випромінюванням;

Фоторезистори – це такі напівпровідникові резистори, опір яких залежить від

освітлення.

В основі принципу дії фоторезисторів лежить фоторезистивний ефект (ефект фотопровідності), суть якого полягає в наступному:

Якщо матеріал фоторезистора не освітлений, то частота народження вільних носіїв зарядів в ньому мала, а опір відповідно великий. При опроміненні цього матеріалу світлом з енергією квантів Wкв, що перевищує величину енергії забороненої зони Wзз відбувається вивільнення носіїв заряду (пар електрон - дірка), що в свою чергу підвищує електропровідність напівпровідника.

Ефект фотопровідності базується на квантовій природі світла.

В залежності від спектральної чутливості фоторезистори поділяють на

фоторезистори видимого та інфрачервоного діапазонів.

Умовне графічне зображення фоторезистора

Дата добавления: 2014-01-15