КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Многослойная разводка
Одно- и многоуровневая алюминиевая разводка оправдали себя в не слишком мощных и не рассчитанных на жесткие требования в отношении надежности БИС, работающих на частотах до 1 ГГц, В микросхемах повышенной надежности используют коммутационные проводники и контактные площадки, состоящие из нескольких слоев различных материалов (рис. 18).
Рис. 18. Конструкция контактного узла с использованием многослойной разводки: 1 - термический окисел; 2 - контактный слой; 3 - адгезионный слой; 4 - буферный слой; 5 - проводящий слой; 6 - слой защитного диэлектрика Контактным слоем в многослойных системах металлизации называют первый по порядку нанесения на полупроводниковую структуру слой, обеспечивающий омический контакт к кремнию любого типа проводимости в широком диапазоне легирующих кремний примесей п- или р-типа (1017...1021см-3). Контактный слой должен обеспечивать прочный контакт с кремнием и с материалами вышележащих слоев. Материал контактного слоя должен иметь малую растворимость и малую диффузионную подвижность в кремнии, низкое переходное сопротивление в контакте с кремнием, способность к восстановлению SiCb (как и алюминий) и хорошую адгезию к SiO2 В качестве материала контактного слоя используют молибден, хром, никель, титан, платину, палладий, иридий и др. В современных БИС и СБИС с диодами Шотки материал контактного слоя должен образовывать с кремнием барьер Шотки в диапазоне концентраций легирующих примесей (1013...1018 см-3) с необходимой высотой потенциального барьера и близкой к идеальной вольтамперной характеристикой. Такими материалами являются никель, вольфрам, молибден, силицид платины (PtSi). Адгезионный слой предназначен для обеспечения высокой прочности сцепления многослойной разводки с пленкой Si02 (рис. 18) и с контактным слоем. При использовании в качестве контактных слоев платины, палладия, иридия наличие адгезионных слоев обязательно. Материалами адгезионных слоев могут быть титан, молибден, хром и другие переходные металлы. Естественно, когда эти материалы используются в качестве контактных слоев, они же одновременно выполняют функции адгезионного слоя.
Проводящий слой, наносимый поверх контактного и адгезионного, должен выполнять основные функции разводки, иметь низкое удельное сопротивление, обеспечивать надежное контактирование с внешними выводами микросхемы. В качестве материалов проводящего слоя в производстве микросхем используют золото и алюминий. Однако сочетания слоев из Мо, Сг, Ni, Ti с Au и А1 нестабильны при повышенных температурах из-за образования плохо проводящих электрический ток интерметаллических соединений на границе раздела пленок этих металлов, а также не обеспечивают зашиты кремния от проникновения в него золота диффузионным, путем, Поэтому в многослойных системах разводки предусматривают буферный слой (рис. 18). Буферный слой предотвращает образование интерметаллических соединений между верхним и нижним слоями, например между хромом и золотом, титаном и золотом, препятствует диффузии металла одного слоя в другой, приводящей к ухудшению механической прочности и изменению сопротивления контакта. В качестве буферного слоя применяют молибден, никель, платину, палладий. Слой защитного диэлектрика является последним из наносимых на интегральную микросхему, в том числе на металлизацию, слоев (рис. 18). Он обеспечивает защиту микросхемы от внешних воздействий в межоперационный период в процессе присоединения выводов и размещения в корпус. Поверхностный проводящий слой благородного металла, например золота, сам
выполняет защитные функции. Наилучшими эксплуатационными свойствами обладают трехслойные системы металлизации: титан — платина —- золото, титан— молибден — золото, силицид платины (PtSi)—платина — золото и четырехслойные: хром —титан —платина — золото. Последняя система металлизации обеспечивает хороший воспроизводимый омический контакт к кремнию и рассчитана на сравнительно большие плотности тока. Слой титана имеет хорошую адгезию к хрому и платине и служит для их прочного сцепления. Слой платины применяется для улучшения адгезии пленки золота к титану, а также в качестве барьера против эрозии золотого покрытия. Золото имеет высокую электропроводность и обеспечивает наилучшие возможности для качественного подсоединения внешних выводов с помощью золотых проволочек. В современных высоконадежных БИС и СБИС система металлизации является многоуровневой и многослойной. Такая система металлизации, представленная на рис. 19, состоит из слоев Мо—Аu—V—Аu. Молибден служит контактным слоем к кремнию, адгезионным слоем к Si02 и барьерным слоем между золотом и кремнием. Лежащая поверх молибдена пленка золота является проводящим слоем нижнего уровня металлизации, пленка ванадия — адгезионным слоем к пленке золота и к межуровневому изолирующему диэлектрику Si02 и, наконец, пленка золота — проводящим слоем верхнего уровня разводки и одновременно защитным слоем.
Рис. 19. Конструкция контактного узла с многоуровневой многослойной разводкой: 1 — пленка термически выращенного окисла кремния; 2—слой молибдена; 3—слой золота; 4 — слой ванадия; 5— золотой пленочный проводник второго уровня; 6—сплошная пленка осажденного окисла кремния или стекла При конструировании многослойной многоуровневой разводки особое внимание уделяют правильному выбору материалов контактирующих друг с другом слоев (для исключения образования гальванических элементов, интерметаллических соединений и пр.), а также выбору соотношения толщин слоев разводки, методов и режимов их нанесения с целью получения разводки с высоким уровнем электропроводности, малыми внутренними напряжениями и согласованными коэффициентами термического расширения. Типичные значения толщин таковы: контактный и адгезионный слой 0,03...0,25 мкм, проводящий буферный слой 0,15...0,20 мкм, проводящий слой 0,5...1,0 мкм.
Дата добавления: 2014-01-15; Просмотров: 849; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |