Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Двонаправлений ключ




Інвертор КМОН з трьома станами.

Його схема є різновидом звичайних інверторів з допоміжними ключами (VT1 та VT4), які керуються сигналом Z.

При відкритих транзисторах VT1 та VT4 інвертор працює подібно раніше розглянутому. Якщо ж ключі закриті, живлення інвертора відключається і його вихід матиме високий опір по відношенню до шин живлення. Такі інвертори виготовляються як самостійні мікросхеми (наприклад, 546ЛН1 – елемент 6HI, аналоги західних фірм-виробників CD4502BD, HCC4502BD, …)) або використовуються у складі мікросхем різного призначення. Враховуючи значну величину вихідного опору, ключ може використовуватись для тривалого зберігання інформації, яка може бути записана в конденсатор, підключений до його виходу.

При використанні мікросхем з трьома станами необхідно враховувати деякі їх особливості роботи в динамічних режимах. Вони проявляються у тому, що в режимі, коли на виході підтримується високий рівень сигналу і одночасно ключ знаходиться у Z -стані, перехід в один з робочих станів (високий або низький рівні виходу) проходить довше, ніж при перемиканні з високого в низький стани безпосередньо. Тому при використанні мікросхем у режимі монтажної логіки можуть мати місце динамічні струми, що протікатимуть через р- транзистор однієї мікросхеми і n- транзистор іншої. Реально такий струм не призводить до виходу мікросхем з ладу (як у ТТЛ), але він приводить до напружених режимів і зростання рівня перешкод.

 

Цей пристрій, який не має аналогів в мікросхемах інших технологій, складається з двох МОН-транзисторів різного типу провідності, які включені зустрічно-паралельно (рис. 2.24).

Керування ними забезпечується взаємоінверсними сигналами V та , що подаються на затвори VT1 та VT2. Напруга живлення подається на виводи підкладок: + Е для р- канального транзистора VT1, - Е – для n- канального VT2. Двостороння провідність у схемі забезпечується завдяки тому, що транзистори зберігають працездатність, якщо витоки та стоки поміняти місцями.

Паралельне з’єднання транзисторів дозволяє зменшити загальний опір каналів, величина кожного з яких у відкритому стані має величину 100 Ом…1 кОм.

Відкритий стан обох транзисторів забезпечується при умові, коли потенціал затвору транзистора VT2 n- типу наближається до + Е, а затвору транзистора VT1 до - E. При цьому напруга, що підводиться до інформаційних входів-виходів x, y, завжди повинна мати позитивний потенціал відносно підкладки n- канального транзистора, тобто відносно шини - Е, і негативний по відношенню до підкладки р- канального (+ Е).

Завдяки зустрічно-паралельному з’єднанню транзисторів VT1 та VT2 інформаційні сигнали на виході ключа не залежать від порогів їх відкривання і можуть змінюватися у межах напруги живлення. Величина опору каналу залежить від величини вхідної напруги, різниці потенціалів між підкладками та величини навантаження і в діапазоні частот роботи транзисторів визначається тільки активною складовою. Ця властивість дає можливість використовувати ключі для комутації як аналогових, так і дискретних сигналів.

Графік залежності опору каналу від величини вхідної напруги для VT1 (крива 1) та VT2 (крива 2) приведені на рис. 2.25.

Крива 3 визначає загальний опір двонаправленого ключа. При негативних вхідних напругах опір ключа визначається відкритим транзистором VT2, при позитивних – відкритим транзистором VT1, а при напругах, близьких до нульового рівня – результуючим значенням частково відкритими двома транзисторами.

У реальних схемах ключів крива 2 зміщується вправо за рахунок керування потенціалом його підкладки. В результаті величина опору каналу відповідає кривій 4, а результуючий опір ключа (крива 5) майже не залежить від величини U ВХ .

Якщо напруги на входах V змінюють своє значення на протилежне, транзистори закриваються, і величина опору між інформаційними входами/виходами x, y перевищує 109 Ом.

На рис. 2.26, а приведена принципова схема реального ключа, виконаного на транзисторах VT3, VT4. Взаємно інверсні сигнали V, на його керуючих входах формуються за допомогою інвертора, виготовленого на VT1, VT2. Така структура ключа використовується в багатьох серіях мікросхем, причому вона організована так, що при V = U 1 ключ відкритий, а при V = U 0 – закритий.

На рис. 2.26, б приводиться один з варіантів графічного зображення двонаправленних ключів на принципових схемах.

 

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-15; Просмотров: 642; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.014 сек.