КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Типичная конфигурация биполярных транзисторов в плане
В начале формируется коллекторная область n типа, затем акцепторной примесью базовая p область, после чего донорная примесь n, образует эмиттерную и подконтактный коллекторный n+ слой. Широкое распространение получила транзисторная структура со скрытым n+ слоем. Скрытый слой нужен, так как вывод коллектора расположен на поверхности. Это ведет к увеличению сопротивления тела коллектора и ухудшает характеристики транзистора, как в усилительном, так и в переключающем режимах. Уменьшение удельного сопротивления коллекторного слоя снижает напряжения пробоя коллекторного p-n перехода и увеличивает емкость этого перехода, что ухудшает частотные свойства. Формирование скрытого n+ слоя обеспечивает создание низкоомного слоя от активной коллекторной области к контакту. Назначение подконтактной n+ области – это создание низкоомного омического контакта к коллектору при вплавлении алюминия, растворимость которого в кремнии составляет 1016 см-3, поэтому при вплавлении алюминия в коллекторный слой с уровнем внедрения примесей (легирования) 1015-1016 см-3 образует p-n переход. При ассиметричной конструкции характерно, что эмиттерный ток протекает к коллектору только в одном направлении. При симметричном расположении коллектора, ток эмиттера протекает к коллектору в 3 направлениях, что снижает сопротивление коллектора в 3 раза. Данная конструкция используется в мощных и высокочастотных транзисторах. Основными параметрами интегрального транзистора являются: - коэффициент усиления β, 100-200 - предельная частота fr, мГц 200-500 - коллекторная емкость Ck, 0,3-0,5 - пробивное напряжение коллекторного перехода vкб, 40-50 В - пробивное напряжение эмиттерного перехода, 7-8 В
Супер β-транзисторы Это транзисторы с высоким коэффициентом усиления β 3000-5000, который получается засчет уменьшения ширины базы до уровня 0,2-0,3 микрон (стандарт 1,5-2,5). Напряжение коллекторного пробоя у них составляет 1,5-2 В из-за эффекта "смыкания" эмиттерного и коллекторного переходов. Это не универсальный, а специализированный элемент, главная область применения – входные каскады операционных усилителей. Интегральные диоды – их функцию в интегральных элементах выполняют транзисторы с определенной коммутацией электродов.
Напряжение пробоя больше у тех вариантов коммутации, в которых используется p-n переход. Но у них выше и больше обратные токи. Меньшее сопротивление пробоя и меньшие токи имеют варианты, в которых используется эмиттерный переход. Емкость максимальна у структуры Э,Б-К, емкость на подложке минимальна у структуры БЭ. По совокупным параметрам оптимальны схемы коммутации Э,Б-К и Э-Б. Для исключения воздействия смежных эмиттеров, которые образуют паразитные горизонтальные n-p-n транзисторы, расстояние между ними выбирают не меньше диффузионной длины носителей в базовом слое (10-15 микрон).
Дата добавления: 2014-01-20; Просмотров: 859; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |