Современные полевые транзисторы

Важнейшее отличие ПТ от БТ

Основные предельно допустимые эксплуатационные параметры полевых транзисторов

1. Максимально допустимо значение тока стока транзистора /_{ct max};

2. Максимально допустимая мощность;

3. Максимально допустимые электродные напряжения U_СИ, U_3И, U_3C;

и максимально допустимое напряжение между подложкой и истоком U_{ПИ max};

4. Частотные свойства ПТ, используемого в качестве усилительного элемента, принято оценивать частотой f_гр на которой коэффициент усиления каскада К_I уменьшается в корень из 2 раз:

5. Температурная зависимость параметров и характеристик ПТ.

Параметры ПТ зависят от температуры. Определяется влиянием температуры на напряжение отсечки (пороговое напряжение) и ток стока. Изменение напряжения отсечки относительно невелико.

При изменении температуры в одну сторону ток стока может как увеличиваться, так и уменьшаться. Температурный коэффициент тока стока может принимать положительное, нулевое или отрицательное значение.

Основными физическими причинами температурных изменений тока стока являются температурные зависимости подвижности носителей и порогового напряжения.

Характерным для всех ПТ является очень малый ток в цепи затвора, т.к. затвор либо изолирован, либо образует с каналом управляющий переход, вклю­чаемый в обратном направлении.

Т.к. затвор в электрических схемах является входным электродом, то ПТ обладает высоким входным сопротивлением на постоянном токе (более 10⁸-10¹⁰ Ом).

В этом заключается важнейшее отличие ПТ от БТ, входное сопротивление которых, составляет единицы - сотни Ом (ОБ, ОЭ).

В связи с указанным различием входных сопротивлений иногда говорят, что ПТ - прибор, управляемый напряжением (электрическим полем), а БТ - это прибор, управляемый током.

В приборах, управляемых напряжением, напряжение на входном электроде прибора из-за высокого входного сопротивления R_ex практически не зависит от параметров самого прибора и определяется источником ЭДС входного сигнала, если R_ex» R_ucm, где R_иcm - внутреннее сопротивление источника.

В приборах, управляемых током, входной ток из-за малого входного сопротив­ления прибора слабо зависит от параметров прибора и определяется током ис­точника входного сигнала (при R_ex «R_иcm).

В зарубежной литературе различные типы полевых транзисторов (и биполярный) обозначаются как:

BJT (bipolar junction transistor) – биполярные транзисторы (международный термин биполярного транзистора);

FET (field effect transistor) -полевой транзистор;

JFET (junction gate field-effect transistor) - транзистор с управляющим р-n переходом;

MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) - транзисторы на основе МОП-структур;

SIPMOS (Siemens Power MOS) - мощные МОП приборы Сименс, элементарные ячейки выполнены в форме квадрата Siemens Power MOS.

Структура SIPMOS подразумевает организацию в одном кристалле тысяч образующих квадрат параллельно-включенных МОП транзисторных ячеек;

HEXFET (hexagonal field-effect transistor) - элементарные ячейки выполнены в форме шестиугольника.

Структура HEXFET подразумевает организацию в одном кристалле тысяч, образующих шестиугольник, параллельно-включенных МОП транзисторных ячеек;

VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor) – транзистор с вертикальной структурой, фирма PHILLIPS;

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - биполярный транзистор с изолированным затвором.

HEMFET, HEMT ( High Electron Mobility Transisto) - транзистор с высокой подвижностью электронов.

Дата добавления: 2014-01-20