Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Ток утечки




Ток утечки I у обусловлен поверхностными энергетическими уровнями, которые способствуют активной генерации – рекомбинации, а также проводимостью поверхностных молекулярных и ионных пленок, шунтирующих p-n переход (это могут быть молекулы окислов основного материала, молекулы газов, воды, ионы водорода и т.п.). Ток утечки слабо зависит от температуры окружающей среды и линейно возрастает при изменении обратного напряжения. Почти линейный участок зависимости I у(U) можно охарактеризовать эквивалентным сопротивлением утечки R у. Характерной особенностью тока утечки является его временная нестабильность, которую часто называют «ползучестью». Ползучесть проявляется в изменении обратного тока в течение некоторого времени после скачкообразного изменения обратного напряжения, в частности после его включения.

На основании рассмотрения составляющих обратного тока p-n перехода можно принять следующее решение. Обратный ток германиевого p-n перехода включает составляющие: I обр Ge» I 0 +I у,

а обратный ток кремниевого p-n перехода – I обр Si » Iт+I у.

На рис. 8 приведены примерные зависимости составляющих обратного тока германиевого p-n перехода и обратные ветви ВАХ для двух температур окружающей среды.

Для германиевых p-n переходов обратный ток в основном определяется током насыщения и имеет величину десятки микроампер. Ток термогенерации у них мал и им обычно пренебрегают. Незначительный наклон обратной ветви ВАХ германиевых p-n переходов обусловлен током утечки.

На рис. 9 приведены примерные зависимости составляющих обратного тока кремниевого p-n перехода и обратные ветви ВАХ для двух температур окружающей среды.

Обратный ток кремниевого p-n перехода примерно на три, четыре порядка меньше обратного тока германиевого перехода. Объясняется это тем, что ширина запрещенной зоны у кремния больше, чем у германия, а концентрация неосновных носителей заряда оказывается на шесть порядков ниже. Поэтому ток I 0 в кремниевом p-n переходе пренебрежимо мал, а ток термогенерации невелик из-за малого объема p-n перехода, ток утечки при современной технологии изготовления p-n перехода имеет незначительную величину. Отсюда в целом обратный ток кремниевого p-n перехода имеет намного меньшее значение, чем в германиевом переходе.

 


Рис. 8. Обратные ветви ВАХ германиевого p-n перехода

 


Рис. 9. Обратные ветви ВАХ кремниевого p-n перехода

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-20; Просмотров: 1008; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.011 сек.