Варикапы

Варикапаминазывают полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость барьерной емкости р-n перехода от обратного напряжения. Они применяются в качестве конденсатора с электрически управляемой емкостью. Вторым элементом обозначения варикапов является буква "В". Варикапы делятся на подстроечные и умножительные, или варакторы. Условное графическое изображение варикапа показано на рис. 2.9. Подстроечные варикапы используются, например, для изменения резонансной частоты колебательных систем. На рис. 2.10 изображен колебательный контур, перестраиваемый с помощью варикапа. В этой схеме конденсатор С предотвращает замыкание напряжения смещения через индуктивность. Его емкость обычно значительно превышает емкость вариикапа - диода VD1. Поэтому резонансная частота контура определяется по формуле

, (2.7)

где С_в - емкость варикапа.

Рис. 2.9. Графическое изображение варикапа

Регулировкой напряжения смещения, подаваемого на диод с потенциометра R2 через резистор R1, можно изменять емкость диода и, следовательно, резонансную частоту колебательного контура. Резистор R1 предотвращает возможность шунтирования колебательного контура при перемещении движка потенциометра. Сопротивление резистора R1 выбирают большим резонансного сопротивления контура.

Рис. 2.10. Схема включения варикапа

Варакторы применяются для умножения частоты сигнала. При этом используется нелинейность вольт - фарадной характеристики.

Основными специальными параметрами варикапов являются: номинальная емкость С_в, измеренная при заданном обратном напряжении U_обр; коэффициент перекрытия емкости Кс,определяемый отношением емкостей варикапа при двух заданных значениях обратного напряжения; добротность Q, определяемая как отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь. Например, варикап КВ10А обладает следующими параметрами: С_в=8…16 пФ при U_обр=3В, К_с=4…6, Q=300 при U_обр=3В и f=50МГц.

Дата добавления: 2014-01-20