УЭ 6.8-7. Измерение импульсных параметров транзисторов

На рисунке 7.8 изображена схема для измерения времени рассасыва­ния быстродействующих транзисторов. Испытуемый транзистор на­сыщен постоянным базовым током. Насыщающий ток I_б1 обеспечива­ется генератором тока, образованным источником 2% и резистором R₂. Генератор импульсов тока (ГИ) вырабатывает импульсы напря­жения прямоугольной формы длительностью t_и. Амплитуда импуль­сного напряжения должна быть, по крайней мере, в 10 раз больше максимально возможного значения U_{б нас} транзистора. В этих усло­виях рассасывающий ток определяется из соотношения

I_б2 = ,

где U — амплитудное значение импульса, измеряемое вольтмет­ром V; R₁— сопротивление.

Значение тока I_б контролируется амперметром постоянного тока А.

Для обеспечения минимальной погрешности измерения, как правило, берутI_б1 =I_б2. Вспомогательный диод Д предназначен для защиты от пробоя эмиттерного перехода транзистора после окончания процесса рассасывания. В течение всего измеряемого отрезка времени вспомогательный диод заперт. Поэтому нет осо­бых требований к его времени восстановления. Однако диод несколько искажает форму импульса тока базы из-за зарядной емкости, шунтирующей входные зажимы транзистора.

Для быстродействующих транзисторов вспомогательный диод можно не ставить. В тех случаях, когда вспомогательный диод не­обходим, диод выбирают с минимальной емкостью при запирающем напряжении порядка 1 В. Емкость диода, как и паразитная емкость монтажа от зажима базы на «землю», снижает качество генератора импульсного тока.

Рисунок 6.53 Схема для измерения времени рассасывания быстродейству­ющих транзисторов

Величины емкостей диода и монтажа должны выбираться с учетом следующего соотношения:

С_д + С_м<0,1

где С_д — емкость диода; С_м — емкость монтажа; t_p — время расса­сывания накопленного на базе заряда.

Измеритель времени (ИВ) с входным сопротивлением R _Bx =

= 50 Ом подключен к коллектору транзистора через резистор R₃. Соединение безындуктивных резисторов R₃, R₄ и входного сопро­тивления измерителя времени R_BX формирует сопротивление кол­лекторной нагрузки R_H, которая имеет следующий вид:

Rн = .

Блокировочная емкость С₃ выбирается из условия

C3≥100,

где 1_К — ток коллектора в режиме насыщения; t_и — длительность импульса переключения; Е_к — напряжение коллекторного источ­ника питания.

Величины проходной емкости С₁ и блокировочной емкости С₂ должны выбираться с условием

С.

При определении t_p, когда в качестве измерителя времени при­меняется осциллограф, необходимо на экране фиксировать мо­мент появления запирающего импульса. Для более точной фикса­ции момента появления переключающего импульса лучше пользо­ваться двухлучевым осциллографом.

Ориентировочная суммарная погрешность измерения времени переключения транзистора рассмотренного схемного решения составляет ±10... 30 %.

Дата добавления: 2014-01-20