Травление (непосредственный перенос рисунка маски на поверхность полупроводниковой структуры)
Контроль и исправление дефектов
Рис. 1. 10 ступеней литографического процесса (случай для положительного фоторезиста)
Рассмотрим в качестве примера основные операции при избирательном травлении оксида кремния (SiO2), которое используется многократно и имеет целью создание окон под избирательное легирование, а также контактных окон.
Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав!Последнее добавление