Теория кристаллического поля (ТКП) основана на электростатической модели

Теория кристаллического поля

Ограничения метода валентных связей

ТКП считают дальнейшим развитием электростатической теории Косселя и Магнуса на квантово-механической основе. Однако здесь учитывается изменение в электронных оболочках иона - комплексообразователя, происходящее под действием лигандов. Лиганды рассматриваются как точечные заряды или точечные диполи, создающие электрическое поле.

Первоначально теория кристаллического поля была применена для объяснения свойств кристаллических веществ и отсюда получила свое название. Однако она применима к любым системам взаимно геометрически правильно расположенных электрически взаимодействующих частиц, например к отдельному комплексу.

Теория кристаллического поля добилась особого успеха при описании комплексов переходных металлов, в которых внешние электроны находятся на dорбиталях.

Теория кристаллического поля основана на предположении, что между комплексообразователем и лигандами осуществляется чисто электростатическое взаимодействие (ионная или ион-дипольная связи). Ионная в смысле электростатического взаимодействия катиона-комплексообразователя и анионов лигандов. Учитывая сказанное энергию координационной связи (Uсв.) можно рассчитать, используя кулоновское соотношение

где g₁ и g₂ - истинные или наведенные в результате поляризации заряды взаимодействующих частиц; г - расстояние между ними.

Недостатки ТКП

А ТКП является весьма приближенной, так как полностью игнорирует ковалентныи вклад в образование координационной связи. Все эффекты, обусловленные кова­лентныи характером связей, в методе ТКП остаются необъяснимыми;

ТКП не учитывает структурные особенности лигандов,, и их возможности образовывать π-связи, а это не позволяет рассмотреть с позиции ТКП некоторые вопросы комплексообразования, стереохимии и реакционной способности.

ТКП применима лишь к тем комплексным соединениям, в которых комплексообразователь содержит свободные электроны.

Дата добавления: 2014-01-20