Фотохимия процесса

Шифрование с симметричным и асимметричным ключом

Следует отметить, что алгоритм асимметричного шифрования сильно проигрывает симметричным с точки зрения времени шифрования и расшифровки данных, поэтому многие современные системы шифрования используют комбинацию асимметричной и традиционной симметричной систем шифрования. Шифрование с открытым ключом используется для передачи симметричного ключа, который служит непосредственно для шифрования передаваемой информации. Для того чтобы понять логику работы данной схемы, обратимся к рис. 10.6.

Рис. 10.6. Шифрование с симметричным и асимметричным ключом

Вначале А шифрует исходный файл с помощью симметричного (секретного) ключа (пункт 1). Затем (пункт 2) А получает из открытых источников публичный ключ, принадлежащий В, и с помощью этого ключа зашифровывает свой симметричный ключ. Далее (пункт 3) оба объекта (зашифрованный файл и зашифрованный симметричный ключ) отсылаются на адрес В посредством Интернета.

В получает оба объекта (пункт 4). Симметричный ключ расшифровывается частным ключом, принадлежащим В (пункт 5) и, наконец, с помощью расшифрованного симметричного ключа расшифровывается исходный файл (пункт 6).

Когда кто-то получает от вас сообщение, зашифрованное вашим частным ключом, он уверен в аутентичности послания. То есть в данном случае шифрование эквивалентно поставленной подписи.

Таким образом, цифровая подпись или электронная подпись - это метод аутентификации отправителя или автора подписи, подтверждающий, что содержание документа не было изменено. Цифровая подпись может быть поставлена как в зашифрованном, так и в открытом послании.

На рис.3.(а) показаны основные химические аспекты фотолитографических процессов, использующих плазменный полимеризованный метилсилан (ППМС) для длин волн излучения 248 и 193 нм.

Рис.3.(а)-основные химические аспекты фотолитографических процессов, использующих ППМС для длин волн 248 и 193 нм. (Ь)-изменения ИК спектра в ППМС пленке толщиной 1,0 мкм под действием широкополосного УФ излучения

Метилсилан полимеризуется и осаждается на подложку, находящуюся в ВЧ плазме низкой мощности. Данный полимер обладает преимущественно Si-Si основными связями в окружении сеточной структуры. Под действием УФ излучения в присутствии воздуха кислород легко связывается с кремниевым скелетом для формирования силоксанной сеточной структуры в засвеченной области. Эта засвеченная область обладает протравливающимися свойствами, схожими с SiO₂. Фотоокисление ППМС пленки наблюдается в инфракрасном спектре, показанном на рис.3.(б). Данный рисунок показывает изменения ИК спектра в ППМС пленке толщиной 1,0 мкм под действием широкополосного УФ излучения при различных значениях времени воздействия. Каждый спектр показывает наличие метиловой группы соединенной с кремнием характерными С-Н-стяжками. Под действием УФ в присутствии воздуха налицо постоянное увеличение поглощения в ИК области спектра на длинах волн 1050 и 3500 см'¹. Такой характер спектра Si-0-Si и Si-0-H, соответственно,

показывает, что ППМС фотоокисляется во время экспонирования до материала, получившего название ППМСО.

Важным результатом фотоокислительного процесса на 193 нм является обесцвечивание полосы поглощения Si-Si-связи в ППМС пленке.

В то время как неэкспонированная пленка является в сильной степени непрозрачной на длине волны 193 нм, поглощая изначально весь падающий на ее поверхность свет, в течение экспонирования ППМС обесцвечивается, пока не становится почти полностью прозрачным на 193 нм. И хотя полное обесцвечивание не является ни требуемым, ни желательным для большинства литографических применений (особенно в негативных процессах), оно позволяет фотоокислительной реакции протекать по значительной части поверхности пленки. Степень фотоокисления, необходимая для успешного формирования изображения на пленке, зависит от выбранных условий проявки.

В заключение, хотелось бы отметить, что ППМС пленки обладают хорошей фоточувствительностью с эффективным фотоокислительным обесцвечиванием после облучения их излучением 193 нм в воздухе. Пленки толщиной 200 нм показали полное обесцвечивание по всей поверхности, хотя это не является необходимостью для большинства литографических применений. Предварительные литографические характеристики 100 нм ППМС пленок были оценены при использовании системы экспонирования "Микроскан" (193 нм). При дозе экспонирования 20 мДж/см² было достигнуто разрешение 0,2 мкм с результирующей глубиной фокусировки около 1,0 мкм. Это позволяет ожидать, что экспонирование более толстых ППМС пленок (-200 мкм) даст улучшение в качестве изображения.

Две длины волны (193 нм и 248 нм) и две тоновые характеристики ППМС резистивной системы обеспечивают гибкость для будущего производства СБИС на кластерном оборудовании с помощью сухой газовакуумной технологии.

Дата добавления: 2014-01-11