Запираемые тиристоры

Обеспечение безопасной работы транзисторов

Главным условием надёжной работы транзисторов является обеспечение соответствия ОБР как статических, так и динамических вольтамперных характеристик, определяемых конкретными условиями работы.

Ограничениями, определяющими ОБР силовых транзисторов, являются:

- максимально допустимое значение тока коллектора (стока);

- допустимое значение рассеиваемой транзистором мощности;

- максимально допустимое значение напряжения коллектор – эмиттер (сток – исток);

В импульсных режимах работы силовых транзисторов границы ОБР существенно расширяются. Это объясняется инерционностью тепловых процессов, вызывающих перегрев полупроводниковой структуры транзисторов.

Динамические ВАХ транзистора во многом определяется параметрами коммутируемой нагрузки. Например, выключение активно – индуктивной нагрузки вызывает перенапряжения на ключевом элементе. Эти перенапряжения определяются ЭДС самоиндукции Um= -Ldi/dt, возникающей в индуктивной составляющей нагрузки при спадании тока до нуля.

Для исключения или ограничения перенапряжений при коммутации активно – индуктивной нагрузки применяются различные цепи формирования траектории переключения (ЦФТП), позволяющие сформировать желаемую траекторию переключения. В простейшем случае это может быть диод, шунтирующий активно – индуктивную нагрузку или RC-цепь, подключаемая параллельно стоку и истоку МОП – транзистора.

Тиристоры являются наиболее мощными электронными ключами, используемыми для коммутации высоковольтных и сильноточных (сильнотоковых) цепей. Однако они имеют существенный недостаток – неполную управляемость, которая проявляется в том, что для их выключения необходимо создать условия снижения прямого тока до нуля. Это во многих случаях ограничивает и усложняет использование тиристоров. Для устранения этого недостатка разработаны тиристоры, запираемые сигналом по управляющему электроду G. Такие тиристоры называют запираемыми (GTO – Gate turn-off thyristor) или двухоперационными. Запираемые тири­сторы (ЗТ) имеют четырехслойную р-п-р-п структуру, но в то же время обладают рядом существенных конструктивных особенностей, придающих им принципиально отличное от традиционных тиристоров – свойство полной управляемости. Статическая ВАХ запираемых тиристоров в прямом направлении идентична ВАХ обычных тиристоров. Однако блокировать большие обратные напряжения ЗТ обычно не способен и часто соединяется со встречно-параллельно включенным диодом. Кроме того, для ЗТ характерны значительные падения прямого напряжения. Для выключения ЗТ необходимо подать в цепь управляющего электрода мощный импульс отрицательного тока (примерно 1:5 по отношению к значению прямого выклю­чаемого тока), но короткой длительности (10-100 мкс).

Запираемые тиристоры также имеют более низкие значения предельных напряжений и токов (примерно на 20-30 %) по сравнению с обычными тиристорами.

САМОСТОЯТЕЛЬНОЕ ИЗУЧЕНИЕ:

Дата добавления: 2014-01-11