Внутренний фотоэффект

В дальнейшем было открыто явление внутреннего фотоэффекта, о котором мы уже вкратце упоминали.

Это явление связано уже не с проводниками (металлами), а с полупроводниками. Как известно, полупроводники являются таковыми вследствие того, что все уровни валентной зоны уже заняты электронами, а для попадания на разрешенные уровни зоны проводимости необходимо преодолеть запрещенную зону (см. рис. 4). Для этого электроны должны обладать значительной энергией. Такой необходимой энергией обладают немногие электроны, поэтому полупроводники и довольно плохо проводят электрический ток.

Однако если полупроводник облучать светом, то электроны будут получать дополнительную энергию за счет квантов света и, если эта энергия достаточна, они будут попадать в зону проводимости. При этом в валентной зоне останутся дырки. Таким образом, проводимость полупроводника резко возрастает.

Аналогичным эффектом будут обладать, очевидно, и примесные полупроводники.

На этом свойстве полупроводников основано действие так называемых фотосопротивлений, фоторезисторов, величина сопротивления которых зависит от освещенности. На схемах фоторезисторы обозначаются так, как показано на рис. 5.

Дата добавления: 2014-01-11