Способы получения тонких пленок

Индуктивность. Элементы коммутации

Выполняется на подложках в виде квадратной спирали, поскольку считается, что эта индуктивность в 1.27 раза больше, чем индуктивность круглой спирали.

Пленочные индуктивности распространены в аналоговых интегральных микросхемах, входят в состав колебательных контуров, полосковых фильтров.

Толщина спирали зависит от рабочей частоты и определяется глубиной проникновения электромагнитной волны в материал пленочного проводника. Индуктивность наносят электрохимическим осаждением меди или золота на подслой титана или ванадия.

Элементы коммутации – это проводники и контактные площадки, которые служат для соединения элементов и компонентов между собой, а также для присоединения к выводам корпуса. К этим материалам предъявляются требования высокой электропроводности, хорошей адгезии к подложке, высокой коррозионной стойкости и возможной пайки или сварки с выводами корпуса.

Создание коммутации: в качестве материала используют золото с подслоем титана или хрома. Толщина – 0.5-1 мкм. В аппаратуре с менее жесткими требованиями используют медь, алюминий с подслоем хрома или титан. Если коммутация служит для соединения с выводами корпуса, то контактные площадки покрывают хромом или никелем.

1. Термическое испарение в вакууме с последующей конденсацией паров этих материалов на поверхности подложки. Напыляют материал на подложки через съемные маски. Напыление происходит в местах, соответствующих рисунку окон в маске. Материалом съемной маски служит лента из бериллиевой бронзы (толщиной 0.1 - 0.2 мкм), покрытая слоем никеля толщиной около 10 мкм. Но этот способ нанесения тонких пленок не всегда является надежным, поскольку может наблюдаться порабление маски, в результате чего образуются зазоры между подложкой и маской.

2. Более надежным способом создания тонкопленочных микросхем является получение рисунка методом фотолитографии. Для получения рисунка топологического слоя фотолитография требует использования фотошаблона. Фотолитография обеспечивает точное воспроизведение рисунка топологического слоя и после вытравливания конфигурация окон имеет четкие границы.

Кроме указанного метода тонкие пленки наносят методом ионного распыления, химического осаждения пленок (реакция в газовой среде).

Метод ионного распыления базируется на бомбардировке мишени, выполненной из осаждаемого материала, быстрыми частицами (положительными ионными частицами аргона). Эти выбитые частицы осаждаются в виде тонких пленок на подложках. В качестве материалов во всех методах используется хром, нихром, ванадий, титан.

Дата добавления: 2014-01-11