Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Базовые логические элементы

ЦИФРОВЫЕ МИКРОСХЕМЫ.

 

 

Инвертор (НЕ) Логическое сложение (ИЛИ) Логическое умножение (И)

 

ТИПЫ ЛОГИКИ

Резисторно- диодная (РДЛ), резисторно- транзисторная (РТЛ) и диодно –транзисторная логика были исторически первыми решениями в области цифровой техники, и практически не применяются в микроэлектронике, но позволяют понять принцип реализации логических функций на полупроводниковых приборах..

 
 

БАЗОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ ТТЛ (транзисторно-транзисторной логики)

 

 

Принцип действия: если на один из входов подано напряжение низкого уровня, то от ИП через него будет протекать ток I0вх, величину которого задает Rб

Если подключить остальные входы, то I0вх практически не изменится. То есть, если Х1=0, то состояние остальных входов может быть любым. При подаче на вход +Uип переход Б-Э закрывается; открывается Б-К, Uвых=IвыхRн>0 (+1); U1вых=Uип[Rн/(Rн+Rб}]

Для получения инвертирующего элемента используют VT2, для обеспечения более мощного выхода –составной ЭП на n-p-n транзисторах, для которого VT2 служит фазорасщепителем.

VД4 –диод сдвига уровня (+0,7В)

Rогр –ограничивают ток короткого замыкания. выходных транзисторов (когда один еще открыт, а второй -открывается)

VД1…3 – защитные диоды (от отрицательных выбросов, возникающих за счет монтажных емкостей)

U1вых=2.6 В I0вх=1,6mA tзр=9 Iпотр=2mA Э=90пДж

Rн=0,4 кОм Сн=15 пФ Рпот=10 мВт Кразв =10

 

При применении диодов Шотки (ТТЛШ) Uип=5В+-10%, уменьшается потребляемая мощность про повышении быстродействия.

Серия 555 –матрица диодов Шотки на входе (вместо VT1): Pпот=2мВт tзд=9,5нс, Эпот=19пДж

 

ЭМИТТЕРНО-СВЯЗАННАЯ ЛОГИКА (ИС С ТОКОВОЙ СВЯЗЬЮ)

 

Транзисторный ключ собран по дифференциальной схеме (переключатель тока) и работает в ненасыщенном режиме с малым перепадом напряжений логических уровней. Самая быстродействующая логика; высокое энергопотребление.

U пит= - 5В U1 = -(0,7- 0,9)В; U0 = -(1,5-2)В;

t здр= 3-7 нс Pпотр = 10-20 мВт

 

ИНТЕГРАЛЬНАЯ ИНЖЕКЦИОННАЯ ЛОГИКА (И2Л)

 

Базовая структура была разработана как ячейка статической памяти с малой мощностью потребления (1 нА/бит). Вертикальное расположение элементов и их объемная связь понизили площадь элемента, повысили степень интеграции.

Принцип действия:

p-n-p транзистор инжектирует носители заряда в базу многоколлекторного транзистора n-p-n, снижая время задержки переключения.

вход

 


U пит= 2-6В U1 = (1,8- 5,6)В; U0 = 0,2В;

t здр= 15 нс Pпотр = 0,05 мВт Кразв =100

 

 

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Импульсные 3.Динамические | Комплиментарная моп (кмдп) логика и n-моп логика
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-14; Просмотров: 813; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.015 сек.