Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Экспоненциальная АФ с сопротивлением




«Программа расчета характеристик смесительных диодов при использовании АФ i = io{exp[a (v – ir)] – 1}» приводится на следующей стр. в Пр. 2.2. В программу вводятся 3 АП из программы раздела 1.3.2. и параметры расчета: количество интервалов и максимальный ток диода, соответствующий постоянной составляющей тока диода около 1мА при мощности гетеродина около 0,5мВт. В программе приводится матрица значений (1.15) Ir с аналогичными параметрами гармоник гетеродина и порядка производных матрицы Ix в Пр. 2.1. для расчета АТКЧ. Расчеты численных значений проводятся при использовании обратных функций, описанных в начале раздела 2.2. для экспоненциальных АФ с сопротивлением. функций. Результатом являются расчетные значения полученных ПМИ функций (1.15) Iipm для . Амплитуда напряжения гетеродина vro определяется максимальным током диода, задаваемым пользователем. Ниже на рис. 2.3 приводится график Ii33 в зависимости от амплитуды напряжения гетеродина, обозначенной на графике рис. 2.3 переменной v1.

Анализ данных матрицы Ir для рабочего режима показывает:

1. АТКЧ стали знакопеременными. Перемена знака для используемой здесь АФ произошла на 5 номере гармоники гетеродина. С увеличением порядка производных уменьшаются номера гармоник перемены знака. Так с 3-ей производной она становится отрицательной уже с нулевой гармоники.

2. АТКЧ для используемой здесь АФ и ранее экспоненциальной АФ для нулевой и первой производных для малых значений m мало отличаются между собой. Со второй производной они меньше приблизительно в 5 раз, с третьей в 20 раз и с четвертой в 80 раз.

Для рассмотрения особенностей изменений АТКЧ в зависимости от амплитуд, прикладываемых к диоду напряжений гетеродина, строится матрица vix в 0 строке которой в качестве примера вводится исследуемые значения Ii33 (3 гармоника 3 производной по напряжению), а в 1 строку расчетные значения амплитуд напряжений гетеродина vr0, задаваемых в Пр. максимальными величинами тока диода im, строится соответствующий график, показанный на рис. 2.3. Построение графика можно провести по значениям матрицы Ir, но нагляднее это сделать по специально введенной в двух цифровом столбце матрице, расположенной перед матрицей Ir и озаглавленной «выходные данные графика».

Пр. 2.2

В качестве примера в нулевую строку матрицы vix вводится исследуемые значения Ii33 (3 гармоника 3 производной по напряжению), а в первую расчетные значения амплитуды напряжение гетеродина vr0, получаемые при изменении максимального тока диода im во 2 пункте «Параметров расчета» программы. Копируем получаемые данные поэлементно в 15 элементную матрицу выходного графика vix, по которому программа строит исследуемый график.

В программе показана только часть vix, т.к он не помещается на 1 стр. Анализ Ii33 показывает, что для малых напряжений гетеродина Ii33 сравнительно велико и быстро меняется, что соответствует экспоненциальной АФ, т.к. на сопротивлении слоя проводника падает только незначительная часть напряжения. С увеличением напряжения гетеродина после достижения максимума значение Ii33 быстро падает и становиться отрицательным и после достижения минимума начинает медленно нарастать, что характерно для увеличивающейся доли напряжения на сопротивлении полупроводника, оставаясь отрицательным для рабочего режима, соответствующего амплитуде гетеродина около 0,46В.

Отметим, что при использовании экспоненциальной АФ с сопротивлением численные значения (1.15) не разработаны, как это сделано для экспоненциальной АФ. Поэтому для расчета АТКЧ необходимо использовать ПМИ, полученные в ПР. 2.2, для вводимых АП и максимальном токе диода, обозначенному в ПР. 2.2 переменной im, который соответствует амплитуде напряжения гетеродина, прикладываемой к смесительному диоду. В этом случае аналогично (1.11) и (2.19) половинные значения АТКЧ определяются уравнением:


, (2.20)

где величины(1.15) определяются приводимыми

в ПР. 2.2 численными значениями матрицы Ir,

р = n+q -номер строки матрицы Ir,

m-номер гармоники гетеродина, равный номеру столбца матрицы Ir,

расчетное значение амплитуды гетеродина приводится

в ПР. 2.1 переменной .

Отметим, что численные значения (2.20) для АТКЧ должны подставляться по модулю, т.к. элементы матрицы могут положительными и отрицательными в отличии от ранее рассмотренной экспоненциальной АФ которые всегда положительны.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-11-06; Просмотров: 356; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.