Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Производительность – относительная эффективность работы компьютера или устройства, определяемая с помощью тестов. 2 страница




Оперативная память имеет свои достоинства и недостатки. Благодаря малому времени доступа к памяти скорость обработки данных существенно возрастает. Если бы информация считывалась (соответст­венно записывалась) только с внешних носителей, то пользователь про­водил бы в ожидании завершения выполнения той или иной операции много времени. Недостаток оперативной памяти: она является времен­ной памятью. При отключении питания оперативная память полностью “очищается”, и все данные, не записанные на внешний носитель, будут навсегда потеряны.

На заре компьютерного века применялись элементы памяти на кольцевых магнитных сердечниках или на цилиндрических магнитных доменах. Так было до тех пор, пока объем памяти был невелик и для размещения ее элементов не требовалось большого пространства. Только тогда, когда возникла потребность в RAM большего объема, удовлетворить которую было невозможно с помо­щью обычных модулей, для реализации элементов памяти прибегли к интег­ральным технологиям.

Каждый элемент оперативной памяти PC представляет собой систему электронных ключей и конденсатор, хранящий информацию в виде заряда. Этот кон­денсатор не идеальный, его емкость не слишком велика, а вследствие того, что он сформирован в толще кристалла кремния, появляются еще и дополнительные сопротивления, через которые заряд стекает с конденсатора (одновременно искажая информацию и в соседних ячейках). Наличие заряда на конденсаторе соответствует логической единице. Время устойчивого хранения информации в ячейке элемента оперативной памяти составляет обычно несколько миллисекунд. После этого информацию необходимо перезаписать. Такая процедура перезаписи и полу­чила название регенерации памяти (Refresh).

Рассмотренный технологический процесс базируется на использовании поле­вых транзисторов, причем каждый из этих транзисторов может хранить еди­ницу информации (бит). Благодаря развитию в микроэлектронике высокоточ­ных технологий в ограниченном объеме полупроводникового кристалла удалось разместить огромное количество полевых транзисторов.

Важнейшим критерием работы оперативной памяти является однозначно под­дающееся определению размещение информации в совершенно определен­ных ее областях. Для этого каждый элемент памяти имеет свой адрес, благода­ря чему данные без конфликтов располагаются в памяти и могут записываться, считываться вновь и передаваться для дальнейшей обработки.

Другим важным отличием элементов оперативной памяти от прочих запоми­нающих устройств является время доступа, характеризующееся интервалом времени, в течение которого информация записывается в память или считы­вается из нее. Время доступа для таких внешних носителей данных, как гиб­кий или жесткий диски выражается в миллисекундах, а для элементов памяти оно измеряется наносекундами.

В принципе на материнскую плату можно устанавливать элементы памяти различных изготовителей с различным временем доступа. Однако нужно стараться избегать неоднородного смешения элементов памяти. Время доступа не должно различаться более чем на 10 нс. В противном случае система в процессе своей работы может столкнуться с серьезными проблемами. Опыт подсказывает, что всегда в одном банке необходимо использовать элементы памяти одного и того же произво­дителя.

Для нормального функционирования системы между CPU и элементами памяти не должно наступать большое временное рассогласование, обуслов­ленное различным быстродействием этих компонентов. Именно в связи с этим в PC на базе CPU 80486 или Pentium должны устанавливаться эле­менты памяти со временем доступа 70 нс и меньше.

Медленные элементы могут привести к “зависанию” системы. Для реше­ния этой проблемы, исходя из параметров Chipset материнской платы, в CMOS Setup производят ручную или автоматическую установку параметра Wait State. Параметром Wait State (цикл ожидания) устраняется рассогла­сование между быстродействием элементов памяти и тактовой частотой процессора. Этот параметр указывает, сколько тактов должен пропустить процессор между двумя операциями доступа к шине или к памяти. Допол­нительные циклы ожидания могут существенно замедлить работу PC в целом. Так, три дополнительных цикла ожидания (значение параметра Wait State равно 3) применительно к операции доступа к памяти могут привес­ти к потере почти 30% быстродействия.

Практически любой IBM PC-совместимый компьютер осна­щен оперативной памятью, выполненной на микросхемах дина­мического типа с произвольной выборкой (DRAM, Dynamic Ran­dom Access Memory). Каждый бит такой памяти представляется в виде наличия (или отсутствия) заряда на конденсаторе, образо­ванном в структуре полупроводникового кристалла. В статическом типе памяти (SRAM, Static RAM) в качестве элемен­тарной ячейки памяти используют так называемый статический триггер. Если для реализации одного запоминающего элемента динамической памяти требуется 1–2 транзистора, то для стати­ческой их число возрастает до 4–6. Статический тип памяти об­ладает высоким быстродействием и, как правило, используется в самых “узких” местах системы, например для организации кэш­-памяти.

 

DRAM

 

Буква D в наименовании этого элемента говорит о том, что он динамический (Dynamic). Однако это ни в коем случае не означает, что этот тип RAM осо­бенно динамичен и запоминаемые данные постепенно “улетучиваются”. В принципе, обозначение для этого элемента памяти не совсем корректно, по­тому что любой применяемый сегодня тип элемента памяти, за исключением наименований SRAM и NVRAM, относится к динамической RAM.

Микросхемы DRAM маркируются цифровым кодом, например 4164 и 4464. В данном случае эти цифры означают, что элементы памяти 4164 и 4464 могут запоминать 64 Кбит и являются первыми и до настоящего времени использу­емыми микросхемами DRAM. Почти одновременно в 1987 году были изготов­лены два новых типа DRAM, которые были обозначены как 41464 и 41256. Эти элементы в состоянии запоминать вчетверо большее количество данных при увеличении их размера всего на 10% (за счет появления дополнительных выводов микросхемы). В 1989 году компания Siemens изготовила первый чип, емкость которого составила 1 Мбит, что превысило емкость чипа 41256 в четыре раза. Но этого компании Siemens оказалось недостаточно, и благодаря использо­ванию новейшей полупроводниковой технологии в жестокой конкурентной борьбе в 1993 г. этой фирмой был изготовлен элемент DRAM емкостью 4 Мбит.

Говоря об этом типе RAM, речь идет о микросхеме с так называемым DIP-корпусом, при этом DIP обозначает Dual In-line Package (корпус с двухрядным расположением выводов). Этот термин относится к корпусам памяти, у кото­рых выводы (Pins) расположены по бокам (напоминают жука). Сам кристалл, на котором размещены ячейки памяти, существенно меньше, чем корпус. Данная конструкция корпуса обусловлена такими требованиями, как удобство печатного монтажа и установки микросхемы в панельки на материнской плате, соблюдение температурного режима работы элементов.

Важнейшими параметрами микросхем DRAM являются емкость и организа­ция памяти. Элементы DRAM в виде отдельных микросхем обычно устанав­ливались на старых материнских платах. В настоящее время эти микросхемы используются в качестве таких составных элементов модулей памяти, как SIP-, ZIP-, DIMM- и SIMM-модули.

Микросхемы памяти FPM DRAM. Fast Page Mode DRAM – вид памяти, позволяющий сократить чтение/запись блоков данных, расположенных один за другим в памяти.

Аббревиатура FPM (Fast Page Mode – быстрый страничный ре­жим) используется для обозначения уже давно известного метода доступа к микросхемам памяти. В обычных динамических микро­схемах памяти в силу матричной организации их ячеек памяти доступ к определенной ячейке осуществляется в два этапа. На первом этапе обрабатывается первая половина (младшие разряды) адреса, на втором этапе – вторая половина (старшие разряды). Эти две половины полного адреса ячейки соответствуют опреде­ленной строке и определенному столбцу матрицы памяти.

Известно, что очень часто следующие друг за другом обращения к памяти осуществляются по адресам ячеек, находящихся в одной и той же строке (странице). При этом за счет изменения RAS/CAS-способа доступа, т.е. способа доступа с использованием стробирующих сигналов выборки адреса строки (Row Address Strobe) и адреса столбца (Column Address Strobe), оказывается возможным внутри одного RAS-цикла длительностью до 100 мкс выполнять достаточно большое число CAS-циклов. Этот способ обеспечива­ет существенное увеличение быстродействия микросхем FPM DRAM по сравнению с обычными DRAM-микросхемами памяти.

Микросхемы памяти EDO RAM. Как уже отмечалось выше, динамические микросхемы со своими “забывчивыми” конденсаторами быстро теряют записанную в них информацию. Для сохранения записанной информации прихо­дится периодически восстанавливать содержимое ячеек памяти, что, естественно, приводит к снижению быстродействия. Изгото­вители системных плат с помощью оригинального приема пыта­ются обойти ограничение на быстродействие, связанное с необходимостью регенерации ячеек памяти. Устанавливаются два банка памяти, заполненные одинаковыми микросхемами, доступ к ко­торым осуществляется попеременно. Когда считываются данные из одного банка, микросхемы другого банка находятся в фазе регенерации, и наоборот.

При использовании EDO RAM (Extended Data Out) – микро­схем памяти с увеличенным временем доступности данных – необходимость в чередовании адресов памяти (Memory Interleave) отпадает. Эти микросхемы могут удерживать записанные в них данные дольше, чем обычные динамические микросхемы. Кроме того, в EDO-микросхемах меньше длительность CAS-цикла.

Микросхемы памяти BEDO RAM. EDO RAM – это далеко не последнее достижение в техноло­гии микросхем оперативной памяти. Имеются еще более быстрые пакетные микросхемы EDO RAM (Burst EDO RAM, или BEDO RAM).

Преимущество пакетного метода заключается в том, что он реализует некоторую предустановленную последовательность адресов доступа. Поэтому после передачи начального адреса мож­но отказаться от передачи следующих адресов в пакете. Благодаря этому экономится несколько наносекунд.

Именно эта технология уже до­вольно давно успешно используется в статических микросхемах кэш-­памяти. Теперь этот способ применяется и в динамических микросхемах RAM. К сожале­нию, при использовании BEDO-технологии теряется существующая “почти совместимость” микросхем EDO и широко распространенных FPM DRAM-микросхем памяти, поскольку BEDO-микросхемы тре­буют совершенно других методов управления.

Хотя BEDO RAM в настоящее время самые быстрые микро­схемы памяти, к сожалению, на них не обращает внимания ни один из производителей наборов микросхем, и фирма Intel, исхо­дя из критерия совместимости, приняла решение в пользу син­хронных динамических микросхем памяти (SDRAM). За исклю­чением набора микросхем Natoma, ни один из наборов микросхем не поддерживает BEDO RAM, да и набор Natoma обеспечивает такую поддержку с некоторыми ограничениями.

Синхронные динамические микросхемы памяти SDRAM. Почти все производители микросхем оперативной памяти пе­реходят на разработку и изготовление микросхем SDRAM, или синхронных микросхем DRAM. Их особенностью является то, что все сигналы в них синхронизированы с тактовым сигналом (на внешней тактовой частоте процессора).

RDRAM (Rambus DRAM – память Rambus.) Память типа Rambus имеет уникальную технологию и протокол обмена, позволяющие передачу данных по упрощенной шине, которая может работать на очень высокой частоте. Разработчиками Rambus был предложен радикально новый интерфейс памяти – Direct Rambus, который функционирует на порядок быстрее современных DRAM. Архитектура Direct Rambus состоит из трех основных компонентов: контроллер памяти, канал Rambus и RDRAM.

Микросхемы RDRAM несколько отличаются от обычных типов динамической памяти. Внутреннее ядро имеет 128-разрядную шину данных, функционирующую на частоте 1/8 системной. Поддержка ядром технологии разбиения банков позволяет представить независимый банк как два сдвоенных, разделяющих общие усилители записи/чтения.

Контроллер памяти Rambus обеспечивает поддержку протокола Direct Rambus Channel, управление шиной Rambus и преобразование ее протокола с частотой до 800 МГц в стандартный интерфейс с шинами адреса данных и управления с восьми- или шестнадцатибайтной шиной данных с рабочей частотой до 200 МГц (64 разряда) и до 100 МГц (128 разрядов).

Микросхемы RDRAM собираются в модули RIMM. В каждый модуль может быть установлено до 16 микросхем RDRAM (по восемь с каждой стороны). Модули могут иметь объем 32, 64, 128, 256, 512 Mбайт и 1 Гбайт.

SIP-модули. Микросхемы DRAM довольно легко и просто устанавливать в PC, однако они занимают много места. С целью уменьшения размеров компонентов PC, в том числе и элементов оперативной памяти, был разработан ряд конструктивных решений, которые привели к тому, что каждый элемент памяти больше не устанав­ливался в отдельную панель, а совместимые элементы DRAM объединили в один модуль, выполненный на небольшой печатной плате.

Технология, реализующая такую конструкцию элементов памяти, называется SMT (Surface Mounting Technology), дословно переводимая как технология по­верхностного монтажа. Благодаря ей совместимые элементы DRAM были ус­тановлены на одной плате, что, в первую очередь, означало экономию места.

В качестве реализации технологии SMT можно назвать так называемые SIP-модули с однорядным расположением выводов (SIP, Single In-line Package). SIP-модули представляют собой небольшую плату с установленными на ней совместимыми чипами DRAM. Такая плата имеет 30 выводов, размеры ее в длину около 8 см и в высоту около 1,7 см.

SIP-модули устанавливаются в соответствующие разъемы на материнской плате. Однако при установке и извлечении таких модулей тонкие ножки выводов часто обламываются, и контакт между ножкой и разъемом нена­дежен. Это привело к дальнейшему развитию модулей памяти – появле­нию SIMM-модулей.

SIMM-модули. Single In-line Memory Module – односторонний модуль памяти.

Когда речь идет о SIMM-модуле, имеют в виду плату, которая по своим разме­рам примерно соответствует SIP-модулю. Разница прежде всего состоит в конструкции контактов. В отличие от SIP-модуля выводы для SIMM-модуля заменены так называемыми контактами типа PAD (вилка). Эти контакты вы­полнены печатным способом и находятся на одном краю платы. Именно этим краем SIMM-модули устанавливаются в специальные слоты на материнской плате. Благодаря такой конструкции SIMM-модулей существенно повышает­ся надежность электрического контакта в разъеме и механическая прочность модуля в целом, тем более что все контакты изготовлены из высококачествен­ного материала и позолочены.

Отказы в работе оперативной памяти чаше всего происходят не из-за повреж­дения SIMM-модулей, а скорее из-за некачественной обработки контактов разъемов на материнской плате.

Кроме того, удобная конструкция SIMM-модулей позволяет пользователям самостоятельно менять и добавлять элементы памяти, не опасаясь повредить выводы.

DIMM – Dual In-line Memory Module – двухсторонний модуль памяти.

 

SRAM

 

Элементы SRAM в общем и целом идентичны элементам памяти DRAM, за исключением того, что они не нуждаются в регенерации памяти (Refresh).

Буква S в названии обозначает Static (статический). Если бы SRAM устанавли­валась в качестве оперативной памяти, это дало бы, конечно, увеличение бы­стродействия PC. Однако и существенно изменилась бы его стоимость, по­скольку стоимость микросхем SRAM значительно выше стоимости DRAM и прямо пропорциональна быстродействию. Так, время доступа к DRAM состав­ляет от 60 до 100 наносекунд, а время доступа к SRAM – от 15 до 25 нс.

Поэтому элементы SRAM устанавливают только для выполнения специаль­ных задач, важнейшими из которых можно назвать применение в качестве кэш-памяти и памяти для параметров BIOS.

Так же как и DRAM, элементы SRAM в некотором роде являются “вре­менной” памятью. Для того чтобы данные оставались неизменными при отключении основного питания, должно быть обеспечено гарантированное питание от аккумулятора. При этом по­требляемый элементами SRAM ток настолько мал, что содержимое памяти (при наличии аккумулятора) остается неизменным около двух лет, даже если система за это время ни разу не включалась.

 

NVRAM

 

NVRAM используют для долговременного хранения данных, которые ни при каких обстоятельствах не должны быть утеряны. Буквы NV обознача­ют Non Volatile, т.е. “не временная”. Элементы NVRAM не нуждаются в обес­печении электропитанием и сохраняют свое содержимое в течение длитель­ного времени.

 

ZIPRAM и другие типы элементов памяти

 

Наряду с описанными выше типами элементов памяти имеются еще и другие компоненты разных изготовителей, которые устанавливаются, как правило, в системы нестандартной конфигурации. В случае ZIPRAM речь идет об обыч­ных микросхемах DRAM, имеющих корпус типа ZIP. Корпус элементов ZIPRAM (ZIP – Zigzag In-line Package) сконструирован таким образом, что выводы микросхемы расположены в один ряд в шахматном порядке с одной стороны корпуса. Микросхемы ZIPRAM устанавливаются в специальные па­нельки на материнской плате. Преимущество конструкции этих элементов памяти заключается в более эффективном использовании пространства внут­ри корпуса PC по сравнению с обычными элементами DRAM. Вследствие этого ZIPRAM устанавливались в основном в компьютеры типа laptop и note­book. SRAM

 

Элементы SRAM в общем и целом идентичны элементам памяти DRAM, за исключением того, что они не нуждаются в регенерации памяти (Refresh).

Буква S в названии обозначает Static (статический). Если бы SRAM устанавли­валась в качестве оперативной памяти, это дало бы, конечно, увеличение бы­стродействия PC. Однако и существенно изменилась бы его стоимость, по­скольку стоимость микросхем SRAM значительно выше стоимости DRAM и прямо пропорциональна быстродействию. Так, время доступа к DRAM состав­ляет от 60 до 100 наносекунд, а время доступа к SRAM – от 15 до 25 нс.

Поэтому элементы SRAM устанавливают только для выполнения специаль­ных задач, важнейшими из которых можно назвать применение в качестве кэш-памяти и памяти для параметров BIOS.

Так же как и DRAM, элементы SRAM в некотором роде являются “вре­менной” памятью. Для того чтобы данные оставались неизменными при отключении основного питания, должно быть обеспечено гарантированное питание от аккумулятора. При этом по­требляемый элементами SRAM ток настолько мал, что содержимое памяти (при наличии аккумулятора) остается неизменным около двух лет, даже если система за это время ни разу не включалась.

 

NVRAM

 

NVRAM используют для долговременного хранения данных, которые ни при каких обстоятельствах не должны быть утеряны. Буквы NV обознача­ют Non Volatile, т.е. “не временная”. Элементы NVRAM не нуждаются в обес­печении электропитанием и сохраняют свое содержимое в течение длитель­ного времени.

 

ZIPRAM и другие типы элементов памяти

 

Наряду с описанными выше типами элементов памяти имеются еще и другие компоненты разных изготовителей, которые устанавливаются, как правило, в системы нестандартной конфигурации. В случае ZIPRAM речь идет об обыч­ных микросхемах DRAM, имеющих корпус типа ZIP. Корпус элементов ZIPRAM (ZIP – Zigzag In-line Package) сконструирован таким образом, что выводы микросхемы расположены в один ряд в шахматном порядке с одной стороны корпуса. Микросхемы ZIPRAM устанавливаются в специальные па­нельки на материнской плате. Преимущество конструкции этих элементов памяти заключается в более эффективном использовании пространства внут­ри корпуса PC по сравнению с обычными элементами DRAM. Вследствие этого ZIPRAM устанавливались в основном в компьютеры типа laptop и note­book. Однако в настоящее время в качестве элементов памяти преимущест­венно используются SIMM- или DIMM-модули, которые дают еще большую эко­номию пространства внутри PC.

Наряду с ZIPRAM имеются еще и другие типы элементов памяти, которые отличаются от описанных выше типов, в первую очередь, своей конструк­цией. По своему функциональному назначению они почти все аналогичны DRAM или SRAM. Блоки памяти, или платы памяти, такие, как RAM-РАС или RAM-Cartridges, редко устанавливают в качестве оперативной памяти. В основном они используются для расширения памяти периферийных устройств PC (принтер и плоттер) или в компьютерах типа laptop или notebook.

 

Вопросы:

 

1. Что представляет собой устройство память?

2. Какие виды памяти вы знаете?

3. Что означает ПЗУ?

4. Что означает ОЗУ?

5. Опишите принцип организации оперативной памяти.

6. Какие модули памяти вы знаете?

7. В чем их принципиальное отличие?

 

1. Мониторы на базе электронно-лучевой трубки.

 

Монитор – устройство для наблюдения за результатами действий вычислительной системы при помощи дисплейного блока, на который поступает видеосигнал с видеоадаптера компьютера.

Все современные мониторы можно разделить на три класса по их физическому принципу действия:

1) мониторы на базе электронно-лучевой трубки (CRT);

2) жидкокристаллические дисплеи (LCD);

3) газоплазменные мониторы.

Принцип действия монитора на базе электронно-лучевой трубки мало отли­чается от принципа действия обычного телевизора и заключается в том, что испускаемый катодом (электронной пушкой) пучок электронов, попадая на экран, покрытый люминофором, вызывает его свечение. На пути пучка элек­тронов обычно находятся дополнительные электроды: модулятор, регулирую­щий интенсивность пучка электронов и связанную с ней яркость изображе­ния, и отклоняющая система, позволяющая изменять направление пучка.

Любое текстовое или графическое изображение на экране мони­тора компьютера (так же, как и телевизора) состоит из множества дискретных точек люминофора, представляющих собой минимальный элемент изображе­ния (растра) и называемых пикселами. Такие мониторы называют растровы­ми. Электронный луч в этом случае периодически сканирует весь экран, обра­зуя на нем близко расположенные строки развертки. По мере движения луча по строкам видеосигнал, подаваемый на модулятор, изменяет яркость свето­вого пятна и образует некоторое видимое изображение. Разрешающая способ­ность монитора определяется числом элементов изображения, которые он может воспроизводить по горизонтали и вертикали, например 640х480 или 1024х768 пикселов.

Для формирования растра в мониторе используются специальные сигналы. В цикле сканирования луч движется по зигзагообразной траектории от левого верхнего угла до правого нижнего. Прямой ход луча по горизонтали осущест­вляется сигналом строчной (горизонтальной – Н.Sync) развертки, а по вер­тикали – кадровой (вертикальной – V.Sync) развертки. Перевод луча из край­ней правой точки строки в крайнюю левую точку следующей строки (обрат­ный ход луча по горизонтали) и из крайней правой позиции последней стро­ки экрана в крайнюю левую позицию первой строки (обратный ход луча по вертикали) осуществляется специальными сигналами обратного хода.

Таким образом, принцип действия монитора обусловливает важность следующих пара­метров: частота вертикальной (кадровой) развертки, частота горизонтальной (строчной) развертки и расстояние между точками.

Частота вертикальной развертки. Этот очень важный параметр, называемый также частотой регенерации изображения, определяет, как часто в течение одной секун­ды заново формируется изображение на экране монитора. Если, например, указывается частота 60 Гц, то это означает, что в тече­ние одной секунды изображение формируется заново ровно 60 раз.

Названная в этом примере величина 60 Гц – очень посредст­венное значение для рассматриваемого параметра. При такой час­тоте регенерации изображение нельзя считать устойчивым (без видимого мерцания). Чем выше частота регенерации, тем меньше мерцание на экране монитора и, следовательно, меньше нагрузка на зрение. Эргономичной можно считать частоту регенерации 75 Гц. По мере увеличения диагонали экрана частота регенерации должна быть повышена до 80 или 85 Гц.

Частота горизонтальной развертки. Это второй параметр, значение которого нужно всегда находить в технических характеристиках монитора. Частота строк опреде­ляет, сколько строк формируется на экране монитора в течение одной секунды. Значение данного параметра указывается в кило­герцах (кГц).

Предположим, что вы хотели бы иметь разрешение 1024х768 точек при необходимой частоте регенерации изображе­ния 80 Гц. Это дает: 768х80 = 61 440 строк в секунду.

С учетом 10% потерь на синхронизацию получаем требуемую час­тоту строк 67,6 кГц.

Итак, вы видите, что независимо от того, какой из двух пара­метров – частота регенерации или частота строк – указывается в технических характеристиках, для того чтобы можно было судить об отсутствии мерцания на экране монитора, достаточно знать значение одного из этих параметров.

Расстояние между точками (величина “зерна”). Расстояние междуточками или пикселами определяет удаление друг от друга соседних точек одного цвета (красного, зеленого, си­него) на экране монитора. Чем меньше эта величина, тем резче представляемое изображение. С этим параметром обычно связывается разрешающая способность.

Разрешающая способность (разрешение) – степень точности воспроизведения изображения, часто указывается количеством пикселов, которыми можно управлять независимо.

В зависимости от используемого разрешения на экране мони­тора должно располагаться большее или меньшее число пикселов. Однако здесь имеется и физическое ограничение. Так, при рас­стоянии между точками 0,25 мм число пикселов на экране 14-дюймового монитора просто не может превысить числа пикселов, соответствующего разрешению 800х600 точек. При выборе более высокого разрешения это будет неизбежно приводить к опреде­ленной нерезкости. Будет ли это допустимо и совместимо с часто­той регенерации изображения, должен решать пользователь.

Кроме того, существуют другие крайне важные характеристики: диагональ экрана монитора; потребляемая мощность; антибликовое покрытие.

Диагональю экрана монитора, как и телевизора, называется расстояние между левым нижним и правым верхним углом экрана. Это расстояние измеряется в дюймах. Не следует путать этот параметр с диагональю рабочей области экрана, до­ступной для отображения информации. В отличие от телевизоров многочислен­ные производители под диагональю экрана понимают геометрический размер диагонали электронно-лучевой трубки и не учитывают размеры черного поля, расположенного по периметру экрана. Это черное поле не входит в рабочую об­ласть экрана. Размеры его определяются конструкцией электронно-лучевой трубки.

В качестве стандарта для PC выделились мониторы с диагональю 15". Для работы в Windows с более высоким разрешением, прежде всего, необходимо иметь монитор размером, по крайней мере, 17". Для профессиональной работы с настольными издательскими системами и САПР лучше иметь монитор с диагональю 20" или 21".

Значение потребляемой мощности монитора приводится в его технических характеристиках или, возможно, на стандартном шильдике с обратной сторо­ны корпуса монитора.

У мониторов с диагональю 14" потребляемая мощность не должна превышать 60 Вт. Чем больше потребляемый монитором ток, тем выше его тепловой нагрев. Хотя еще есть мониторы, потребляющие 60–80 Вт, они должны заменяться более экономичными.

Все приведенные выше значения соответствуют мониторам с диагональю 14". Большие по размерам мониторы имеют, соответственно, большую потребляе­мую мощность.

Все мониторы должны иметь антибликовое покрытие. Вряд ли можнопо­лучить хорошую читаемость информации на мониторе без такого свойства его поверхности экрана.

При напылении поверхность экрана обрабатывается при помощи воздуш­ного пистолета, в котором находятся песочные частицы. Такой метод ха­рактерен для дешевых мониторов. Его недостатком является то, что гра­фика и картинки на таком экране не могут быть резкими, изображение становится смазанным и рыхлым.

Лучший способ покрытия кинескопа – это нанесение специального антибли­кового слоя. В этом случае на поверхность экрана электронно-лучевой трубки наносится химическое вещество, обеспечивающее эффект, в результате кото­рого свет не может отражаться от поверхности. Этот метод применяется в таких высокочувствительных приборах, как фотоаппараты, микроскопы, очки и так далее. Этот слой можно узнать по пленке с голубым оттенком.

При подобной обработке поверхность не будет волнистой, как при напыле­нии, а останется без изменения, поэтому контуры изображения будут совер­шенно четкими. Недостатком этого метода являются значительные затраты, необходимые для нанесения антибликового слоя.

Соответствие стандартам безопасности. В настоящее время достаточно распространены мониторы с низким уровнем излучения – так называемые LR-мониторы (Low Radiation). Они отвечают одной из спецификаций международного стандарта, устанавливающих предельные вели­чины статических и низкочастотных полей, излучаемых мониторами.

Спецификация MPR I устанавливает нор­мы в основном для магнитных полей и определяет уровень излучения в поло­се частот от 1 до 400 кГц. Спецификация MPR II, утвержденная в декабре 1990 года, была распространена и на электрические поля. Нормы MPR II значительно строже, чем MPR I. Об этом можно судить из того, что мониторы, удовлетворяющие MPR II, излучают настолько мало, что не могут оказать никакого вредного воздействия на здоровье.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-10-31; Просмотров: 350; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.007 сек.