КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Производительность – относительная эффективность работы компьютера или устройства, определяемая с помощью тестов. 2 страницаОперативная память имеет свои достоинства и недостатки. Благодаря малому времени доступа к памяти скорость обработки данных существенно возрастает. Если бы информация считывалась (соответственно записывалась) только с внешних носителей, то пользователь проводил бы в ожидании завершения выполнения той или иной операции много времени. Недостаток оперативной памяти: она является временной памятью. При отключении питания оперативная память полностью “очищается”, и все данные, не записанные на внешний носитель, будут навсегда потеряны. На заре компьютерного века применялись элементы памяти на кольцевых магнитных сердечниках или на цилиндрических магнитных доменах. Так было до тех пор, пока объем памяти был невелик и для размещения ее элементов не требовалось большого пространства. Только тогда, когда возникла потребность в RAM большего объема, удовлетворить которую было невозможно с помощью обычных модулей, для реализации элементов памяти прибегли к интегральным технологиям. Каждый элемент оперативной памяти PC представляет собой систему электронных ключей и конденсатор, хранящий информацию в виде заряда. Этот конденсатор не идеальный, его емкость не слишком велика, а вследствие того, что он сформирован в толще кристалла кремния, появляются еще и дополнительные сопротивления, через которые заряд стекает с конденсатора (одновременно искажая информацию и в соседних ячейках). Наличие заряда на конденсаторе соответствует логической единице. Время устойчивого хранения информации в ячейке элемента оперативной памяти составляет обычно несколько миллисекунд. После этого информацию необходимо перезаписать. Такая процедура перезаписи и получила название регенерации памяти (Refresh). Рассмотренный технологический процесс базируется на использовании полевых транзисторов, причем каждый из этих транзисторов может хранить единицу информации (бит). Благодаря развитию в микроэлектронике высокоточных технологий в ограниченном объеме полупроводникового кристалла удалось разместить огромное количество полевых транзисторов. Важнейшим критерием работы оперативной памяти является однозначно поддающееся определению размещение информации в совершенно определенных ее областях. Для этого каждый элемент памяти имеет свой адрес, благодаря чему данные без конфликтов располагаются в памяти и могут записываться, считываться вновь и передаваться для дальнейшей обработки. Другим важным отличием элементов оперативной памяти от прочих запоминающих устройств является время доступа, характеризующееся интервалом времени, в течение которого информация записывается в память или считывается из нее. Время доступа для таких внешних носителей данных, как гибкий или жесткий диски выражается в миллисекундах, а для элементов памяти оно измеряется наносекундами. В принципе на материнскую плату можно устанавливать элементы памяти различных изготовителей с различным временем доступа. Однако нужно стараться избегать неоднородного смешения элементов памяти. Время доступа не должно различаться более чем на 10 нс. В противном случае система в процессе своей работы может столкнуться с серьезными проблемами. Опыт подсказывает, что всегда в одном банке необходимо использовать элементы памяти одного и того же производителя. Для нормального функционирования системы между CPU и элементами памяти не должно наступать большое временное рассогласование, обусловленное различным быстродействием этих компонентов. Именно в связи с этим в PC на базе CPU 80486 или Pentium должны устанавливаться элементы памяти со временем доступа 70 нс и меньше. Медленные элементы могут привести к “зависанию” системы. Для решения этой проблемы, исходя из параметров Chipset материнской платы, в CMOS Setup производят ручную или автоматическую установку параметра Wait State. Параметром Wait State (цикл ожидания) устраняется рассогласование между быстродействием элементов памяти и тактовой частотой процессора. Этот параметр указывает, сколько тактов должен пропустить процессор между двумя операциями доступа к шине или к памяти. Дополнительные циклы ожидания могут существенно замедлить работу PC в целом. Так, три дополнительных цикла ожидания (значение параметра Wait State равно 3) применительно к операции доступа к памяти могут привести к потере почти 30% быстродействия. Практически любой IBM PC-совместимый компьютер оснащен оперативной памятью, выполненной на микросхемах динамического типа с произвольной выборкой (DRAM, Dynamic Random Access Memory). Каждый бит такой памяти представляется в виде наличия (или отсутствия) заряда на конденсаторе, образованном в структуре полупроводникового кристалла. В статическом типе памяти (SRAM, Static RAM) в качестве элементарной ячейки памяти используют так называемый статический триггер. Если для реализации одного запоминающего элемента динамической памяти требуется 1–2 транзистора, то для статической их число возрастает до 4–6. Статический тип памяти обладает высоким быстродействием и, как правило, используется в самых “узких” местах системы, например для организации кэш-памяти.
DRAM
Буква D в наименовании этого элемента говорит о том, что он динамический (Dynamic). Однако это ни в коем случае не означает, что этот тип RAM особенно динамичен и запоминаемые данные постепенно “улетучиваются”. В принципе, обозначение для этого элемента памяти не совсем корректно, потому что любой применяемый сегодня тип элемента памяти, за исключением наименований SRAM и NVRAM, относится к динамической RAM. Микросхемы DRAM маркируются цифровым кодом, например 4164 и 4464. В данном случае эти цифры означают, что элементы памяти 4164 и 4464 могут запоминать 64 Кбит и являются первыми и до настоящего времени используемыми микросхемами DRAM. Почти одновременно в 1987 году были изготовлены два новых типа DRAM, которые были обозначены как 41464 и 41256. Эти элементы в состоянии запоминать вчетверо большее количество данных при увеличении их размера всего на 10% (за счет появления дополнительных выводов микросхемы). В 1989 году компания Siemens изготовила первый чип, емкость которого составила 1 Мбит, что превысило емкость чипа 41256 в четыре раза. Но этого компании Siemens оказалось недостаточно, и благодаря использованию новейшей полупроводниковой технологии в жестокой конкурентной борьбе в 1993 г. этой фирмой был изготовлен элемент DRAM емкостью 4 Мбит. Говоря об этом типе RAM, речь идет о микросхеме с так называемым DIP-корпусом, при этом DIP обозначает Dual In-line Package (корпус с двухрядным расположением выводов). Этот термин относится к корпусам памяти, у которых выводы (Pins) расположены по бокам (напоминают жука). Сам кристалл, на котором размещены ячейки памяти, существенно меньше, чем корпус. Данная конструкция корпуса обусловлена такими требованиями, как удобство печатного монтажа и установки микросхемы в панельки на материнской плате, соблюдение температурного режима работы элементов. Важнейшими параметрами микросхем DRAM являются емкость и организация памяти. Элементы DRAM в виде отдельных микросхем обычно устанавливались на старых материнских платах. В настоящее время эти микросхемы используются в качестве таких составных элементов модулей памяти, как SIP-, ZIP-, DIMM- и SIMM-модули. Микросхемы памяти FPM DRAM. Fast Page Mode DRAM – вид памяти, позволяющий сократить чтение/запись блоков данных, расположенных один за другим в памяти. Аббревиатура FPM (Fast Page Mode – быстрый страничный режим) используется для обозначения уже давно известного метода доступа к микросхемам памяти. В обычных динамических микросхемах памяти в силу матричной организации их ячеек памяти доступ к определенной ячейке осуществляется в два этапа. На первом этапе обрабатывается первая половина (младшие разряды) адреса, на втором этапе – вторая половина (старшие разряды). Эти две половины полного адреса ячейки соответствуют определенной строке и определенному столбцу матрицы памяти. Известно, что очень часто следующие друг за другом обращения к памяти осуществляются по адресам ячеек, находящихся в одной и той же строке (странице). При этом за счет изменения RAS/CAS-способа доступа, т.е. способа доступа с использованием стробирующих сигналов выборки адреса строки (Row Address Strobe) и адреса столбца (Column Address Strobe), оказывается возможным внутри одного RAS-цикла длительностью до 100 мкс выполнять достаточно большое число CAS-циклов. Этот способ обеспечивает существенное увеличение быстродействия микросхем FPM DRAM по сравнению с обычными DRAM-микросхемами памяти. Микросхемы памяти EDO RAM. Как уже отмечалось выше, динамические микросхемы со своими “забывчивыми” конденсаторами быстро теряют записанную в них информацию. Для сохранения записанной информации приходится периодически восстанавливать содержимое ячеек памяти, что, естественно, приводит к снижению быстродействия. Изготовители системных плат с помощью оригинального приема пытаются обойти ограничение на быстродействие, связанное с необходимостью регенерации ячеек памяти. Устанавливаются два банка памяти, заполненные одинаковыми микросхемами, доступ к которым осуществляется попеременно. Когда считываются данные из одного банка, микросхемы другого банка находятся в фазе регенерации, и наоборот. При использовании EDO RAM (Extended Data Out) – микросхем памяти с увеличенным временем доступности данных – необходимость в чередовании адресов памяти (Memory Interleave) отпадает. Эти микросхемы могут удерживать записанные в них данные дольше, чем обычные динамические микросхемы. Кроме того, в EDO-микросхемах меньше длительность CAS-цикла. Микросхемы памяти BEDO RAM. EDO RAM – это далеко не последнее достижение в технологии микросхем оперативной памяти. Имеются еще более быстрые пакетные микросхемы EDO RAM (Burst EDO RAM, или BEDO RAM). Преимущество пакетного метода заключается в том, что он реализует некоторую предустановленную последовательность адресов доступа. Поэтому после передачи начального адреса можно отказаться от передачи следующих адресов в пакете. Благодаря этому экономится несколько наносекунд. Именно эта технология уже довольно давно успешно используется в статических микросхемах кэш-памяти. Теперь этот способ применяется и в динамических микросхемах RAM. К сожалению, при использовании BEDO-технологии теряется существующая “почти совместимость” микросхем EDO и широко распространенных FPM DRAM-микросхем памяти, поскольку BEDO-микросхемы требуют совершенно других методов управления. Хотя BEDO RAM в настоящее время самые быстрые микросхемы памяти, к сожалению, на них не обращает внимания ни один из производителей наборов микросхем, и фирма Intel, исходя из критерия совместимости, приняла решение в пользу синхронных динамических микросхем памяти (SDRAM). За исключением набора микросхем Natoma, ни один из наборов микросхем не поддерживает BEDO RAM, да и набор Natoma обеспечивает такую поддержку с некоторыми ограничениями. Синхронные динамические микросхемы памяти SDRAM. Почти все производители микросхем оперативной памяти переходят на разработку и изготовление микросхем SDRAM, или синхронных микросхем DRAM. Их особенностью является то, что все сигналы в них синхронизированы с тактовым сигналом (на внешней тактовой частоте процессора). RDRAM (Rambus DRAM – память Rambus.) Память типа Rambus имеет уникальную технологию и протокол обмена, позволяющие передачу данных по упрощенной шине, которая может работать на очень высокой частоте. Разработчиками Rambus был предложен радикально новый интерфейс памяти – Direct Rambus, который функционирует на порядок быстрее современных DRAM. Архитектура Direct Rambus состоит из трех основных компонентов: контроллер памяти, канал Rambus и RDRAM. Микросхемы RDRAM несколько отличаются от обычных типов динамической памяти. Внутреннее ядро имеет 128-разрядную шину данных, функционирующую на частоте 1/8 системной. Поддержка ядром технологии разбиения банков позволяет представить независимый банк как два сдвоенных, разделяющих общие усилители записи/чтения. Контроллер памяти Rambus обеспечивает поддержку протокола Direct Rambus Channel, управление шиной Rambus и преобразование ее протокола с частотой до 800 МГц в стандартный интерфейс с шинами адреса данных и управления с восьми- или шестнадцатибайтной шиной данных с рабочей частотой до 200 МГц (64 разряда) и до 100 МГц (128 разрядов). Микросхемы RDRAM собираются в модули RIMM. В каждый модуль может быть установлено до 16 микросхем RDRAM (по восемь с каждой стороны). Модули могут иметь объем 32, 64, 128, 256, 512 Mбайт и 1 Гбайт. SIP-модули. Микросхемы DRAM довольно легко и просто устанавливать в PC, однако они занимают много места. С целью уменьшения размеров компонентов PC, в том числе и элементов оперативной памяти, был разработан ряд конструктивных решений, которые привели к тому, что каждый элемент памяти больше не устанавливался в отдельную панель, а совместимые элементы DRAM объединили в один модуль, выполненный на небольшой печатной плате. Технология, реализующая такую конструкцию элементов памяти, называется SMT (Surface Mounting Technology), дословно переводимая как технология поверхностного монтажа. Благодаря ей совместимые элементы DRAM были установлены на одной плате, что, в первую очередь, означало экономию места. В качестве реализации технологии SMT можно назвать так называемые SIP-модули с однорядным расположением выводов (SIP, Single In-line Package). SIP-модули представляют собой небольшую плату с установленными на ней совместимыми чипами DRAM. Такая плата имеет 30 выводов, размеры ее в длину около 8 см и в высоту около 1,7 см. SIP-модули устанавливаются в соответствующие разъемы на материнской плате. Однако при установке и извлечении таких модулей тонкие ножки выводов часто обламываются, и контакт между ножкой и разъемом ненадежен. Это привело к дальнейшему развитию модулей памяти – появлению SIMM-модулей. SIMM-модули. Single In-line Memory Module – односторонний модуль памяти. Когда речь идет о SIMM-модуле, имеют в виду плату, которая по своим размерам примерно соответствует SIP-модулю. Разница прежде всего состоит в конструкции контактов. В отличие от SIP-модуля выводы для SIMM-модуля заменены так называемыми контактами типа PAD (вилка). Эти контакты выполнены печатным способом и находятся на одном краю платы. Именно этим краем SIMM-модули устанавливаются в специальные слоты на материнской плате. Благодаря такой конструкции SIMM-модулей существенно повышается надежность электрического контакта в разъеме и механическая прочность модуля в целом, тем более что все контакты изготовлены из высококачественного материала и позолочены. Отказы в работе оперативной памяти чаше всего происходят не из-за повреждения SIMM-модулей, а скорее из-за некачественной обработки контактов разъемов на материнской плате. Кроме того, удобная конструкция SIMM-модулей позволяет пользователям самостоятельно менять и добавлять элементы памяти, не опасаясь повредить выводы. DIMM – Dual In-line Memory Module – двухсторонний модуль памяти.
SRAM
Элементы SRAM в общем и целом идентичны элементам памяти DRAM, за исключением того, что они не нуждаются в регенерации памяти (Refresh). Буква S в названии обозначает Static (статический). Если бы SRAM устанавливалась в качестве оперативной памяти, это дало бы, конечно, увеличение быстродействия PC. Однако и существенно изменилась бы его стоимость, поскольку стоимость микросхем SRAM значительно выше стоимости DRAM и прямо пропорциональна быстродействию. Так, время доступа к DRAM составляет от 60 до 100 наносекунд, а время доступа к SRAM – от 15 до 25 нс. Поэтому элементы SRAM устанавливают только для выполнения специальных задач, важнейшими из которых можно назвать применение в качестве кэш-памяти и памяти для параметров BIOS. Так же как и DRAM, элементы SRAM в некотором роде являются “временной” памятью. Для того чтобы данные оставались неизменными при отключении основного питания, должно быть обеспечено гарантированное питание от аккумулятора. При этом потребляемый элементами SRAM ток настолько мал, что содержимое памяти (при наличии аккумулятора) остается неизменным около двух лет, даже если система за это время ни разу не включалась.
NVRAM
NVRAM используют для долговременного хранения данных, которые ни при каких обстоятельствах не должны быть утеряны. Буквы NV обозначают Non Volatile, т.е. “не временная”. Элементы NVRAM не нуждаются в обеспечении электропитанием и сохраняют свое содержимое в течение длительного времени.
ZIPRAM и другие типы элементов памяти
Наряду с описанными выше типами элементов памяти имеются еще и другие компоненты разных изготовителей, которые устанавливаются, как правило, в системы нестандартной конфигурации. В случае ZIPRAM речь идет об обычных микросхемах DRAM, имеющих корпус типа ZIP. Корпус элементов ZIPRAM (ZIP – Zigzag In-line Package) сконструирован таким образом, что выводы микросхемы расположены в один ряд в шахматном порядке с одной стороны корпуса. Микросхемы ZIPRAM устанавливаются в специальные панельки на материнской плате. Преимущество конструкции этих элементов памяти заключается в более эффективном использовании пространства внутри корпуса PC по сравнению с обычными элементами DRAM. Вследствие этого ZIPRAM устанавливались в основном в компьютеры типа laptop и notebook. SRAM
Элементы SRAM в общем и целом идентичны элементам памяти DRAM, за исключением того, что они не нуждаются в регенерации памяти (Refresh). Буква S в названии обозначает Static (статический). Если бы SRAM устанавливалась в качестве оперативной памяти, это дало бы, конечно, увеличение быстродействия PC. Однако и существенно изменилась бы его стоимость, поскольку стоимость микросхем SRAM значительно выше стоимости DRAM и прямо пропорциональна быстродействию. Так, время доступа к DRAM составляет от 60 до 100 наносекунд, а время доступа к SRAM – от 15 до 25 нс. Поэтому элементы SRAM устанавливают только для выполнения специальных задач, важнейшими из которых можно назвать применение в качестве кэш-памяти и памяти для параметров BIOS. Так же как и DRAM, элементы SRAM в некотором роде являются “временной” памятью. Для того чтобы данные оставались неизменными при отключении основного питания, должно быть обеспечено гарантированное питание от аккумулятора. При этом потребляемый элементами SRAM ток настолько мал, что содержимое памяти (при наличии аккумулятора) остается неизменным около двух лет, даже если система за это время ни разу не включалась.
NVRAM
NVRAM используют для долговременного хранения данных, которые ни при каких обстоятельствах не должны быть утеряны. Буквы NV обозначают Non Volatile, т.е. “не временная”. Элементы NVRAM не нуждаются в обеспечении электропитанием и сохраняют свое содержимое в течение длительного времени.
ZIPRAM и другие типы элементов памяти
Наряду с описанными выше типами элементов памяти имеются еще и другие компоненты разных изготовителей, которые устанавливаются, как правило, в системы нестандартной конфигурации. В случае ZIPRAM речь идет об обычных микросхемах DRAM, имеющих корпус типа ZIP. Корпус элементов ZIPRAM (ZIP – Zigzag In-line Package) сконструирован таким образом, что выводы микросхемы расположены в один ряд в шахматном порядке с одной стороны корпуса. Микросхемы ZIPRAM устанавливаются в специальные панельки на материнской плате. Преимущество конструкции этих элементов памяти заключается в более эффективном использовании пространства внутри корпуса PC по сравнению с обычными элементами DRAM. Вследствие этого ZIPRAM устанавливались в основном в компьютеры типа laptop и notebook. Однако в настоящее время в качестве элементов памяти преимущественно используются SIMM- или DIMM-модули, которые дают еще большую экономию пространства внутри PC. Наряду с ZIPRAM имеются еще и другие типы элементов памяти, которые отличаются от описанных выше типов, в первую очередь, своей конструкцией. По своему функциональному назначению они почти все аналогичны DRAM или SRAM. Блоки памяти, или платы памяти, такие, как RAM-РАС или RAM-Cartridges, редко устанавливают в качестве оперативной памяти. В основном они используются для расширения памяти периферийных устройств PC (принтер и плоттер) или в компьютерах типа laptop или notebook.
Вопросы:
1. Что представляет собой устройство память? 2. Какие виды памяти вы знаете? 3. Что означает ПЗУ? 4. Что означает ОЗУ? 5. Опишите принцип организации оперативной памяти. 6. Какие модули памяти вы знаете? 7. В чем их принципиальное отличие?
1. Мониторы на базе электронно-лучевой трубки.
Монитор – устройство для наблюдения за результатами действий вычислительной системы при помощи дисплейного блока, на который поступает видеосигнал с видеоадаптера компьютера. Все современные мониторы можно разделить на три класса по их физическому принципу действия: 1) мониторы на базе электронно-лучевой трубки (CRT); 2) жидкокристаллические дисплеи (LCD); 3) газоплазменные мониторы. Принцип действия монитора на базе электронно-лучевой трубки мало отличается от принципа действия обычного телевизора и заключается в том, что испускаемый катодом (электронной пушкой) пучок электронов, попадая на экран, покрытый люминофором, вызывает его свечение. На пути пучка электронов обычно находятся дополнительные электроды: модулятор, регулирующий интенсивность пучка электронов и связанную с ней яркость изображения, и отклоняющая система, позволяющая изменять направление пучка. Любое текстовое или графическое изображение на экране монитора компьютера (так же, как и телевизора) состоит из множества дискретных точек люминофора, представляющих собой минимальный элемент изображения (растра) и называемых пикселами. Такие мониторы называют растровыми. Электронный луч в этом случае периодически сканирует весь экран, образуя на нем близко расположенные строки развертки. По мере движения луча по строкам видеосигнал, подаваемый на модулятор, изменяет яркость светового пятна и образует некоторое видимое изображение. Разрешающая способность монитора определяется числом элементов изображения, которые он может воспроизводить по горизонтали и вертикали, например 640х480 или 1024х768 пикселов. Для формирования растра в мониторе используются специальные сигналы. В цикле сканирования луч движется по зигзагообразной траектории от левого верхнего угла до правого нижнего. Прямой ход луча по горизонтали осуществляется сигналом строчной (горизонтальной – Н.Sync) развертки, а по вертикали – кадровой (вертикальной – V.Sync) развертки. Перевод луча из крайней правой точки строки в крайнюю левую точку следующей строки (обратный ход луча по горизонтали) и из крайней правой позиции последней строки экрана в крайнюю левую позицию первой строки (обратный ход луча по вертикали) осуществляется специальными сигналами обратного хода. Таким образом, принцип действия монитора обусловливает важность следующих параметров: частота вертикальной (кадровой) развертки, частота горизонтальной (строчной) развертки и расстояние между точками. Частота вертикальной развертки. Этот очень важный параметр, называемый также частотой регенерации изображения, определяет, как часто в течение одной секунды заново формируется изображение на экране монитора. Если, например, указывается частота 60 Гц, то это означает, что в течение одной секунды изображение формируется заново ровно 60 раз. Названная в этом примере величина 60 Гц – очень посредственное значение для рассматриваемого параметра. При такой частоте регенерации изображение нельзя считать устойчивым (без видимого мерцания). Чем выше частота регенерации, тем меньше мерцание на экране монитора и, следовательно, меньше нагрузка на зрение. Эргономичной можно считать частоту регенерации 75 Гц. По мере увеличения диагонали экрана частота регенерации должна быть повышена до 80 или 85 Гц. Частота горизонтальной развертки. Это второй параметр, значение которого нужно всегда находить в технических характеристиках монитора. Частота строк определяет, сколько строк формируется на экране монитора в течение одной секунды. Значение данного параметра указывается в килогерцах (кГц). Предположим, что вы хотели бы иметь разрешение 1024х768 точек при необходимой частоте регенерации изображения 80 Гц. Это дает: 768х80 = 61 440 строк в секунду. С учетом 10% потерь на синхронизацию получаем требуемую частоту строк 67,6 кГц. Итак, вы видите, что независимо от того, какой из двух параметров – частота регенерации или частота строк – указывается в технических характеристиках, для того чтобы можно было судить об отсутствии мерцания на экране монитора, достаточно знать значение одного из этих параметров. Расстояние между точками (величина “зерна”). Расстояние междуточками или пикселами определяет удаление друг от друга соседних точек одного цвета (красного, зеленого, синего) на экране монитора. Чем меньше эта величина, тем резче представляемое изображение. С этим параметром обычно связывается разрешающая способность. Разрешающая способность (разрешение) – степень точности воспроизведения изображения, часто указывается количеством пикселов, которыми можно управлять независимо. В зависимости от используемого разрешения на экране монитора должно располагаться большее или меньшее число пикселов. Однако здесь имеется и физическое ограничение. Так, при расстоянии между точками 0,25 мм число пикселов на экране 14-дюймового монитора просто не может превысить числа пикселов, соответствующего разрешению 800х600 точек. При выборе более высокого разрешения это будет неизбежно приводить к определенной нерезкости. Будет ли это допустимо и совместимо с частотой регенерации изображения, должен решать пользователь. Кроме того, существуют другие крайне важные характеристики: диагональ экрана монитора; потребляемая мощность; антибликовое покрытие. Диагональю экрана монитора, как и телевизора, называется расстояние между левым нижним и правым верхним углом экрана. Это расстояние измеряется в дюймах. Не следует путать этот параметр с диагональю рабочей области экрана, доступной для отображения информации. В отличие от телевизоров многочисленные производители под диагональю экрана понимают геометрический размер диагонали электронно-лучевой трубки и не учитывают размеры черного поля, расположенного по периметру экрана. Это черное поле не входит в рабочую область экрана. Размеры его определяются конструкцией электронно-лучевой трубки. В качестве стандарта для PC выделились мониторы с диагональю 15". Для работы в Windows с более высоким разрешением, прежде всего, необходимо иметь монитор размером, по крайней мере, 17". Для профессиональной работы с настольными издательскими системами и САПР лучше иметь монитор с диагональю 20" или 21". Значение потребляемой мощности монитора приводится в его технических характеристиках или, возможно, на стандартном шильдике с обратной стороны корпуса монитора. У мониторов с диагональю 14" потребляемая мощность не должна превышать 60 Вт. Чем больше потребляемый монитором ток, тем выше его тепловой нагрев. Хотя еще есть мониторы, потребляющие 60–80 Вт, они должны заменяться более экономичными. Все приведенные выше значения соответствуют мониторам с диагональю 14". Большие по размерам мониторы имеют, соответственно, большую потребляемую мощность. Все мониторы должны иметь антибликовое покрытие. Вряд ли можнополучить хорошую читаемость информации на мониторе без такого свойства его поверхности экрана. При напылении поверхность экрана обрабатывается при помощи воздушного пистолета, в котором находятся песочные частицы. Такой метод характерен для дешевых мониторов. Его недостатком является то, что графика и картинки на таком экране не могут быть резкими, изображение становится смазанным и рыхлым. Лучший способ покрытия кинескопа – это нанесение специального антибликового слоя. В этом случае на поверхность экрана электронно-лучевой трубки наносится химическое вещество, обеспечивающее эффект, в результате которого свет не может отражаться от поверхности. Этот метод применяется в таких высокочувствительных приборах, как фотоаппараты, микроскопы, очки и так далее. Этот слой можно узнать по пленке с голубым оттенком. При подобной обработке поверхность не будет волнистой, как при напылении, а останется без изменения, поэтому контуры изображения будут совершенно четкими. Недостатком этого метода являются значительные затраты, необходимые для нанесения антибликового слоя. Соответствие стандартам безопасности. В настоящее время достаточно распространены мониторы с низким уровнем излучения – так называемые LR-мониторы (Low Radiation). Они отвечают одной из спецификаций международного стандарта, устанавливающих предельные величины статических и низкочастотных полей, излучаемых мониторами. Спецификация MPR I устанавливает нормы в основном для магнитных полей и определяет уровень излучения в полосе частот от 1 до 400 кГц. Спецификация MPR II, утвержденная в декабре 1990 года, была распространена и на электрические поля. Нормы MPR II значительно строже, чем MPR I. Об этом можно судить из того, что мониторы, удовлетворяющие MPR II, излучают настолько мало, что не могут оказать никакого вредного воздействия на здоровье.
Дата добавления: 2014-10-31; Просмотров: 350; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |