Полевые транзисторы со встроенным каналом

Эти транзисторы отличается от предыдущих тем, что токопроводящий канал создают – «встраивают» технологическим путем в виде тонкого полупроводникового слоя, соединяющего исток и сток. В зависимости от типа проводимости подложки транзистор будет иметь канал n - или p -типа. Условные изображения полевых транзисторов этой разновидности представлены на рис. 4.13.

Семейства стоковых характеристик,определяющих зависимость тока i_С от напряжений U_СИ и U_ЗИ, у всех разновидностей полевых транзисторов сходны и отличаются только полярностями внешних источников напряжения в цепях затвора и стока.

Таким образом, изменением напряжения на затворе полевого транзистора любой рассмотренной разновидности можно регулировать величину тока в стоковой цепи.

Транзисторы по своей конструкции являются трехполюсниками. В радиоэлектронных цепях они обычно используются как активные четырехполюсники, для чего один электрод включается общим для входа и выхода, и при функционировании устройств на электродах транзисторов кроме постоянных напряжений и токов действуют переменные напряжения и токи.

а)

б) в)

Рис. 3.13. Полевой транзистор со встроенным каналом:

а) условные обозначения на схемах

б) выходная ВАХ транзистора с каналом n -типа;

в) проходная ВАХ транзистора с каналом n -типа

Дата добавления: 2014-11-16