Тема 1.6.Основы микроэлектроники

Маркировка тиристоров

Первый элемент – буква или цифра, обозначающая материал, из которого изго­товлен тиристор: К или 2 – кремний;

Второй элемент – буква, указывающая класс прибора: Н – динистор;У – тринистор.

Третий элемент – трехзначное число, указывающее группу по I_max:

101…199 – динисторы и тринисторы с током до 0.3 А;

201…299 – динисторы и тринисторы с током до 10 А;

501…599 – симметричные тиристоры с током до 0.3 А;

601…699 – симметричные тиристоры с током до 10 А.

Четвертый элемент – буква, обозначающая группу по параметрам.

Примеры маркировки:

КУ203А – кремниевый (К) тринистор (У) с током до 10 А, буква А определяет разновидность данного прибора;

КН201Б – кремниевый (К) динистор (Н) с током до10 А, буква Б определяет разновидность данного прибора.

Выводы. 1. Тиристор представляет собой полупроводниковый прибор, который используется для переключения в электрических цепях. Для тиристора характерно два устойчивых состояния – открытое и закрытое. 2. При включении тиристора происходит компенсация обратного напряжения на среднем PN -переходе за счет накопления избыточных зарядов, создающих прямое напряжение. 3. В тринисторе происходит включение прибора за счет подачи небольшого управляющего тока. 4. Симметричный тиристор – прибор, который имеет одинаковые вольт-амперные характеристики при различных полярностях приложенного напряжения.

Контрольные вопросы:

1.Как распределяется приложенное к тиристору прямое напряжение между переходами при U_A < U_{A вкл}?

2.Каким образом переключается тиристор из закрытого состояния в открытое?

3.Какова роль управляющего электрода в тринисторе?

4.Какие явления препятствуют увеличению быстродействия тиристора при переключении?

5.С какой целью в тиристорах применяются шунтирование эммитерного перехода базой?

ЛЕКЦИЯ 13: Классификация и технология изготовления интегральных микросхем (ИС), элементы ИС.

В настоящее время интегральные микросхемы широко применяются в аппаратуре радио и проводной связи и вещания, телевидения и радиорелейных линий связи.

Учебный материал данной лекции будет использован в дисциплинах «Цифровые устройства и микропроцессорные системы», «Основы измерительной техники, метрологии и стандартизации», «Коммутационные станции междугородних телефонных сетей», «Многоканальная электросвязь», «Каналообразующая телерафная аппаратура».

Интегральные схемы (ИС) – это функциональный узел, имеющий высокую степень интеграции. Степень интеграции ИС – показатель сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.

Элемент ИС – часть микросхемы, реализующая функцию какого-либо электроэлемента, которая выполнена в едином техническом цикле с другими элементами ИС и не может быть выделена как самостоятельное изделие.

Компонент ИС – часть ИС, реализующая функцию какого-либо электрокомпонента, которая может быть выполнена как самостоятельное изделие.

Классификация ИС

Существуют следующие признаки классификации ИС:

По типу обрабатываемого сигнала: Аналоговые; Цифровые.

По физическому признаку: На биполярных транзисторах; На МДП-транзисторах.

По технологическому принципу изготовления (рисунок 1.46)

ИС

Полупроводниковые

Гибридные

Пленочные

С изоляцией PN-переходом

С изоляцией диэлектриком

Тонкопленочные с дискретными элементами

Толстопленочные с дискретными элементами

Тонкопленочные

Толстопленочные

Рисунок 1.46.-Классификация ИС

По степени интеграции классификация интегральных схем приведена в таблице 1.5.

Таблица 1.5 – Классификаци ИС по степени интеграции

K (Степень интеграции)	N (Число элементов ИС)	Наименование ИС
от	до
			МИС – малая ИС
			МИС – малая ИС
			СИС – средняя ИС
			БИС – большая ИС
		и более	СБИС – сверхбольшая БИС

Полупроводниковая ИС – все элементы ее (транзисторы, резисторы, конденсаторы, диоды) и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводника

Гибридные ИС – пассивные элементы выполнены на поверхности диэлектрика методом тонкопленочной или толстопленочной технологии, а активные элементы это бескорпусные транзисторы и диоды (миниатюрные), выполненные в виде навесных элементов (компонентов).

Пленочная ИС – содержит только пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, индуктивности) изготовленные методом пленочной технологии.

Существуют совмещенные ИС – полупроводниковые ИС, в которых пассивные элементы выполнены методом тонкопленочной технологии.

Преимущества ИС: высокая надежность; уменьшение массы и габаритов аппаратуры; уменьшение энергопотребления уменьшение себестоимости аппаратуры.

Дата добавления: 2014-11-16