С управляющим p-n переходом

Структура и топология полевого транзистора

ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ

С УПРАВЛЯЮЩИМ p-n ПЕРЕХОДОМ

ИЗУЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3

Цель работы: изучение статических вольтамперных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n переходом (ПТУП), определение его основных параметров. Исследование работы полевого транзистора в усилительном каскаде.

Для изготовления по планарной технологии n-канальных ПТУП на сильно легированной подложке P⁺-типа наращивают тонкий эпитаксиальный слой материала n-типа с низким содержанием донорной примеси. В этом слое формируются n⁺- области под контакты истока и стока и p⁺-область затвора (рис.1). Область между двумя p-n переходами, соединяющую исток и сток, называют каналом.

Важнейшие геометрические параметры структуры:L – длина канала; W – ширина канала; h – технологическая толщина канала, т.е. расстояние между металлургическими границами n-слоя канала. При рассмотрении простейшей модели ПТУП его структуру часто представляют так, как изображено на рис.2а.

Важнейшие электрофизические параметры структуры: N_ap – концентрация акцепторной примеси в области затвора; N_dn – концентрация донорной примеси в области канала; μ_n – подвижность основных носителей в области канала.

Внеканальные области не должны влиять на ВАХ полевого транзистора. Для этого необходимо обеспечить малое сопротивление внеканальных областей структуры и омичность контактов.

а) б)

Рис.2. Включение n-канального полевого транзистора с управляющим p-n переходом по схеме с общим истоком. Подложка

приборной структуры соединена накоротко с затвором

Дата добавления: 2014-11-18