Библиографический список. Изучение статических ВАХ моп-транзисторов

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

Изучение статических ВАХ МОП-транзисторов

2.2.1. Познакомьтесь с имеющимися на рабочем месте техническими описаниями приборов, используемых в данной работе. Подключите приборы к лабораторному макету (см. рис. 11) в соответствии со схемой рис.10. Покажите собранную установку преподавателю и получите разрешение на продолжение работы.

Установите регуляторы напряжений в крайнее левое положение. Включите приборы в сеть и, если требуется, дайте им прогреться. В соответствии с указанием преподавателя выберите тип исследуемого транзистора переключателем макета «Выбор транзистора» и запишите его маркировку в рабочую тетрадь. Получите семейство выходных характеристик МОП-транзистора I_C= I_C(V_СИ) для 4-5 значений напряжения V_ЗИ, разделённых интервалами ~0.5 В для МОП-транзистора со встроенным каналом и ~1 В для МОП-транзистора с индуцированным каналом. Напряжение V_СИ рекомендуется изменять в пределах от 1 В до 9 В. Результаты измерений представьте в виде таблицы и семейства графиков.

2.2.2. Для каждого исследуемого МОП-транзистора перестроением выходных характеристик получите графики передаточных характеристик I_{С НАС}=f(V_ЗИ) при V_СИ=const для 3-4 значений напряжения сток-исток, выбранных в пологой части кривых I_C=I_C(V_СИ).

2.2.3. Для МОП-транзистора с индуцированным каналом, используя передаточные характеристики, оцените пороговое напряжение V_{ЗИ ПОР}, выполняя линейную экстраполяцию передаточной кривой в области больших токов стока к оси напряжений V_ЗИ.

3.1. Примеры структуры и топологии интегральных МОП-транзисторов.

3.2. Простая идеальная Al/SiO₂/p-Si-структура в состоянии равновесия при отсутствии напряжения на затворе.

3.3. Простая идеальная Al/SiO₂/p-Si -структура при наличии внешнего напряжения на затворе. Режим сильной инверсии. Пороговое напряжение структуры.

3.4. Принцип действия МОП-транзистора с индуцированным каналом.

3.5. Выходные статические вольтамперные характеристики МОП-транзистора с индуцированным каналом.

3.6. Выходные статические вольтамперные характеристики МОП-транзистора со встроенным каналом.

3.7. Передаточные характеристики МОП-транзистора с индуцированным каналом.

3.8. Основные статические параметры МОП - транзисторов.

3.9. Схема измерительной установки и методика измерений. Результаты эксперимента и их анализ.

1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001. – 488 с.: ил.

2. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов/Н.Н. Тугов, В.А. Глебов, Н.А. Чарыков; под ред. В.А. Лобунцова.-М.:Энергоатомиздат, 1990.-576 с.: ил.

3. Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники: учеб. пособие / В.И. Старосельский – М.: Высшее образование; Юрайт-Издат, 2009. – 463 с.

4. Маллер Р. Элементы интегральных схем: пер. с англ. /Р. Малер, Н Кейминс - М.: Мир, 1989.- 630 с.: ил.

5. Гусев В.Г. Электроника / В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. М.: Высш. шк., 1991.

6. Сысоев О.И. Физические основы твёрдотельной электроники /О.И. Сысоев Воронеж: ВГТУ.

СОДЕРЖАНИЕ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3 1

1. Теоретические сведения 1

2. Лабораторное задание №1. Изучение статических характе-

ристик и параметров полевого транзистора с управляющим

p-n переходом 20

3. Лабораторное задание №2. Исследование коэффициента

усиления по напряжению для усилителя на полевом

транзисторе с p-n затвором 24

4. Контрольные вопросы 26

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №4 28

1. Теоретические сведения 28

2. Лабораторное задание. Изучение статических характери-

стик и параметров полевых МОП-транзисторов 46

3. Контрольные вопросы 49

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 50

Дата добавления: 2014-11-18