Описание лабораторной установки

Рисунок 3 Схема лабораторной установки

Источником света служит полупроводниковый (GaAs) лазер (λ = 650 нм). Близкие к параллельном лучи света, идущие от лазера, собираются в фокусе линзы и после этого начинают расширятся. Расширяющийся луч попадает на 2 щели шириной 0,03 мм, рас положенные на расстоянии 0,1 мм друг от друга. Щели выполнены путем нанесения на стекло непрозрачного покрытия.

Рисунок 4. Опыт Юнга.

Внешний вид установки показан на рисунке 4. Установка состоит из оптического столика, на котором закреплена стойка штатива. На стойке закреплено рабочее поле. С помощью угловых подставок установите на вертикально расположенном рабочем поле полупроводниковый лазер, линзу с фокусным расстоянием F= 5 см и оправку с двумя близкорасположенными щелями. На расстоянии 2-3 м от рабочего поля разместите экран.

Включите в сеть блок питания лазера и приступите к юстировке оптической системы. Направьте луч лазера в середину экрана, после чего установите на пути луча собирающую линзу. Луч лазера фокусируется линзой и после фокуса образуется расходящийся пучок света. На экране при этом возникает освещенное пятно диаметром 10-15 см (в зависимости от расстояния до экрана) Перемещая линзу вдоль луча лазера, добейтесь максимально однородного освещения пятна. Оптимальное расположение линзы таково, что положение лазера должно примерно совпадать с фокусом линзы. После этого установите оправку со щелями на расстоянии 7-9 см от линзы и совместите щели с лучом лазера.

На экране сразу появится система интерференционных полос. Перемещая оправку добейтесь наиболее ярких и контрастных полос на экране.

Дата добавления: 2014-11-18