Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Экспериментальных результатов и расчет параметров




Порядок проведения исследований, обработки

Структурные схемы установок для исследований

Исследование прямой ветви ВАХ диода проводят с помощью схемы, приведенной на рис.1.2 а, где G1 - генератор постоянного напряжения для установки прямого тока через диод, РА1 - миллиамперметр для измерения прямого тока диода, PU1 - вольтметр для измерения напряжения на диоде.

Исследование обратной ветви ВАХ диода проводят с помощью схемы, приведенной на рис.1.2 б, где G2 - регулируемый генератор напряжения, прикладываемого к диоду, PU2 - вольтметр для измерения обратного напряжения, РА2 - микроамперметр для измерения обратного тока диода.

 

1. Снять ВАХ диодов типа Д7, Д223 в интервале температур от комнатной до 80°С через каждые 10°С, интервал изменения прямого тока от 0 до максимально возможного через 5 мА, интервал изменения обратного напряжения от 0 до 15 В через 1-2 В.

2. Начертить ВАХ германиевого диода при разных температурах на одном графике. То же самое сделать для кремниевого диода на другом графике.

3. Определить напряжение отсечки при комнатной температуре и построить по ним энергетические диаграммы р-n-переходов.

4. Зная диаметр р-n-перехода, по экспериментальной величине тока насыщения оценить удельное сопротивление германия n-типа, найти контактную разность потенциалов и сопоставить полученный результат с п.3.3.

5. Определить дифференциальное сопротивление диода и построить зависимость .

6. Для германиевого диода рассчитать прямую ветвь ВАХ, зная ток насыщения, и нанести на график рядом с экспериментально снятой.

7. Для кремниевого диода построить зависимость при комнатной температуре и записать в общем виде зависимость

8. Построить зависимости для германиевого и кремниевого диодов при . По наклону полученных прямых оценить величину энергии активации.

9. Рассчитать величину тока насыщения для германиевого диода при комнатной температуре. Сравнить полученный результат с экспериментальным значением обратного тока и объяснить причину расхождения.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-11-20; Просмотров: 417; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.