Краткие теоретические сведения. Тема: Исследование оптических свойств полупроводниковых материалов

Лабораторная работа №4

Тема: Исследование оптических свойств полупроводниковых материалов.

Цель: Изучить электронные свойства полупроводниковых приборов в зависимости от воздействия света различной длины волны.

Световая энергия, поглощаемая полупроводником, вызывает появление в нем избыточного (по сравнению с равновесным при данной температуре) количества носителей зарядов, приводящего к возрастанию электропроводности.

В современной электронной технике широко используются полупроводниковые приборы, основанные на принципах фотоэлектрического преобразования сигналов.

Фотоэлектрическими приборами называют электронные приборы, в которых осуществляется преобразование светового излучения в электрический ток.

При освещении электронно-дырочного перехода и примыкающих к нему участков полупроводников между ними возникает электродвижущая сила. Этот эффект называют фотогальваническим.

Рассмотрим р-п структуру, в которой р-п переход и непосредственно прилегающая к нему часть р и п областей подвергаются воздействию света (рис.4.2). Поток падающих на полупроводник фотонов создает в нем некоторое количество подвижных носителей зарядов электронов и дырок. Часть из них диффундируя к переходу, достигает его границы, не успев рекомбинировать. На границе перехода электронно-дырочные пары разделяются электрическим полем перехода. Неосновные носители, для которых поле р-п перехода является ускоряющим, выбрасываются этим полем за переход: дырки в р, а электроны в п области. Основные носители зарядов задерживаются полем перехода в своей области. В результате происходит накопление нескомпенсированных зарядов и на р-п переходе создается добавочная разность потенциалов, называемая фотоэлектродвижущей силой (фото-э.д.с.).

Величина фото-э.д.с. зависит от светового потока Ф ( рис. 4.2): обычно она составляет 0,12-0,18В, а в некоторых случаях она достигает 0,5-1,0В.

Если цепь р-п структуры при этом замкнута, то в ней под действием фото-э.д.с. создается электрический ток, величина которого зависит, как и фото-э.д.с. от светового потока, а так же от сопротивления нагрузки.

Фотогальванический эффект используется в вентильных фотоэлементах, фотодиодах и фототранзисторах, изготовленных на основе селена, германия, кремния, сернистого галлия, сернистого серебра.

Типы фотоэлементов. Свойство р-п перехода преобразовывать световую энергию в электрическую практически используется в фотоэлектрических приборах, которые называются полупроводниковыми фотоэлементами.

Селеновый фотоэлемент состоит из тонкого слоя селена, нанесенного на железную или медную пластину и покрытого сверху полупрозрачным слоем золота. Селеновые фотоэлементы имеют спектральную характеристику, близкую к кривой чувствительности человеческого глаза, благодаря чему их широко используют в светотехнической фотометрии в качестве датчиков освещенности. Интегральная чувствительность селеновых элементов составляет 80-60мкА/лм.

Кремниевые фотоэлементы, имеющие аналогичное устройство и обладающие высоким КПД применяют для прямого преобразования солнечной энергии в электрическую. Такой прибор, называемый солнечным фотоэлементом, может отдавать мощность до 100Вт с 1м² освещенной поверхности при напряжении порядка 0,3В на элемент. Совокупность электрически соединенных солнечных фотоэлементов называют солнечной фотобатареей.

Фотопроводимостью называют увеличение электрической проводимости вещества под действием электромагнитного излучения.

В фотопроводимости обнаруживается квантовая природа света. Энергия кванта света фотона (для того чтобы перевести электроны из валентной зоны в зону проводимости) должна удовлетворять условию:

,

где h – постоянная Планка,

λ – длина волны, мкм,

∆W – ширина запрещенной энергетической зоны полупроводника,

υ_кр -критическая частота электромагнитного излучения.

Излучение с частотой υ< υ_кр не может вызвать фотопроводимость, так кА энергия кванта такого излучения hυ<∆W недостаточна для перевода электрона из валентной зоны в зону проводимости. Если же hυ>∆W, то избыточная относительно запрещенной зоны часть энергии передается электронам в виде кинетической энергии.

Критической частоте υ_кр соответствует граничная длина волны волны.

,

где с – скорость света (3·10⁸м/с). При длинах волн, больших граничной, фотопроводимость резко падает. Так для германия граничная длина волны составляет примерно 1,8мкм.

Частотная зависимость фотопроводимости. Как видно из рисунка 4.3 в области малых длин (левее максимума кривой) наблюдается спад фотопроводимости. Это объясняется быстрым увеличением коэффициента поглощения с ростом частоты и уменьшением глубины проникновения падающей на тело электромагнитной энергии.

При длинах волн, превышающих граничную, энергии квантов оказываются недостаточными для образования электронно-дырочных пар, и простые полупроводники можно считать прозрачными в этих областях спектра.

Дата добавления: 2014-12-10