Электроники

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ

Учебное пособие по немецкому языку

LITERATURVERZEICHNIS

1. Басова Н.В., Ватлина Л.И., Гайвоненко Т.Ф., Лысогорская Л.Е., Тимошенко В.Я., Шупляк Л.В. Немецкий для технических вузов. Учебник: 5-е изд. – Ростов н/Д: Феникс, 2005. – 512 с.

2. Ковалевский Р.Л., Шамне Н.Л. Немецкий язык: Основной курс. – Волгоград: Издательство Волгоградского государственного университета, 1997. – 352 с.

3. Лебедев В.Б. Знакомьтесь: Германия. М., Высшая школа, 2000.

4. Методические указания по грамматике немецкого языка для студентов всех специальностей / сост.: В. В. Ганихина, С. В. Голод, Т. А. Карпова, И. Г. Овчарова, Т. И. Чечет, Н. А. Чиркина / ВолгГТУ. – Boлгоград, 2007. – 16 c.

5. Миллер Е.Н. Большой универсальный учебник немецкого языка. – Ульяновск: Изд-во ООО «Язык и литература», 3-е издание, стереотипное, 2003. – 648 с.

6. Немецкий за три недели. Deutsch in drei Wochen. Базовый курс/под. ред. Эриха Келлера и Шмидта К.А./- Москва: АФОН Паблишинг, 3-е изд.2004. – 193 с.

7. Степанов В.Д. Немецкий язык для студентов технических вузов: Учеб. пособие/В.Д. Степанов; Под редакцией И.В. Козырева. – М.: высш. шк., 2004. – 320 с.

8. Строкина Т.С. 85 устных тем по немецкому языку. – М.: Рольф, 2000. – 224 с.

9. Kuhne, Berthold. Grundwissen Deutschland: kurze Texte und Übungen / Berthold Kuhne. – München: Ludicium Verlag GmbH, 2000. – 167 S.

10. München. Reiseführer ADAC. Lillian Schacherl, Josef H. Biller. 2002.

11. Peter von Zahn. Deutschland: eine touristische Bilderreise. – Köln: Ziethen Verlag GmbH, 2003. – 65 S.

12. Wer? Was? Wann? Wo? Das D-A-CH-Landeskunde Quiz. Peter Lege. Langenscheidt. Berlin, 2005.

13. http://www.de.wikipedia.org/wiki/

14. http://www.grammade.ru/

15. http://www.expressantwort.com

16. http://www.ru.mdz-moskau.eu

17. http://www.russland.ahk.de

18. http://www.slideshare.net/

У ч е б н о е и з д а н и е

Тамара Ивановна Чечет

Алла Викторовна Коноваленко

Екатерина Юрьевна Джандалиева

Высоцкая Инна Владимировна

Ребрикова Ольга Михайловна

для студентов всех специальностей

Редактор

Темплан 2011 г., поз. №

Лицензия ИД № 04790 от 18.05.2001г.

Подписано в печать г. Формат 60 84/16. Бумага газетная.

Гарнитура Times Печать офсетная Усл.-п.л.. Уч.-изд.л. л..

Тираж экз. Заказ.

Волгоградский государственный технический университет

400131, г. Волгоград, пр. Ленина, 28

РПК «Политехник»

Волгоградский государственный технический университет

400131, г. Волгоград, ул. Советская, 35

Учебное пособие

для специальностей 071 700, 200 700,

200 800, 200 900, 201 000, 201 100, 201 200, 201 400

Новосибирск

УДК 621.385

Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов.

ктн, доц. В.Л. Савиных,

Для студентов дневной и заочной форм обучения специальностей 071700, 200700, 200800, 200900, 201000, 201100, 201200, 201400.

Кафедра технической электроники.

Ил. 8, табл. 11, список лит. 4 назв.

Рецензент ктн, доц. Матвеев В.А.

Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве

учебного пособия

[нет1]

@ Сибирский государственный

университет телекоммуникаций

и информатики, 2003 г.

[нет2]

Содержание

Введение………………………………………………………

1 Основы теории электропроводности полупроводников.......

1.1 Общие сведения о полупроводниках....................................

1.1.1 Полупроводники с собственной проводимостью..............

1.1.2 Полупроводники с электронной проводимостью.............

1.1.3 Полупроводники с дырочной проводимостью..................

1.2 Токи в полупроводниках....................................................

1.2.1 Дрейфовый ток...................................................................

1.2.2 Диффузионный ток...........................................................

1.3 Контактные явления...........................................................

1.3.1 Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия

1.3.2 Прямое включение p-n перехода......................................

1.3.3 Обратное включение p-n перехода.................................

1.3.4 Теоретическая характеристика p-n перехода...........................

1.3.5 Реальная характеристика p-n перехода............................

1.3.6 Ёмкости p-n перехода......................................................

1.4 Разновидности p-n переходов..........................................

1.4.1 Гетеропереходы...........................................................

1.4.2 Контакт между полупроводниками одного типа проводимости

1.4.3 Контакт металла с полупроводником..........................................

1.4.4 Омические контакты...................................................................

1.4.5 Явления на поверхности полупроводника..............................

2 Полупроводниковые диоды.....................................................

2.1 Классификация.......................................................................

2.2 Выпрямительные диоды.......................................................

2.3 Стабилитроны и стабисторы.................................................

2.4 Универсальные и импульсные диоды...................................

2.5 Варикапы..............................................................................

3 Биполярные транзисторы...........................................................

3.1 Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.....

3.1.1 Общие сведения..............................................................................

3.1.2 Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе

3.2 Статические характеристики биполярных транзисторов.........

3.2.1 Схема с общей базой...............................................................

3.2.2 Схема с общим эмиттером........................................................

3.2.3 Влияние температуры на статические характеристики БТ.....

3.3 Дифференциальные параметры биполярного транзистора..................

3.4 Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора......

3.5 Частотные свойства биполярного транзистора...................................

3.6 Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов.

3.7 Работа транзистора в усилительном режиме......................................

3.8 Особенности работы транзистора в импульсном режиме..................

3.8.1 Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды..............................................................................................

3.8.2 Работа транзистора в режиме переключения.................................

3.8.3 Переходные процессы при переключении транзистора..............

4 Полевые транзисторы..............................................................

4.1 Полевой транзистор с p-n переходом........................................

4.2 Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП-ранзистор)...

Литература..............................................................................................

Дата добавления: 2014-11-29