Курсовая работа. Рекомендации по техническому оформлению работы

РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА

Рекомендации по техническому оформлению работы

При оформлении курсовой работы строго руководствоваться следующими нормативными документами:

1. ГОСТ 7.32-2001 (в редакции 2006 г.) Межгосударственный стандарт «ОТЧЁТ О НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ» Структура и правила оформления.

2. ГОСТ 7.82-2001 Межгосударственный стандарт «БИБЛИОГРАФИЧЕСКАЯ ЗАПИСЬ. БИБЛИОГРАФИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ РЕСУРСОВ» Общие требования и правила оформления.

Работа выполняется на листах формата А4 (210 х 297), которые брошюруются в единый блок. Выдерживаются поля: левое – 30 мм, правое – 10 мм, верхнее и нижнее – 20 мм. Абзацы в тексте начинаются отступом, равным пяти знакам (1,25 мм).

Текст набирается на компьютере в текстовом редакторе MS Word ХР/2003, язык русский по умолчанию, шрифт Times New Roman, размер шрифта 14, через одинарный интервал. Статистическая информация и расчетные таблицы оформляются в MS Exсel: версия не ниже 5.0. Рисунки выполняются чертежным инструментом или в любом графическом редакторе в формате рисунка.

Разделы должны иметь порядковые номера в пределах всей работы и обозначаться арабскими цифрами с точкой. Подразделы (или параграфы) должны иметь нумерацию в пределах каждого раздела (главы). Например: 2.1 – второй раздел, первый подраздел (или параграф). Заголовки разделов (глав) располагаются по центру страницы и оформляются прописными буквами (шрифт 14, жирный).

Заголовки подразделов записываются строчными буквами, кроме первой прописной, шрифт 14, жирный.

Оформление рисунков и формул. В целях унификации подхода к оформлению используемых диаграмм, графиков, фотоматериалов их принято обозначать рисунками. Например:

Рисунок 2.4 - Диаграмма Мозли

Цифра 2 в нумерации рисунка обозначает номер главы (раздела), цифра 4 – номер рисунка в этой главе. Подпись под рисунком располагается по центру строки. Обратите внимание, что в названии рисунка, как и в названии глав, разделов и т.д. точка в конце не ставится!

Нумерация формул – аналогичная, например:

ФОРМУЛА (2.3)

Каждый раздел работы (глава) начинается с новой страницы, подразделы располагаются друг за другом вплотную.

Нумерация страниц в работе сквозная. В нумерацию входят все страницы, начиная с титульного листа, но проставляется она со страницы введения с учетом того, что все предыдущие страницы вошли в это число. Номер страницы проставляется арабскими цифрами в центре нижней части листа без точки.

Листы приложения, которые располагаются после списка литературы, не нумеруются, а имеют обозначение в правом верхнем углу: Приложение 1, Приложение 2 и т.д. Приложения подшиваются строго в той последовательности, в какой на них даются ссылки в тексте работы.

Последовательность брошюровки материала: обложка, титульный лист, задание (для курсовой и дипломной работ), реферат (для курсовой и дипломной работ), содержание, текстовая часть, список использованной литературы, приложения, последний лист (для курсовой и дипломной работ).

Все работы сдаются в скрепленном (сброшюрованном, переплетенном) виде. Отзыв и рецензия (для курсовой и дипломной работ) не вшиваются, а прилагаются.

1. Физический энциклопедический словарь/ Гл. ред. А.М. Прохоров. Ред. Кол. Д.М. Алексеев, А.М. Бонч-Бруевич, А.С. боровик-Романов и др. – М.: Сов. Энциклопедия, 1984. 944 с.

2. Батавин, В.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур/ В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. – М.: Радио и связь, 1985. – 264 с., ил. – (Измерения в электронике).

3. Батавин, В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоёв/ В.В. Батавин. – М.: Сов. Радио, 1976 – 104 с.

4. Пирс, К. Технология СБИС: в 2-х т./ К. Пирс, А. Адамс, Л. Кац и др. Под ред. С. Зи; пер. с англ. – М.: Мир, 1986. – Т.1. – 404 с.

5. Таруи, Я. Основы технологии СБИС/ Я. Таруи; пер. с япон. – М.: Радио и связь, 1985. – 480 с.

6. Фелдман, Л. Основы анализа поверхности и тонких плёнок/ Л. Фелдман, Д. Майер; пер. с англ. – М.: Мир, 1989, - 344 с.

7. Юинг Г. Инструментальные методы химического анализа/ Г. Юинг; пер. с англ. – М.: Мир, 1989. - 608 с.

8. Смирнов, С.В. Методы исследования материалов и структур электроники: учеб. пособие/ С.В. Смирнов - Томск: Томский межвузовский центр дистанционного образования, 2006.- 179 с.

9. Пилипенко, В.А. Физические измерения в микроэлектронике/ В.А. Пилипенко, В.Н. Пономарь, В.А. Горушко, А.А. Солонинко. – Мн.: БГУ, 2003. – 171 с.

10. Методы исследования полупроводников/ Ю.В. Воробьёв, В.Н. Добровольский, В.И. Стриха. – К.: Выш. шк. Головное изд-во, 1988. – 232 с.

11. Глудкин, О.П. Технология испытания микроэлементов радиоэлектронной аппаратуры и интегральных микросхем: учеб. пособие для вузов./ О.П. Глудкин, В.Н. Черняев. – М.: Энергия, 1980. – 360 с.

12. Мазель, Е.З. Планарная технология кремниевых приборов/ Е.З. Мазель, Ф.П. Пресс. – М., «Энергия», 1974. – 384 с.

13. Малышева, И.А. Технология производства микроэлектронных устройств: учебник для техникумов/ И.А. Малышева. – М.: Энергия, 1980. – 448 с.

14. Конников, С.Г. Электронно-зондовые методы исследования полупроводниковых материалов и приборов/ С.Г. Конников, А.Ф. Сидоров. – М.: Энергия, 1978. – 136 с.

15. Раков, А.В. Спектрофотометрия тонкоплёночных полупроводниковых структур/ А.В. Раков. – М.: Сов. Радио, 1975. – 176 с.

16. Кустанович, И.М. Спектральный анализ/ И.М. Кустанович. - М.: Высшая школа. 1962. – 399 с.

17. Скрышевский В.А. Инфракрасная спектроскопия полупроводниковых структур/ В.А. Скрышевский, В.И. Толстой. – К.: Лыбидь, 1991. – 188 с.

18. Уманский, Я.С. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия/ Я.С. Уманский, Ю.А. Скаков, А.Н. Иванов, Л.Н. Расторгуев. – М.: Металлургия, 1982. – 632 с.

19. Рентгенотехника: Справочник: в 2-х т./ Под ред. В.В. Клюева. – М.: Машиностроение, 1980. – Т.1. – 431 с.

20. Рентгенотехника: Справочник: в 2-х т./ Под ред. В.В. Клюева. – М.: Машиностроение, 1980. – Т.2. – 383 с.

21. Киттель, Ч. Введение в физику твёрдого тела/ Ч. Киттель. – М.: Наука, 1978. -789 с.

22. Русаков, А. Рентгенография металлов: учебник/ А. Русаков – М.: Атомиздат, 1976. – 479 с.

23. Лиопо, В.А Рентгеновская дифрактометрия: учеб. пособие/ В.А. Лиопо, В.В. Война. – Гродно: ГрГУ, 2003. – 171 с.

24. Быстров, Ю.А. Технологический контроль размеров в микроэлектронном производстве/Ю.А. Быстров, Е.А. Колгин, Б.Н. Котлецов. – М.: Радио и связь, 1988. – 168 с.

25. Рид, С. Электронно-зондовый микроанализ/ С. Рид. – М.: Мир, 1979. – 423 с.

26. Практическая растровая электронная микроскопия/ Под ред. Дж. Гоулдстейна и Х. Яковица. – М.: Мир, 1978. - 656 с.

27. Горелик, С.С. Рентгенографический и электроннооптический анализ/ С.С. Горелик,Л.Н. Расторгуев, Ю.А. Скаков. – 2-е изд. – М.: Металлургия, 1970. – 366 с.

28. Боровский, И.Б. Локальные методы анализа материалов. И.Б. Боровский, Ф.Ф. Водоватов, А.А. Жуков, В.Т. Черепин. – М.: Металлургия, 1973. – 296 с.

29. Горшков, М.М. Эллипсометрия/ М.М. Горшков. – М.: Сов. Радио, 1974. – 200с.

30. Аззам, Р. Эллипсометрия и поляризованный свет/ Р. Аззам, Н. Башара; пер с англ. – М.: Мир, 1981. – 583 с.

31. Неволин, В.К. Зондовые нанотехнологии в электронике/ В.К. Неволин. – М.: Техносфера, 2005.

32. Миронов, В. Л. Основы сканирующий зондовой микроскопии/ В.Л. Миронов. – 2004. 144 с.

33. Ратхор, Т.С. Цифровые измерения. Методы и схемотехника/ Т.С. Ратхор. – М.:Техносфера, 2006. – 392 с.

Приложение 1

Государственное образовательное учреждение высшего

профессионального образования

«Брянский государственный технический университет»

Кафедра «Электронные, радиоэлектронные

и электротехнические системы»

специальность 210104

«Микроэлектроника и твёрдотельная электроника»

Дата добавления: 2014-12-07