Масочный метод

Методы формирования тонкопленочных структур

Выбор метода формирования конфигураций тонкоплёночных структур зависит от способа нанесения плёнок, плотности размещения элементов и требований по точности, экономичности, производительности и стойкости.

Метод свободной маски

Метод свободной маски применяется при термическом напылении. Маска - тонкий экран из металлической фольги с соответствующими очертаниями, закреплённый в маскодержателе. Маску обычно изготавливают из стали, молибдена, никеля, тантала, бронзы и т.д. электрохимическим, фотохимическим, механическим методом или методом элек­тронно-лучевой обработки. Существуют монометаллические и биметаллические маски (слой бериллиевой бронзы толщиной 100 микрон, покрытый слоем никеля 20 микрон).

К недостаткам метода можно отнести изменение толщины маски и искажение ри­сунка маски в процессе её эксплуатации из-за осаждения распыляемого материала. Кроме того маска искажает электрическое поле, так как является проводящим материалом, что не даёт возможности использовать данный метод для катодного и ионно-плазменного напыления. Следует отметить, что между такой маской и подложкой всегда существует зазор, приводящий к размытости рисунка.

Метод контактной маски

Метод контактной маски заключается в формировании маски на подложке, поверх которой напыляется тонкая плёнка. Необходимая конфигурация элементов достигается при удалении маски.

В зависимости от материала маски существует два способа:

1. Для прямого метода в качестве материала маски используется фото­резист. Конфигурация маски в этом случае формируется фотолитографией.

2. При косвенном методе используется металлическая пленка. Материал маски должен химически не взаимодействовать с материалом тонкой плёнки, об­ладать малым коэффициентом диффузии и легко удаляться с подложки без повреждения тонкоплё­ночного рисунка.

На рисунке показан технологический процесс формирования рисунка методом контактной маски.

Сначала на подложку наносится материал маски (1). Затем наносится слой фоторезиста (2). После этого производится фотолитография: выполняется засвечивание фоторезиста (3); освещённые участки задубливаются, незадубленный фоторезист смывается (4); вытравливается незащищённая часть материала маски (5). Удаляется фоторезист и напыляется плёнка (6). Удаляется маска (7).

Дата добавления: 2014-12-07