Лекция № 11 Корпускулярно-волновой дуализм. Формула де Бройля. Волновые свойства элементарных частиц и принцип неопределённости Гейзенберга

Лекция № 10 Фотоэффект. Эффект Комптона. Линейчатые спектры атомов. Постулаты Бора.

В момент включения питания в коллекторной цепи транзистора VT появляется коллекторный ток, заряжающий емкость С2 контура L2С2. В следующий момент времени заряженный кондер разряжается на катушку индуктивности. В контуре возникают свободные затухающие колебания частотой f₀ = 1 / 2π√L2C2.

Переменный ток контура, проходя через катушку L2, создает вокруг неё переменное магнитное поле, а это поле в свою очередь наводит в катушке L1 переменное напряжение, которое вызывает пульсации тока коллектора транзистора VT. Переменная составляющая коллекторного тока восполняет потери энергии в контуре, создавая на нём усиленное переменное напряжение.

Литература

1. Савельев И.В. Курс общей физики: учеб. пособие в 3-х т. Т. 3: Квантовая оптика. Атомная физика. Физика твердого тела. Физика атомного ядра и элементарных частиц. - 8-е изд., стер. - СПб.: Лань, 2007. - 320 с.

2. Савельев И.В. Курс общей физики: учеб. пособие в 3-х тт. Т. 1: Механика. Молекулярная физика. - 8-е изд., стер. - СПб.: Лань, 2007. - 432 с..

3. Савельев И. В. Курс общей физики. Уч. пособие для втузов. В 5 книгах. М. Астрель/ АСТ 2003 г.

4. Трофимова Т.И. Краткий курс физики: учебное пособие / Т. И. Трофимова. - 7-е изд. - М.: Высшая школа, 2009. - 352 с.

5. Трофимова Т.И. Краткий курс физики с примерами решения задач: учебное пособие / Т. И. Трофимова. - 2-е изд. - М.: КНОРУС, 2011. - 280 с.

6. Савельев И. В. Курс общей физики. Уч. пособие для втузов. В 5 книгах. М. Астрель/ АСТ 2003 г.

Необходимо знать порядок температурных коэффициентов сопротивлений и емкостей пассивных элементов полупроводниковых ИМС, их основные отличия от дискретных пассивных компонентов и уметь изобразить простейшие модели (эквивалентные схемы), учитывающие паразитные эффекты. Особое внимание уделите МДП конденсаторам, широко используемым в самых новейших разработках дискретно-аналоговых МДП БИС. Следует также понимать, что, несмотря на большой разброс номиналов полупроводниковых резисторов и конденсаторов, отношения номиналов в пределах кристалла выдерживаются с достаточно высокой точностью (0,5...3%). Пассивные компоненты полупроводниковых ИМС подробно описаны в [2, с.116-127]. При изучении элементов полупроводниковых ИМС усвойте способы изоляции между ними и их особенности.

Литература

1. Савельев И.В. Курс общей физики: учеб. пособие в 3-х т. Т. 3: Квантовая оптика. Атомная физика. Физика твердого тела. Физика атомного ядра и элементарных частиц. - 8-е изд., стер. - СПб.: Лань, 2007. - 320 с.

2. Савельев И.В. Курс общей физики: учеб. пособие в 3-х тт. Т. 1: Механика. Молекулярная физика. - 8-е изд., стер. - СПб.: Лань, 2007. - 432 с..

3. Савельев И. В. Курс общей физики. Уч. пособие для втузов. В 5 книгах. М. Астрель/ АСТ 2003 г.

4. Трофимова Т.И. Краткий курс физики: учебное пособие / Т. И. Трофимова. - 7-е изд. - М.: Высшая школа, 2009. - 352 с.

5. Трофимова Т.И. Краткий курс физики с примерами решения задач: учебное пособие / Т. И. Трофимова. - 2-е изд. - М.: КНОРУС, 2011. - 280 с.

6. Савельев И. В. Курс общей физики. Уч. пособие для втузов. В 5 книгах. М. Астрель/ АСТ 2003 г.

Дата добавления: 2014-12-07