Лекция № 12 Атом и молекула водорода в квантовой теории. Уравнение Шредингера. Энергетические уровни. Принцип Паули. Ионная и ковалентная связи

На основе интегральных логических элементов реализуются интегральные логические триггеры. Функциональное отличие триггера от логического элемента состоит в том, что триггер обладает двумя устойчивыми состояниями по каждому из выходов. Перевод триггера из одного устойчивого состояния в другое возможны при определенной логической комбинации входных сигналов. По логической структуре переключения различают типы триггеров. Необходимо знать принципы их построения и типы.

Триггер является элементарной ячейкой запоминающих устройств. Следует различать типы запоминающих устройств и их основные параметры.

Разнообразие видов триггеров объясняется их применением для построения арифметических и логических устройств.

Дальнейшее совершенствование цифровых ИМС с целью улучшения технико-экономических показателей возможно за счет схемотехнических и технологических приемов

Литература

Литература

1. Савельев И.В. Курс общей физики: учеб. пособие в 3-х т. Т. 3: Квантовая оптика. Атомная физика. Физика твердого тела. Физика атомного ядра и элементарных частиц. - 8-е изд., стер. - СПб.: Лань, 2007. - 320 с.

2. Савельев И.В. Курс общей физики: учеб. пособие в 3-х тт. Т. 1: Механика. Молекулярная физика. - 8-е изд., стер. - СПб.: Лань, 2007. - 432 с..

3. Савельев И. В. Курс общей физики. Уч. пособие для втузов. В 5 книгах. М. Астрель/ АСТ 2003 г.

4. Трофимова Т.И. Краткий курс физики: учебное пособие / Т. И. Трофимова. - 7-е изд. - М.: Высшая школа, 2009. - 352 с.

5. Трофимова Т.И. Краткий курс физики с примерами решения задач: учебное пособие / Т. И. Трофимова. - 2-е изд. - М.: КНОРУС, 2011. - 280 с.

6. Савельев И. В. Курс общей физики. Уч. пособие для втузов. В 5 книгах. М. Астрель/ АСТ 2003 г.

Лекция № 13 Квантовая электроника. Спонтанное и вынужденное излучение. Лазеры.

Основу биполярных полупроводниковых ИМС составляют n-p-n транзисторы. Отличия параметров и характеристик интегрального n-p-n транзистора от дискретного определяются расположением всех трех выводов на одной поверхности, а также влиянием подложки. Обратите внимание на способы улучшения параметров интегрального n-p-n транзистора, в частности, введение скрытого n-слоя.

Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов, причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода.

Весьма важно для понимания принципов построения современных полупроводниковых цифровых ИМС разобраться с устройством и особенностями активных структур, не имеющих дискретных аналогов: многоэмиттерных и многоколлекторных транзисторов, транзисторов с барьером Шотки.

Литература

Литература

1. Савельев И.В. Курс общей физики: учеб. пособие в 3-х т. Т. 3: Квантовая оптика. Атомная физика. Физика твердого тела. Физика атомного ядра и элементарных частиц. - 8-е изд., стер. - СПб.: Лань, 2007. - 320 с.

2. Савельев И.В. Курс общей физики: учеб. пособие в 3-х тт. Т. 1: Механика. Молекулярная физика. - 8-е изд., стер. - СПб.: Лань, 2007. - 432 с..

3. Савельев И. В. Курс общей физики. Уч. пособие для втузов. В 5 книгах. М. Астрель/ АСТ 2003 г.

4. Трофимова Т.И. Краткий курс физики: учебное пособие / Т. И. Трофимова. - 7-е изд. - М.: Высшая школа, 2009. - 352 с.

5. Трофимова Т.И. Краткий курс физики с примерами решения задач: учебное пособие / Т. И. Трофимова. - 2-е изд. - М.: КНОРУС, 2011. - 280 с.

6. Савельев И. В. Курс общей физики. Уч. пособие для втузов. В 5 книгах. М. Астрель/ АСТ 2003 г.

Дата добавления: 2014-12-07