Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Экспериментальная часть. Характеристики транзистора




Общие сведения

Характеристики транзистора

Свойства транзисторов описываются следующими четырьмя семействами характеристик.

Входная характеристика показывает зависимость тока базы IБ от напряжения в цепи база/эмиттер UБЭ (при UКЭ =const).

Выходная характеристика показывает зависимость тока коллектора IК от напряжения цепи коллектор/эмиттер UКЭ при различных фиксированных значениях тока базы.

Характеристика управления представляет собой зависимость тока коллектора IК от тока базы IБ (при UКЭ = const).

Характеристика обратной связи есть зависимость напряжения цепи база/эмиттер UБЭ, соответствующего различным неизменным значениям тока базы, от напряжения цепи коллектор/эмиттер UКЭ при различных фиксированных значениях тока базы.

 

Задание: исследовать характеристики биполярного транзистора.

 

Последовательность выполнения эксперимента:

•Соберите цепь согласно схеме (рисунок 4.8). Потенциометр 1 кОм используется для регулирования тока базы, резисторы 100 и 47 кОм – для ограничения максимального тока базы. Измерение тока базы IБ и напряжение UБЭ производятся мультиметрами на пределах 200 µА и 2 В соответственно. Регулирование напряжения UКЭ осуществляется регулятором источника постоянного напряжения, ток коллектора IК и напряжение UКЭ измеряются виртуальными приборами (пределы измерения коллектора изменяются в ходе работы по мере необходимости или по подсказкам компьютера).

• Установите первое значение тока базы 20 мА и, изменяя напряжение UКЭ согласно значениям, указанным в таблице 1.2, снимите зависимости IК (UКЭ) и UБЭ (UКЭ). Повторите эти измерения при каждом значении IБ, указанном в таблице.

 

Рисунок 4.8 – Схема для выполнения эксперимента по исследованию входных IБЭ (UБЭ), выходных IК (UКЭ), регулировочных IК (IБ) характеристик, а также
характеристик обратной связи UБЭ (UКЭ) биполярного транзистора

Примечание: характеристика транзистора изменяются в ходе работы из-за его нагрева. Поэтому для большей определенности рекомендуется установить нужные значения IБЭ и UКЭ, выключить на 30 с блок генераторов напряжений, затем включить его и быстро записать показания приборов V1 и А2.

Таблица 1.2 – Таблица результатов измерений

UКЭ, В IБ =20 µА IБ =40 µА IБ =60 µА I =80 µА
IK, мА UБЭ, В IK, мА UБЭ, В IK, мА UБЭ, В IK, мА UБЭ, В
                 
0,5                
                 
                 
                 
                 
                 
                 

 

• На координатной плоскости (рисунок 4.9) постройте графики семейства выходных характеристик IК (UКЭ) и семейство характеристик обратной связи UБЭ (UКЭ), не забыв указать, какому току базы соответствует каждая кривая.

• Установите UКЭ =0 и, изменяя ток базы в соответствии со значениями, указанными в таблице 4.3, снимите зависимость UБЭ (IБ). Увеличьте напряжение UКЭ до 5 В и снова снимите зависимость UБЭ (IБЭ). Повторите этот опыт также при UКЭ =15 В. (При проведении этих измерений также учитывайте примечание к предыдущему опыту.)

• На координатной плоскости (рисунок 4.9) постройте графики входных IБЭ (UБЭ) и регулировочных IК (IБ) характеристик, указав для каждой кривой соответствующие значения UКЭ.

Таблица 4.3 – Таблица результатов измерений

IБ, µА UКЭ =0 В UКЭ =5 В UКЭ =10 В UКЭ =15 В
IK, мА UБЭ, В IK, мА IK, мА UБЭ, В UБЭ, В IK, мА UБЭ, В
                 
                 
                 
                 
                 
                 
                 

Рисунок 1.9 – Семейства входных IБЭ (UБЭ), выходных IК (UКЭ), регулировочных IК (IБ) характеристик, а также семейства характеристик обратной связи UБЭ (UКЭ)
биполярного транзистора

4.4 Установка рабочей точки транзистора и исследование влияния
резистора в цепи коллектора на коэффициент усилия по напряжению
усилительного каскада с общим эмиттером

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-12-07; Просмотров: 422; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.012 сек.