КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Физические процессы в симметричном р-n – переходе
Симметричность перехода обусловлена равенством концентраций основных и неосновных носителей в обоих п/п, создающих р-n – переход. Nn=Pp - основные носители Pn=Np - неосновные носители.
При соприкосновении п/п p– и n– типов градиенты концентрации электронов и дырок на границе будут отличны от 0. dN/dX>0 dP/dX<0 Существование градиента плотности частиц будет вызывать диффузионный поток в сторону меньшей концентрации. Это движение не связано с взаимным отталкиванием одноименно заряженных частиц или взаимным притяжением электронов и дырок. Причиной движения частиц является только различная их концентрация по обе стороны от границы. EК W p eφ0p n W,E p eφк n X 0 x eφ0p ЗП ЗП eφ0n WА WФ WД WФ ЗС ЗС N,P 2L WА WФ Pp NP PN NN ВЗ ВЗ X φ eφк = eφ0p - eφ0n X E X
В результате ухода электронов в полупроводнике n-типа возникает область повышенной концентрации положительных неподвижных зарядов, поскольку вблизи границы остаются ионы. Это область, обеднённая электронами. В полупроводнике p-типа в результате ухода дырок возникает область повышенной концентрации отрицательных зарядов, т.е. область, обеднённая дырками. Двойной слой электрических зарядов по обе стороны границы разделения создаётся за счёт разности потенциалов jК и ЕК. Таким образом, в приконтактной области р-n – перехода образуется слой, обедненный основными носителями и имеющий пониженную электропроводность. Он называется запирающим. Вектор ЕК направлен так, что препятствует диффузионному движению основных носителей. Поле ЕК ускоряет неосновные носители. Под его влиянием дырки легко перемещаются из n-п/п в p-п/п, а электроны – в обратном направлении. Движение неосновных носителей образует дрейфовый ток, направленный навстречу диффузионному току. Возникновение и развитие поля ЕК, а вместе с ним и дрейфового тока будет происходить, пока не установится динамическое равновесие.
Дата добавления: 2014-12-07; Просмотров: 676; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |