Исследование ключевых свойств транзисторов

Работа 4

Статические характеристики МОП транзистора

Работа 3

Цель работы: изучение системы параметров модели МОП транзистора; исследование влияния параметров модели МОП транзистора на вольтамперные характеристики; освоение режима моделирования цепей по постоянному току.

Задание: провести моделирование входной и выходной вольтамперных характеристик МОП транзистора, исследовать влияние параметров модели МОП транзистора на вольтамперные характеристики.

Указания: схемы для моделирования характеристик показаны на рис.7 и рис.8.

Рис.7. Схема для моделирования входной характеристики МОП транзистора

Рис.8. Схема для моделирования выходной характеристики МОП транзистора

Цель работы: изучение системы параметров модели генератора импульсного напряжения (Pulse Source); исследование влияния параметров моделей транзисторов на характеристики ключевой схемы; освоение режима моделирования во временной области.

Задание: провести моделирование во временной области ключевых схем на основе биполярного и (или) МОП транзисторов.

Указания: с импульсными свойствами биполярных и МОП транзисторов можно ознакомиться в монографиях [4,§8.2-§8.3] и [4,§8.7; 5,§8.4.1] соответственно. Схемы ключей для моделирования во временной области показаны на рис.9 и рис.10.

Рис.9. Схема для моделирования ключа на основе биполярного транзистора

Рис.10. Схема для моделирования ключа на основе МОП транзистора

Дата добавления: 2014-12-23