Расчет делителя в цепи базы

Рассчитаем сопротивления делителя R _Б1, R _Б2 в цепи базы. Чем больше будет сквозной ток делителя I _Д = E /(R _Б1 + R _Б2), тем стабильнее будет режим работы при замене транзистора и изменении температуры окружающей среды, но тем больше будет ток, потребляемый каскадом от источника питания, поэтому сквозной ток делителя выбирают из компромиссных соображений. На практике сквозной ток делителя выбирают из условия I _Д = (3÷10) I _{Б рт}.

Рассчитаем сопротивление резистора R _Б2, полагая

U_{R э} = I _{Э рт} R _Э = (I _{К рт} + I _{Б рт}) R _Э = (3.05+0.075)*10^-3 * 0.75*10³ = 2.3 В

Согласно закону Ома, сопротивление резистора

R_Б2

Стандартное значение сопротивления R _Б2 по ряду Е24 – 3.9 кОм

Пересчитаем ток делителя:

=

Рассчитаем сопротивление резистора R _Б1:

=

Ближайшее стандартное значение сопротивления R _Б1 по ряду Е24 – 20 кОм

4. Определение h -параметров транзистора
по статическим характеристикам

По статическим характеристикам транзистора можно определить три из четырех h -параметров: входное сопротивление h _11Э, статический коэффициент передачи тока базы транзистора h _21Э и выходную проводимость h _22Э.

Входное сопротивление

h _11Э = Δ U _БЭ / Δ I _Б = Ом = 1.67 кОм

при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора (U _КЭ = const) определяют по входным характеристикам транзистора. Для этого задаем приращение напряжения база-эмиттер Δ U _БЭ симметрично относительно рабочей точки и определите соответствующее приращение тока базы Δ I _Б.(Рис.3)

Приращение Δ U _БЭ берем как можно больше, но не заходя на явно нелинейные участки входной характеристики.

Статический коэффициент передачи тока базы транзистора

h _21Э = Δ I _К / Δ I _Б =

при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора (U _КЭ = const) определяем по выходным характеристикам транзистора. Для нахождения параметра h _21Э необходимо задать приращение тока базы Δ I _Б и определить соответствующее приращение тока коллектора Δ I _К. (Рис.4)

Поскольку параметр h _21Э определяется при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора, то приращение тока базы надо задать так, чтобы токи базы отвечали условию U _КЭ = U _{КЭ рт} = const, а для этого они должны лежать на вертикальной прямой, проходящей через рабочую точку.

Выходная проводимость

h _22Э = Δ I _К / Δ U _КЭ = См

в режиме холостого хода на входе транзистора (I _Б = const) определяют также как и параметр h _21Э по выходным характеристикам транзистора. Для нахождения параметра h _22Э необходимо задать приращение напряжения коллектор-эмиттер Δ U _КЭ и определить соответствующее приращение тока коллектора Δ I _К (Рис.4). Условию I _Б = const будут отвечать точки, лежащие на выходной характеристике, проходящей через рабочую точку транзистора. Поскольку выходные характеристики линейны в широком диапазоне напряжений, то приращение Δ U _КЭ может быть достаточно большим, при этом его симметричность относительно рабочей точки не имеет значения. Четвертый параметр – коэффициент обратной связи по напряжению h _12Э по приводимым в справочниках статическим характеристикам определить невозможно. У маломощных транзисторов коэффициент обратной связи по напряжению h _12Э = (1÷10) 10^–4.

Транзистор КТ301В

I_б мА

ΔU_бэ

ΔI_б

РТ

U_{бэ рт}

I_{б рт}

10В

U_ке =0

Рис.3

Входная характеристика

Транзистор КТ301В

25 мкА

50 мкА

75 мкА

Е

ΔU_кэ

РТ

I_{к рт}

U_{кэ рт}

E/(R_к+R_э)

Рис. 4

Выходная характеристика

Дата добавления: 2014-12-24