Напівпровідникові діоди

Самостійна робота 26

Параметры

§ Напряжение стабилизации — значение напряжения на стабилитроне при прохождении заданного тока стабилизации. Пробивное напряжение диода, а значит, напряжение стабилизации стабилитрона зависит от толщины p-n-перехода или от удельного сопротивления базы диода. Поэтому разные стабилитроны имеют различные напряжения стабилизации (от 3 до 400 В).

§ Температурный коэффициент напряжения стабилизации — величина, определяемая отношением относительного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации. Значения этого параметра у различных стабилитронов различны. Коэффициент может иметь как положительные так и отрицательные значения для высоковольтных и низковольтных стабилитронов соответственно. Изменение знака соответствует напряжению стабилизации порядка 6В.

§ Дифференциальное сопротивление — величина, определяемая отношением приращения напряжения стабилизации к вызвавшему его малому приращению тока в заданном диапазоне частот.

§ Максимально допустимая рассеиваемая мощность — максимальная постоянная или средняя мощность, рассеиваемая на стабилитроне, при которой обеспечивается заданная надёжность.

література

Чернышёв А. А., Иванов В. И., Галахов В. Д. и др. Диоды и тиристоры / Под. общ. ред. А. А. Чернышёва. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Энергия, 1980. — 176 с. — (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1005). — 190 000 экз.

Випрямляючі діоди. Призначення, маркування, класифікація, основні пара-

метри. ВАХ, порівняння Ge-, Si-, GaAs-діодів. Випрямляючі стовпи, зборки,

блоки. Поняття навантажувальній прямій, випрямляючий та детекторний ефекти.

Опорні діоди. Призначення, класифікація, система маркування, схемотехнічне позначення. Основні параметри та ВАХ-ки, особливості стабілітронів і стабісторів, двоанодних, прецизійних, імпульсних діодів. Простіша схема параметричного стабілізатора напруги. Приклади схем обмежувачів напруги.

Діоди Шотки, імпульсні діоди та діоди з накопиченням заряду. Електричний

перехід Шотки, фізичні процеси, ВАХ. Особливості діодів, функціональне застосування.

Параметри та особливості імпульсних діодів, типи, маркування, імпульсні зборки. Причини, що обмежують швидкодію діодів. Особливості перехідних процесів при перемиканні p/n-переходу, епюри струмів і напруг.

Діоди з накопиченням заряду (ДНЗ), ефекти накопичення та розсмоктування, накопичення зарядів в базі за допомогою гальмуючого поля. Параметри і особливості ДНЗ, застосування як формувача імпульсів.

Варикапи. Призначення, класифікація, маркування, схемотехнічне позначення. Вольт-фарадна характеристика, обгрунтування, робоча ділянка, основніпараметри діода. Еквівалентна схема, добротність варикапа. Приклади застосування у підстроюванні коливального кола, інші практичні застосування керованої ємності. Множення частоти, варакторні діоди.

Призначення, маркування, схемотехнічне позначення тунельних діодів.

Особливості реалізації тунельного ефекту, ВАХ-ки діодів, обгрунтування, основні параметри. Режими тунельного діоду: підсилення, генерування, перемикання та умови їх реалізації.

Особливості та застосування обернених діодів.

Високочастотні діоди та діоди НВЧ-діапазону. Функціональне призначення

діодів у залежності від виду нелінійного перетворення. Класифікація, маркування, еквівалентна схема. Технологічні та конструктивні особливості ВЧ-діодів. Додаткові специфічні параметри ВЧ-діодів.

Р-і-n-діоди, структура, фізичні процеси. Особливості роботи у режимах перемикання та резистивного діода, що регулюється. Основні параметри.

Підсилювальні і генераторні діоди НВЧ-діапазону.

Принцип параметричного підсилення. Параметричний діод, особливості.

Тунельні діоди (Єзакі), режими підсилення, генерування. ВАХ, основні параметри.

Активні діоди НВЧ-діапазону, ефект від’ємного динамічного навантаження.

Лавинно-пролітний діод, структура, принцип дії (обгрунтування активної властивості), режими роботи, основні параметри.

Діод Ганна (ТЕД-діод), обгрунтування активної властивості, ВАХ. Режими

роботи: пролітний та обмеженого накопичення об’ємного заряду, умови реалізації режимів. Особливості діодів, основні параметри.

(Всього годин на вивчення розділу - 20, у тому числі: аудиторна робота студента 12– годин; самостійна робота – 8 годин)

Дата добавления: 2014-12-24