Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Особенности роста окислов и влияние различных факторов




Отметим, что в микроэлектронике наиболее часто используются окислы кремния толщиной в несколько десятых долей микрона а верхний предел по толщине для обычного термического окисления составляет 1 - 2 мкм. В технологии СБИС используются также как более тонкие, так и более толстые пленки SiO2.

Одним из приборов, в которых используются сверхтонкие слои двуокиси кремния толщиной 2 - 5 нм являются энергонезависимые элементы памяти. Обычно для этих целей в применяется многослойная структура металл - нитрид кремния - двуокись кремния - кремний (МНОП транзистор). SiO2 в данной системе позволяет произвести контролируемую инжекцию заряда в нитрид кремния при подаче высокого потенциала на затвор транзистора (цикл записи или стирания информации) и препятствует растеканию этого заряда в отсутствии потенциала на затворе (хранение информации).

По мере повышения степени интеграции ИС становится необходимым получение пленок подзатворного диэлектрика с хорошо контролируемыми параметрами толщиной 20-50 нм. В ряде случаев необходимо иметь качественные пленки SiO2 толщиной 5 - 100 нм под маскирующими слоями нитрида кремния для предотвращения появления дефектов в кремниевой подложке, обусловленных наличием механических напряжений.

Обычно для получения воспроизводимых по свойствам пленок в реакторах атмосферного давления подбирают соответствующие температурно-временные условия (см. рис). Однако необходимо учитывать, что для пассивирования ионов натрия хлором, вводимым в пленку в процессе окисления, требуются достаточно высокие температуры окисления. Плотность окисла и концентрация дефектов в кремнии также определяются температурой. Часто применяется двухстадийный процесс сухого окисления кремния, состоящий из окисления с добавлением HCl при средних температурах (около 1000 °С), с последующей термообработкой в атмосфере O2, N2 и HCl при температуре 1150 °С.

 

Для получения высокооднородных пленок SiO2 с воспроизводимыми свойствами используют также реакторы пониженного давления (РПД реакторы). Окисление, проводимое в РПД, позволяет синтезировать тонкие слои SiO2 с точностью до нескольких ангстрем. Температура окисления T = 900 - 1000 °С, давление P = 30 - 300 Па. Окислы гомогенны, аналогичны окислам, полученным в реакторах атмосферного давления, напряженность электрического пробоя пленок E = 10 - 13 МВ/см. Толщина синтезируемых в РПД пленок составляет 2 - 14 нм.

Еще одним способом, используемым для производства тонких пленок SiO2, является их получение во влажной атмосфере, но при пониженной температуре (T = 750 °С) и атмосферном давлении (P = 1 МПа).

Толстые окисные пленки получают, как правило, во влажной атмосфере при повышенном давлении. По своим свойствам они более пористые, имеют меньшие значения напряженности пробоя. Такие пленки используются в биполярной технологии для создания окисной изоляции и в МОП технологии - для выращивания толстых изолирующих слоев. Верхний предел по толщине для термического окисления составляет 1-2 мкм. Пленку такой толщины получают при давлении 2·106 Па при окислении в парах воды и температуре 900 °С в течение 1 - 2 часов.

Влияние ориентации на скорость окисления

1. Кристаллографическая ориентация кремния определяется ориентационной зависимостью и проявляется в зависимости линейной константы скорости роста.

2. Параболическая константа B не зависит от ориентации, так как определяется диффузионной стадией реакции.

Из эксперимента константы скорости роста для Si с ориентацией поверхности по плоскости (111) в 1,68 раз выше, чем по плоскости (100).

Влияние примесей

Так как окисление во влажном O2 идет быстрее, чем в сухом, присутствие влаги в любом незначительном количестве ускоряет реакцию окисления в сухом O2.

Проанализируем влияние некоторых из этих примесей:

1. Вода. Возрастание концентрации воды с 10-4 до 1,5.10-3, увеличивая толщину с 30 нм до 37 нм при фиксированном времени.
2. Натрий. За счет изменения структуры связей в окисле ускоряет диффузию и увеличивает концентрацию O2 в окисле.
3. Основные легирующие элементы - групп 3 и 4. На границе раздела растущего Si и SiO2 происходит перераспределение примеси, она сегрегируется либо в кремнии, либо в окисле:

1) В окисле и остается там Þ химические связи в окисле ослабляются Þ повышается поток Þ увеличивается D (коэффициент диффузии).
В результате скорость окисления реакции повышается.
Если примеси диффундируют, то они не влияют на скорость окисления.
2) При высокой концентрации в кремнии увеличивается скорость окисления. (зависит линейная константа скорости и не зависит B).
Высокий уровень легирования приводит к изменению положения уровня Ферми Þ увеличивается концентрация вакансий Þ дополнительные реакционные места для протекания химической реакции.

Свойства термических пленок SiO2

Основными контролируемыми параметрами пленок являются: коэффициент преломления, химический состав пленки, пористость, плотность, скорость травления, напряженность поля пробоя. Значения некоторых типичных характеристик термических пленок SiO2 приведены в таблице:

Параметр Значение параметра
Плотность, г/см3 2,2
Показатель преломления 1,46
Диэлектрическая постоянная 3,82
Ширина запрещенной зоны, эВ 8,9
Удельное сопротивление постоянному току при T = 25 °С, Ом·см 1014-1016
Скорость травления в буферном растворе HF, нм/мин  
Линия ИК поглощения, мкм 9,3
Коэффициент теплового расширения, С-1 5·10-7
Механические напряжения в окисле, дин/см2 3·109



Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-12-27; Просмотров: 495; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.