Расчет параметров стабилитрона

Определить параметры стабилитрона: дифференциальное сопротивление R_диф, статическое сопротивление в рабочей точке R₀, ТКНС для среднего значения тока, приведенного в справочнике. Построить график ВАХ стабилитрона и выполнить построения, необходимые для нахождения параметров стабилитрона.

Исходные данные: стабилитрон Д808.

Решение:

1) Справочные данные I_ном=5 мА, U_ном= 8 В, тогда статическое сопротивление в рабочей точке определяется как R₀= U_ном / I_ном=8/5 кОм=1,6 кОм.

Рисунок 1. Вольт-амперная характеристика.

2) R_диф=dU_a/dI_a, с учетом приближения dU_a≈ ΔU_a; dI_a≈ ΔI_a получаем R_диф=ΔU_a-b/ΔI_a-b

ΔU_a-b =5,6-5,4=0,2 В, ΔI_a-b =15-2,6=12,4 мА

R_диф=16,13 Ом.

Рисунок 2. Вольт-амперная характеристика.

На ВАХ стабилитрона проведем прямую I_ст=5мА, отметим точки A и B пересечения прямой с кривыми ВАХ для температуры T_a=+30⁰С и T_b=-60⁰С (рисунок 2).

ТКСН=(U_a-U_b)/((T_a-T_b)*U_a)*100%=(0,04-5,6)/((30-(-60)*8)*100%=-0,77%/⁰C.

Вариант № 15

Практическое занятие №2.

Целью работы является исследование путей построения линеаризованных эквивалентных схем полупроводниковых диодов и приобретение навыков расчета цепей постоянного тока, содержащих полупроводниковые диоды.

Задачи:

· Закрепление знаний по теории цепей, содержащих полупроводниковые диоды;

· Приобретение навыков построения эквивалентных схем полупроводниковых диодов;

· Выработка умений производить расчеты цепей, содержащих полупроводниковые диоды.

Задание 1

Дата добавления: 2015-05-06