Исследование статистических характеристик полупроводникового диода

Работу выполнили студенты группы 2э6:

Волкова Валерия

Маслова Екатерина

Иваново 2012

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а так же типы применения полупроводниковых диодов

Ход работы:

1. Собрать схему на рис. 1.1

Рис.1.1

Схема измерения вольтамперной характеристики диода в прямом направлении

2. Последовательно измерить вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов I_пр=f(U_пр). Полученные данные занести в таблицы 1.1и 1.2

ВАХ диода 1

Таблица 1.1

Iпр,мА
Uпр,В	0,07	0,29	0,34	0,38	0,42	0,47	0,05	0,57

ВАХ диода 2

Таблица 1.2

Iпр,мА
Uпр,В		0,55	0,56	0,59	0,6	0,61	0,64	0,65

3. Определить, какой из диодов выполнен из германия, какой из кремния

1 диод является германиевым, так, как Uпр,В колебается в пределах 0,3-0,4 В

2 диод является кремниевым, так, как Uпр,В колебается в пределах 0,5-0,8 В

4. Исследовать вольтамперную характеристику диодов при обратном включении. Заполните таблицы 1.3 и 1.4

ВАХ диода 1

Таблица 1.3

UОбр,В		-2	-4	-6	-8	-10	-12
IОбр,мА		2мкА

ВАХ диода 2

Таблица 1.4

UОбр,В		-2	-4	-6	-8	-10	-12
IОбр,мА	0,58

5. По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления для каждого из диодов. Результат завести в таблицу 1.5

Рис.2 График прямой ВАХ

Рис.3 График обратной ВАХ

Таблица 1.5

Диод	Rпр	Rпрдиф	Rобр	Rобрдиф
Германиевый
Кремниевый

Вывод: В ходе работы мы изучили устройство полупроводниковых диодов, выяснили, что в работе лучше использовать кремневые диоды, так, как их ВАХ более стабильна

Дата добавления: 2015-05-06