Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Эффект ионизации при соударениях




Насыщение скорости носителей заряда.

При небольших напряженностях электрических полей скорость дрейфа носителей заряда линейно зависит от величины напряженности поля:

.

Однако, при повышении напряженности электрического поля некоторой определенной величины возникает явление насыщения скорости носителей заряда. Оценки показывают, что насыщение тока и дрейфовой скорости наступает в электрических полях порядка 104 В/см, при этом дрейфовая скорость достигает v ≈ 107 cм/с. При полях более указанной величины скорость дрейфа не зависит от поля. Это приводит к отступлению быстродействия МОП транзистора от правил масштабирования.

 

Носители заряда получают энергию от электрического поля. В больших полях эта энергия может превышать ширину запрещенной зоны полупроводника. Носители заряда могут передавать эту энергию электронам валентной зоны. В результате элетроны валентной зоны переходят в зону проводимости. Происходит генерация элетронно-дырочных пар – увеличение числа носителей заряда. Роль этого эффекта тем больше, чем выше напряженность электрического поля. Если коэффициент умножения числа носителей заряда становится больше определенной величины, наступает пробой. Если даже пробой не происходит, то в полупроводнике и контактирующим с ним изоляционными пленками возникают блуждающие токи, вызывающие ошибочные срабатывания устройств.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 356; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.