Условные обозначения зарубежных интегральных микросхем

Беспереходные полупроводниковые приборы. Терморезисторы (термисторы, позисторы, терморезисторы с косвенным подогревом), варисторы, тензорезисторы, магниторезисторы, датчик Холла, основные характеристики. Области их применения

Полупроводниковым резистором называется полупроводниковый прибор с двумя выводами, в котором используется зависимость электрического сопротивления проводника от напряжения, температуры, освещенности и других управляющих параметров.

Терморезисторы - приборы, в которых используется R = f(T).

Термистор – терморезистор с отрицательным ТКС - выполняют функцию защиты выпрямительных импульсных блоков питания от больших зарядных токов конденсаторов, фильтров при включении.

Позистор – терморезистор с положительным ТКС – используются для уменьшения тока через петлю размагничивания кинескопов мониторов и телевизоров через несколько секунд после включения.

Терморезисторы используются так же для измерения температуры, для поддержания температуры в заданных пределах, в системах автоматической регулировки усиления; терморезисторы с косвенным подогревом используются для гальванической развязки двух цепей в системах автоматизации и управления.

Варистор – п/п резистор, сопротивление которого зависит от приложенного напряжения. Используется для защиты входных и выходных цепей электронных устройств, а так же ЛЭП от кратковременных всплесков напряжения. В отличие от стабилитронов рассеивает в своем объеме большую импульсную мощность (в стабилитроне – только в узкой области p-n-перехода).

Тензорезистор - п/п резистор, сопротивление которого зависит от механической деформации. Бывают проволочные, фольговые, полупроводниковые. При механической деформации появляются дополнительные энергетические уровни в запрещенной зоне и уменьшается сопротивление п/п.

Недостаток: низкая температурная и стабильность.

Достоинства: высокая чувствительность.

Используются для измерения деформаций, сил и моментов сил.

Датчик Холла.

Если п/п поместить в магнитное поле и пропустить ток, перпендикулярно этому полю, то согласно правилу левой руки на заряд будет действовать сила, отклоняющая их. В собственном (беспримесном) полупроводнике ЭДС Холла возникает за счет большой подвижности электронов, хотя заряды отклоняются в одну и ту же сторону. Применяется для исследования полупроводников, измерения магнитных полей, во всевозможных датчиках механического перемещения.

Магниторезистор образуется при введении в датчик Холла металлических перегородок. Тогда увеличивается путь носителя заряда, что эквивалентно увеличению электрического сопротивления. Используется аналогично датчику Холла (кроме исследования полупроводников).

Система обозначения отечественных и импортных полупроводниковых приборов (диодов, тиристоров, транзисторов, электронных микросхем)

В основу системы обозначения положен восьмизначный буквенно-цифровой код по ГОСТ 11.336.919-81:

Х Х Х ХХХ Х - Х

1 2 3 4 5 6 7 8

Первый элементобозначения (буква или цифра), обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен полупроводниковый прибор: Г (1) - германий и его соединения; К (2) -кремний и его соединения; А (3) - соединения галлия; И (4) - соединения индия. Буква применяется для обозначения полупроводниковых приборов широкого применения, цифра - для обозначения приборов, применяемых в устройствах специального применения.

Второй элемент обозначения - буква, определяет подкласс полупроводнико-вого прибора:

Т - транзисторы (за исключением полевых);

П - транзисторы полевые;

Д - диоды выпрямительные и импульсные, магнитодиоды, термодиоды;

К - стабилизаторы тока;

Ц - выпрямительные столбы и блоки;

С - стабилитроны, стабисторы и ограничители;

В - варикапы;

Л - излучающие оптоэлектронные приборы;

О - оптопары;

Н - тиристорные диоды;

У - тиристорные триоды;

И - туннельные диоды;

Г - генераторы шума;

В - приборы с объемными эффектами (приборы Ганна);

А - сверхвысокочастотные диоды;

OR - резисторные оптопары

ОД - диодные оптопары

ОТ - транзисторные оптопары

ОУ - тиристорные оптопары

Третий элемент обозначения - цифра, определяющая основные функциональные возможности прибора, например, допустимое значение рассеиваемой мощности, граничную или максимальную рабочую частоту. Для биполярных и полевых транзисторов цифра третьего элемента обозначения показывает группу транзисторов по максимальной рабочей частоте и допустимой рассеиваемой мощности в соответствии со следующей таблицей.

	НЧ	СЧ	ВЧ	СВЧ	Р,Вт
ММ				-	<0,3
СМ				-	0,3 – 3
БМ				-	>3
fгр ,МГц	≤3	3 - 30	>30	>300

ММ - малая мощность

СМ – средняя мощность

БМ – большая мощность

f_гр – граничная частота

Четвертый, пятый, шестой элементы обозначения - трехзначное число (иногда двухзначное число), обозначающее порядковый номер разработки технологического типа, а для стабилитронов и стабисторов - напряжение стабилизации.

Седьмой элемент обозначения - буква, определяет классификационную группу, получаемую при разбраковке изготовленных приборов по каким-либо параметрам.

Восьмой элемент обозначения - одна цифра, обозначающая вид исполнения полупроводникового прибора (только для бескорпусных приборов).Например, цифра - 1 обозначает бескорпусной полупроводниковый прибор с гибкими выводами, цифра -2 - с ленточными выводами, - 3 - с жесткими выводами и т. д.

Примеры:

КД202А - полупроводниковый кремниевый (K) выпрямительный диод средней мощности (Д2), порядковый номер разработки - 02;

КС168А - полупроводниковый кремниевый (K) стабилитрон малой

мощности (C1) с напряжением стабилизации 6,8 В;

2Т3123А-2 - кремниевый для аппаратуры специального назначения (2) маломощный биполярный транзистор с граничной частотой больше 30 МГц (T3), порядковый номер разработки - 123, бескорпусной с ленточными выводами (- 2).

За рубежом существуют различные системы кодирования (обозначения) ИМС, действующие как в международном масштабе, так и внутри отдельных стран и фирм.

В европейских странах система кодирования ИМС аналогична системе, принятой для кодирования дискретных полупроводниковых приборов, и используется примерно 40 фирмами различных стран (Англии, Бельгии, Италии, Испании, Нидерландов, Швеции, ФРГ), выпускающими полупроводники. Основные принципы кодирования, по которым обозначения присваиваются организацией Association International Pro Electron, приводятся ниже.

Код состоит из трех букв, за которыми следует серийный номер (например, ТВА810, SAB2000).

Первая буква (для одиночных схем) отражает принцип преобразования сигнала в схеме: S — цифровая схема; Т — аналоговая схема; U —смешанная аналого-цифровая схема.

Вторая буква не имеет специального значения (выбирается фирмой-изготовителем), за исключением буквы Н, которой обозначаются гибридные схемы.

Для серий (семейств) цифровых схем первые две буквы обозначают: FL, FZ, GD — цифровые схемы;

GA — маломощные ТТЛ-схемы; GF — стандартные ТТЛ-схемы; GJ — быстродействующие ТТЛ-схемы; GM — маломощные с диодами Шоттки ТТЛ-схемы; НВ — комплементарные МОП-схемы 4000А; НС — комплементарные МОП-схемы 4500В.

Третья буква обозначает рабочий диапазон температуры или, как исключение, — другую важную характеристику:

А — температурный диапазон не нормирован;

В —от 0 до +70 °С;

С —от—55 до +125°С;

D —от—25 до +70°С;

Е —от—25 до +85 °С;

F —от —40 до +85°С;

G —от—55 до +85°С.

Затем следует серийный номер. Он может быть либо четырехзначным числом или серийным номером, состоящим минимум из четырех цифр существующего внутрифирменного номера. Если последний состоит менее чем из четырех цифр, то количество цифр увеличивается до четырех путем добавления нулей перед ними.

Кроме того, за цифрами может следовать буква для обозначения варианта (разновидности) основного типа.

При двух буквенном обозначении вариантов корпусов (после серийного номера) первая буква отражает конструкцию:

С — цилиндрический корпус;

D — с двухрядным параллельным расположением выводов (DIP);

Е — мощный с двухрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом);

F — плоский (с двусторонним расположением выводов)

G — плоский (с четырехсторонним расположением выводов);

К — корпус типа ТО-3;

М — многорядный (больше четырех рядов);

Q — с четырехрядным параллельным расположением выводов;

R — мощный с четырехрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом);

S — с однорядным расположением выводов;

Т — с трехрядным расположением выводов.

Вторая буква показывает материал корпуса:

G — стеклокерамика;

М — металл;

Р — пластмасса;

X — прочие.

Обозначения корпусов с одной буквой:

С — цилиндрический;

D — керамический;

F — плоский;

L — ленточный кристаллодержатель;

Р — пластмассовый DIP;

Q —с четырехрядным расположением выводов;

Т — миниатюрный пластмассовый;

U — бескорпусная ИМС.

В коде, действовавшем до l973 г., первые две буквы обозначают то же, что

и в современном, а третья буква показывает функциональное назначение:

А — линейное усиление;

В — частотное преобразование/демодуляция;

С — генерация колебаний;

Н — логические схемы;

J — двухстабильные или мультистабильные схемы (делители частоты, триггеры, счетчики, регистры);

К –– моностабильные схемы (одновибраторы);

L –– цифровые преобразователи уровня (дешифраторы, драйверы);

М — схемы со сложной логической конфигурацией (например, сумматор)

N — двухстабильные или мультистабильные схемы (с длительным хранением информации);

Q — оперативное запоминающее устройство (ОЗУ);

R — постоянное запоминающее устройство (ПЗУ);

S — усилитель считывания с цифровым выходом;

Y — прочие схемы.

Примеры:

КМ155ТМ5 - ИМС широкого применения (К), в металлокерамическом корпусе (М), полупроводниковая (1), серия 155, триггер типа Д (ТМ), разработка 5.

КБ537РУ1-1 - ИМС широкого применения (К), бескорпусная (Б), полу- проводниковая (5), серия 537, оперативное запоминающее устройство(РУ), разработка 1, с гибкими выводами (-1).

1800ВБ2 - ИМС специального назначения (1-я группа символов отсутствует), полупроводниковая (1), серия 1800, схема синхронизации для вычислительных устройств (ВБ), разработка 2.

К174УН9А - ИМС широкого применения (К), в корпусе с планарным расположением выводов (2-я группа символов отсутствует), полу- проводниковая (1), серия 174, усилитель напряжения (УН), разработка 9, группа по разбраковке А (ИМС К174УН9 сортируются по коэффициенту нелинейных искажений Кг: группа А - Кг < 1%, группа Б - Кг < 2%).

Дата добавления: 2015-05-06