Аспаптар мен элементтер

1 Осцилограф

2 Функционалды генератор

3 Биполяр транзистор 2N3904

4 Тұрақты ЭҚК көзi

5 Айнымалы ЭҚК көзi

6 Конденсатор

7 Резистор

Қысқаша теориялық мәлiметтер

Кернеу бойынша күшейткiш коэффициентi мына формуламен табылады:

К_у=R_э/R_э+r_э (4.1)

Күшейткiштiң кiрiс кедергiсi айнымалы ток бойынша мына формуламен табылады:

R_кіріс=U_кіріс/i_кіріс (4.2)

мұндағы: U_кіріс-синусоидалық кiрiс тоғы,

I_кіріс- кiрiс ток.

Эмиттердiң қайталаушысы кiрiс кедергiсi айнымылы ток бойынша мына формуламен табылады:

r_iэ=b·(r_э+R_э) (4.3)

Каскадтың кiрiс кедергiсі мына формуламен табылады:

1/R_кіріс=1/R₁+1/R₂+1/r_іэ (4.4)

Жалпы жағдайда эмиттердiң қайталаушы кiрiс кедергiсi bас+1 бойынша аз R_көзі –сигнал көзiндегi кедергi (эмиттердiң кайталаушысы кiрiсiнде).

r_кіріс= (R_көзі/b_ас +1)+ r_э (4.5)

Егерде R_көзі эмиттердiң кайталаушы кiрiсiнде аз болса, эмиттердiн қайталаушы шығысында база эмиттер өту кезеңi дифференциалдық кедергiсiне тең болады:

r_кіріс= r_Э (4.6)

Егерде R_көзі эмиттердiң қайталаушы кiрiсiнде көп болса, онда R_Э-параллель бойынша косылған эмиттердiң қайталаушы кiрiс кедергiсi бар жағдайда есепке алыну керек.

Тәжірибе бойынша шығыс кедергiсi каскадта мына екi өлшем бойынша табуға болады. Бос жүрiс кернеу өлшем бойынша U_бж (каскадтын шығысына R=200Ом косылады және кернеудің төмендеуін өлшеймiз) және шығыс кернеуi өлшемi жүктеме кедергi бойынша:

r_шығ= R_н·(U_бж-U_шығ)/ U_шығ (4.7)

Жоғарғы және төменгі шығыс кернеу каскад орта коллектор бойынша кесушi ретiнде көзi және жүктеменiң арасында пайдаланады.

4.1 – сурет. Орта эмиттер

Тәжірибенің нәтижесi

1. Кiрiс кернеуiнiң тұрақты құраушысы U_б нүктесiнде_________

2. Кiрiс кернеуiнiң тұрақты құраушысы U_э нүктесiнде_________

3. Эммитердiң тоғы_______________________________________

4. Кiрiс кернеудiң амплитудасы_____________________________

5. Шығыс кернеудiң амплитудасы___________________________

6. Кiрiс және шығыс синусоидалық кернеудiң фазалық айырымы

_________________________________________________________

7. Кiрiс кернеудiң амплитудасы U_б нүктесiнде ________________

8. Шығыс кернеудiң амплитудасы___________________________

9. Кiрiс тоғы________________________________________

10. Дифференциалды кiрiс кедергi r_кіріс_____________________

11. Дифференциалды кiрiс кедергi r_кіріс_____________________

12. Кернеу жүктеме бойынша 200 Ом________________________

13. Каскадтың шығыс кедергiсi______________________________

4.2 – сурет. Орта коллектормен

Бақылау сұрақтары:

1. Кернеу бойынша күшейткіш коэффициентінің практикалық және теориялық мәнінің айырмашылығы неде?

2. Орта коллектор және орта эмиттері бар күшейткіште синусойдалы сигналдарының кіріс және шығыс фазалардың аралығының айырмашылығы неде?

3. Кернеу бойынша күшейткіш коффициентінің кіріс кедергісі қалай әсер етеді?

4. Кіріс кернеуінің (U_шығ түйінінде) және (U_б түйінің базасындағы кернеуі) арасындағы байланыс осылардың арасындағы кедергі қосылған кездегі жағдай қандай?

5. Ауыспалы тоқ бойынша күшейткіш үшін кіріс кедергісінің практикалық және теориялық мәнінің айырмашылығы неде?

6. Кернеу бойынша күшейткіш коэффициентіне жүктеменің кедергісінің төмендеуі қалай әсер етеді?

7. Күшейткіш кедергісінің шығысы мен коллектор R_б тізбегінде кедергісінің арасындағы байланысы қандай?

8. Кернеу бойынша күшейткіш коэффициенті R_Э кедергіге қалай әсер етеді?

9. Тұрақты тоқ бойынша U_Э кернеуінің практикалық және теориялық мәнінің айырмашылығы неде?

10. Тұрақты тоқ бойынша U_б кернеуінің практикалық және теориялық мәнінің айырмашылығы неде?

11. Ортақ коллекторы бар күшейткіш кернеуі бойынша күшейткіш коэффициентінің практикалық және теориялық мәнінің айырмашылығы қандай? неліктен күшейткіш коэффициентінің мәні кернеу бойынша бірлігі төмен?

12. Ортақ коллекторы бар күшейткіштің айнымалы тоқ бойынша кіріс кедергісінің теориялық және практикалық мәнінің айырмашылығы қандай?

13. Ортақ коллекторы бар күшейткіштің шығыс кедергісінің мәні үлкен бе?

14. Шығыс синусоидалық сигналдардың және кіріс фазасының әртүрлі болуы неде?

№5 зертханалық жұмыс

Транзистор каскадындағы жұмыс нүктесін белгілеу

Жұмыстың мақсаты:

1. Транзисторлы каскадтағы жүктеме түзуін құру.

2. Транзисторлы каскадтағы жұмыс нүктелеріндегі тапсырмалар.

3. Транзистордың жұмыс нуктесінде параметрлерді зерттеу.

4. Транзистордың қанығу режиміне ауысуына арналған шарттар.

5. Транзистордың тәжірибелік берілген бойынша статикалық беріліс коэффициентін анықтау.

Құралдар мен элементтер

1 Биполяр транзистор 2N3904

2 Биполяр транзистор 2N3906

3 Тұрақты ЭҚК көзі

4 Резисторлар

5 Амперметрлер

6 Вольтметрлер

Қысқаша теориялық мәліметтер

Бір резистор арқылы база тоғының тапсырмасы. 5.1 - суретті ОЭ-лі транзисторлы каскады берілген. Транзистордың шығыс мінездемесі арқылы жүктеме түзуін құрып, оның каскадының жұмысын байқауға болады.

Қанығу режимі келесі шарттардан анықталады, коллектор тоғы база тоғымен басқарылмайды:

β_ДСI_Б>I_К≈I_КН (5.1)

мұндағы: I_КН-коллектор тоғының қанығуы, R_К кедергісі коллектор тізбегінде және кернеу қорек көзі E_К арқылы анықталады:

I_КН≈E_К/R_К (5.2)

Бұл режимде коллектор-эмиттер кернеуі өте төмен 0.1В транзистордың бұл режимге өту үшін транзистор базасына ток өту керек:

I_БН=I_КН/β_ДС (5.3)

База тоғының қанығуы резисторы кедергісі R_БН арқылы беріледі:

R_БН=E_К-U_БЭО/I_БН≈Е_К/I_БН (5.4)

мұндағы: U_БЭО-база-эмиттер ауысуындағы кернеу. Кремний транзисторы үшін

U_БЭО≈0,7В.

Тоқты күшейту режимінде коллектор тоғы. I_КК тоғынан кіші, сондықтан, коллектор тоғы жүктемеге тікелей орналасады:

I_К=E_К-U_КЭ/R_К (5.5)

Статикалық режимде нүктелік жұмыс база тоғы мен коллектор кернеуімен беріледі. Ол тікелей жүктемелік қиылысу нүктесі мен транзистордың шығыс мінездемесімен анықталады. Транзистордың база тоғы, база тізбегінде кедергі R_Б арқылы өткен токпен анықталады (5.1 - сурет).

I_Б=E_К-U_БЭО/R_Б (5.6)

Коллектор тоғы былай анықталады:

I_КЭ=β_ДС·I_Б (5.7)

Коллектор-эмиттер кернеуі тікелей жүктеме арқылы анықталады:

U_КЭ=Е_К-I_К·R_К (5.8)

2 NPN транзисторы. Кернеу бөлгішінің көмегімен база тоқ тапсырмасы. Аналогты пунктте қанығу режимін қарастырамыз. Қанығу режимінде коллектор тоғы былай өрнектеледі:

I_КН≈Е_К/R_К+R_Э (5.9)

Базадағы қанығу тоғы R1 және R2 резисторының кедергілеріне тәуелсіз:

I_БН=I_КН/β_ДС (5.10)

ал базадағы кернеу мынаған тең:

U_Б=Е_К·R_Э/R_Э+R_К+U_БЭО (5.11)

Күшейткіш режимде коллектор тоғы тікелей жүктеме өрнегімен өрнектеледі:

I_К=Е_К-U_КЭ-U_Э/R_К (5.12)

U_Э=I_Э·R_Э

База тоғы: I_Б=I_К/β_ДС

Келесі өрнекте коллектор тоғы эмиттер тоғымен байланысты:

I_К=I_Э- I_Б (5.13)

Транзистордың базасындағы кернеу:

U_Б=I_ЭR_Э+U_БЭО (5.14)

Нүктелік жұмыс тікелей жүктеме мен шығыс мінездемесінің қиылысуынан анықталады:

I_Б=U_Б-U_БЭО/R_ЭКВ (5.15)

U_Б=E_КR₂/R₁+R₂ (5.16)

R_ЭКВ=R₁R₂/R₁+R₂ (5.17)

Эмиттер тоғы потенциалдар айырымынан және эмиттер тізбегінде кернеудің кедергіге R_Э құлауынан анықталады:

I_Э=U_Б-U_БЭО/R_Э (5.18)

Коллектор-эмиттер кернеуі Кирхгоф заңы бойынша анықталады:

U_КЭ=E_К-I_К·R_К-I_Э-R_Э (5.19)

Жылу тоғының әсерінен коллектор тоғының тұрақсыз коэффициенті:

S=dI_К/dI_КБО=1+β_ДС /1+β_ДС·R_Э/(R_Э+R_Б)=1+R_Б/R_Э (5.20)

R_Б=R₁·R₂/R₁+R₃ (5.21)

3 Эмиттер тізбегінде қосымша қорек көзі көмегімен база тоғының тапсырмасы. Қанығу режимінде коллектор тоғы:

I_КН=E_К+E_Э/R_К+R_Э (5.22)

Күшейткіш режиміндегі коллектор тоғы:

I_К=E_К+E_Э-I_Э·R_Э/R_К (5.23)

Транзистор базасындағы кернеу:

U_Б=I_Э·R_Э-E_Э+U_БЭО (5.24)

Осы кернеу резистордағы R_Б кернеудің құлауына тең:

U_Б=-I_Б·R_Б (5.25)

Эмиттер тоғы резистордағы R_Э кернеудің құлауына тең:

I_Э=U_Э+E_Э/R_Э=U_Б-U_БЭО+E_Э/R_Э (5.26)

Коллектор тоғы эмиттер тоғы былай байланысқан:

I_К=I_Э-I_Б≈I_Э (5.27)

Коллектор-эмиттер кернеуі Кирхгофтың заңы арқылы анықталатын,

U_КЭ=E_К+E_Э-I_К·R_К-I_Э·R_Э (5.28)

Коллектор тоғының тұрақсыз коэффициенті:

S=dI_К/dI_КБО=1+β_ДС/1+β_ДС·R_Э/(R_Э+R_Б) (5.29)

4 База-коллектор тізбегіндегі резистор көмегімен база тоғының тапсырмасы. Күшейткіш режиміндегі коллектор тоғы:

I_К=E_К-U_КЭ/R_К (5.30)

Нүктелік жұмыс тікелей жүктеме мен транзистордың шығыс мінездемесінің қиылысуымен анықталады. База тоғы былай анықталады:

I_Б=U_КЭ-U_БЭО/R_Б (5.31)

Сұлба бойынша коллектор тоғы былай анықталады:

I_К=E_К-U_БЭ/R_К+R_Б/β_ДС (5.32)

Коллектор-эмиттер кернеуі Кирхгоф заңы бойынша анықталады:

U_КЭ=E_К-I_К·R_К (5.33)

Статикалық тоқтың беріліс коэффициенті β_ДС коллектор тоғының база тоғына қатынасына тең:

β_ДС=I_К/I_Б (5.34)

База-коллектор тізбегіндегі коллектор тоғының тұрақсыз коэффициенті:

S=dI_К/dI_КБО=1+β_ДС/1+β_ДС·R_К/(R_Б)≈R_Б/R_К (5.35)

5.1 – сурет. Транзистордың жұмыс нуктесінде параметрлерді зерттеу

Бақылау сұрақтары:

1. Тәжірибелік және есептемелік берілгендердің айырмашылығы қандай?

2. Статикалық беріліс тоғының өзгеруі, жұмыс нүктесінің жағдайымен өзгереді ме?

3. 10.10 және 10.11 - сұлбасындағы коллектордағы кернеуді қалай айыруға болады?

4. Қанықтыру режиміндегі коллектор-эммиттер кернеуі неге тең?

5. Эмиттер тоғы мен коллектор тоғының арасындағы байланыс қандай?

6. Эмиттер тізбегіндегі ығысу сұлбасы мен база тізбегіндегі ығысу сұлбасының артық жері неде?

7. Сұлбаның жұмысын тұрақтандыру үшін эмиттер тізбегіндегі R кедергі қандай қызмет атқарады?

№6 зертханалық жұмыс

Өрістік транзисторлар

Каналдар жоғары беттік және көлемдік бола алады. Жоғары беттік каналдар өзімен бірге қосылған қабатты анықтайды, бұл қабат диэлектриктегі донордың сандарымен немесе инверсиялық қабатпен анықталады, ол сыртқы өрістің әсерінен пайда болады. Ал көлемдік каналдар өзімен бірге біртекті жартылай өткізгіш аймағын анықтайды. Көлемдік каналы бар транзисторлар басқа транзисторларға қарағанда, өзінің қосылған қабаты p-n өткізуден пайда болатындығымен ерекшеленеді. Сондықтан оларды көбінесе p-n өткізгіштегі бар өрістік транзистор немесе өрістік транзисторлар деп аталады. Мұндай түрдегі транзисторлар ең бірінші рет 1952 жылы Шоклимен жазылған. Кітапханада EWB 4.1 программасының компоненттері екі түрлі үлгіде көрсетілген: n-каналдық және p-каналдық 6.1-а-суретте көрсетілген, б-суретінде де, мұндағы 1-тапсырма – басқарушы электрод; 2-қайнар көз-электрод; бұл электродтан негізгі тасушылар қозғалысын бастайды. 3-сток-электрод, тасушылар бұл электродты қабылдайды.

Өрістік транзисторлар модельдерінің параметрлері диолагтық терезе арқылы пайда болады және келесілерден:

1. Таралудың кернеуі В (Threshold voltag) VTO[VTO]-p-n өткізгіштігі бар өрістік транзистордың ығыстырма мен қайнар көз арасындағы кернеу немесе жекелеу ығыстырмамен, бұл ығыстырма қосылу режимінде жұмыс жасайды, бұл режимде ток өзінің берілген төмен кернеуіне жетеді. Жекелеу ығыстырмасы бар транзисторлар үшін бұл параметр кіріс кернеуі деп аталады.

2. Пропорционалдық коэффициент А/В2 (Transconductance coefficient B[KP]) 3 канал ұзындығының модуляциясының параметрі, 1/В(Channel-length modulation 1m 4,5) Ығыстырма аймағының көлемдік кедергісі Ом (Drain ohmic resistance Rd[RD]).

3. Қанық ток p-n өткізгіштігі бар өрістік транзисторлар.

4. Нөлдік жағдайдағы ығыстырма мен қайнар көзі арасындағы сыйымдылық ф(zero-bias gate-drain junction capacitance).

5. Нөлдік жағдайдағы ығыстырма мен сток арасындағы сыйымдылық.

6. p-n өткізгіші бар потенциялдардың байланыс айырмашылығы, В. (Gate – junction potential) pd-тек ғана p-n өткізгіші бар өрістік транзисторлар үшін, EWB 5.0 программасында өрістік транзисторлар үшін параметрлер саны көбейтілген. Оның мақсаты биполяр транзисторлар мақсатына ұқсас болады. EWB да өрістік транзисторлар үшін p spisce [2] модельдері қолданылады.

Биполярлық транзистордың аналогы бойынша өрістік транзисторлардың үш қосу сұлбасын анықтайды. Жалпы ығыстырмамен (03) жалпы қайнар көзбен және жалпы стокпен. Жалпы қайнар көзі бар өрістік транзистор сұлбасындағы шығыс вольт-амперлік қасиеттерін зерттеу үшін 6.2-суреттегі сұлба қолданылуы мүмкін. Ол келесілерден тұрады: ығыстырма-қайнар көз кернеу көзі U_g зерттелген транзистор VT, ток көзі U_сс, вольтметр U_d, қайнар көзінің кернеуін бақылау үшін және амперметр I_d сток тоғын өлшеу үшін. Шығыс вольтамперлік қасиет берілген мәндер бойынша шешіледі және U_d кернеуін өзгерту арқылы және сток тоғының I_d өлшеу арқылы I_d мұнда нөлге жақын мәнге ие. Қасиеттерді орналастыру арқылы I_d=ƒ(U_d) құламаларды анықтауға болады: S=dId/dUg. Бұл қасиет өрістік транзистор үшін өте маңызды, күшейткіш құрал ретінде өрістік транзисторлардың келесі түрі жоғары беттік каналы бар транзистор (МДП транзисторлар). Егерде диэлектрик ретінде окисель пайдаланса, онда МОП транзистор атауы қолданылады. МДП транзисторлардың екі түрі болады: құрылған және индустрияландырылған каналы бар транзисторлар.

Бірінші типтегі транзисторлар заряд тасушылардың қосылу каналында қалай жұмыс жасай алады. МДП транзистордың екінші түрін тек қана байыту режимінде қолдануға болады, p-n өткізгіштігі бар транзисторларға қарағанда, МДП транзистордың металлдық ығыстырмасы жартылай өткізгіштен диэлектрик қабатпен жекешеленген және кристаллдан қосымша шығысы бар, ол астына салу деп аталады сонда құрылғы орындалады.

Басқарушы кернеу ығыстырма мен подложканың арасында беріледі. Электрлік өрістің әсерінен жартылай өткізгіштің бетінде p-канал пайда болады, ол индустрияландырған каналы бар транзисторда жартылай өткізгіштің бетінен электрондады тереңге итергеннен пайда болады. Құрылған каналы бар транзисторда берілген каналдың кеңеюі орындалады. Басқарушы кернеудің әсерінен каналдың ені өзгереді, сонымен бірге транзистордың тоғы мен кедергі өзгереді. Ығыстырмадағы кернеу, бұл ығыстырмада канал индустрияланады және ол кіріс кернеу деп аталады. Практикалық анықтамада осы кезде ығыстырманың потенциялы кіріс кернеуіне жетеді. Жоғарғы беттен жартылай өткізгіштің мөлшерін жоқ қылғасын, индустрияланған тесіктердің концентрациясы азаяды. Канал қалыңдығының жартысына тең қашықтықта электр өткізгіш жеке болады. Ары қарай белгілі бір аймақ орналасады, бұл аймақта оң зарядталған донорлық қоспаның иондары бар. Қосылған аймақтардың саны негізгі заряд тасушылары жартылай өткізгіштің бетінен тереңіне тасумен анықталады. Сонымен сток, қайнар көз және канал өзімен бірге МДП транзистордың жұмыстық аймағын қамтитын подложкіден жекешеленген n өткізумен. Бізге белгілі p-n өткізгішпен каналдың ені подложкіге қосымша кернеу берген кезде өзгереді, қайнар көздің тоғын тек қана ығыстырмадағы кернеуді өзгерту арқылы басқаруға болмайды, сонымен бірге подложкідегі кернеуді өзгерту арқылы басқаруға болады. Инверстік қабаттың қалыңдығы қосылған қабаттың қалыңдығына аз. Егер соңғысы 100 немесе 1000 нанометрді құраса, онда индустрияланған каналдың қалыңдығы сондағы 1…5 нм құрайды. Басқаша айтқанда индустрияланған каналдың тесіктері жартылай өткізгіштің бетіне “қыстырылған” сондықтан жартылай өткізгіш-диэлектрик шекарасының құрылысы МДП транзисторда үлкен рөл атқарады.

Каналдарды құрайтын тесіктер оған тек ғана n-типті подложкіден үспейді, бұл жағдайда олар аз сараланады, сонымен бірге p-типті қабаты бар қайнар көзден және стоктан, ал бұл жағдайда олардың концентрациясы шектелмеген, ал өрістің кернеуі бұл электродтардың қасында өте үлкен, осы екі жағдайдан түседі. Құрылған каналы бар транзисторда сток тізбегіндегі ток ғыстырмадағы кернеу 0 болып тұрса да ағады. Оны тоқтату үшін ығыстырмаға оң зарядты кернеу беру керек. Осы кезде инверстік қабаттың тесіктері жартылай өткізгіштің тереңінен шығып кетеді, сонда канал толығымен жойылады. Ал теріс зарядты кернеу берген кезде канал кеңейеді және ток қайтадан көбейеді. Ал n-өткізгіштігі бар өрістік транзисторлар қалай? Аз кернеуі бар қайнар көзбен сток кезінде МДП транзисторлар сызықтық кедергі бойынша өздерін ұстайды. Бұл кернеуді көбейткен кезде каналдың ені азаяды, өйткені ондағы кернеудің түсуімен және электр өрісінің кернеуінің азаюынан. Бұл жағдай көбінесе каналдың мынадай бөлігенде қатты білінеді: егер ол стокқа жақын болса, токтың пайда болған кернеудің құлауы каналға қарсы ығыстырмадағы қоспаның тең емес бөлінгенге соғады. МДП транзисторлардың, биполярлық транзисторларға қарағанда ең негізгі артықшылығы болып, олардың кернеуінің аз түсуі болып табылады. Егер биполярлық транзисторда толу режимінде коллектор-эмиттер кернеуі вольттік оннан бірінен аз болса, онда МДП транзисторлар үшін аз тоқтар бұл кернеу өз жұмысында вольт-амперлік қасиет аймағында өте аз шамада болады. Кітапханада EWB программасының құрылыс каналы бар МДП транзисторлар екі түрлі үлгімен берілген: n-каналдық p-каналдық.

6.3 - суретте 4-санымен подложка көрсетілген. МДП транзистордың әр түрлі 2-топта көрсетілген: бөлек шығысы бар подложка және жалпы шығысы бар қайнар көзі. 6.3-суретте құрылған (а) және индустрияланған (б) ығыстырмалары бар МДП транзистор. МДП транзисторларының қасиетін зерттеу үшін арналған.

6.3 – сурет. Транзисторларының қасиетін зерттеу

6.4-суреттегі сұлбаны пайдаланамыз. Оның көмегімен МДП транзисторларының шығыстық қасиеттерінің жанұясын алуға болады, бұл жағдайда ығыстырмадағы кернеу U_d - белгіленген шамада болады. Мұндай қасиеттерді орналастыру арқылы транзитордың бөгеуін ығыстырма жағынан және басқарушы подложка жағынан S_b=dI_d/dU_b анықтауға болады. Статистикалық күшейту коэффициенті M=dU_d/dU_g дифференциялдық шығыс кедергі R_d=dU_d/dI_d және басқа параметрлер.

6.4 – сурет. МДП транзисторларды зерттеуге арналған сұлба

Бақылау сұрақтары және тапсырмалар.

1. 4.62-суретте көрсетілген сұлбаның көмегімен өрістік транзистордың шығыстық қасиеттерінің жанұясын шешіңіз U_d=-1,-0,5,0,+1,+2, +5В.

2. 4.65-суреттегі сұлба бойынша құрылған каналы бар. МДП транзистордың шығыстық қасиеттерінің жанұясын шешеміз. U_d және U_b=-5,-2,-1,0,+1,+2,+5В болғанда және ол бойынша S, S_b, M, R_d-ны анықтаймыз?

3. Индустрияланған каналы бар МДП транзисторын зертеуді орындаймыз және қосымша кіріс кернеуді анықтаймыз?

4. Униполярлық, өрістік каналды транзисторлар бір-бірінен қалай ажыратылады?

№7 зертханалық жұмыс

Операциялық күшейткіш сипаттамасы

Жұмыстың мақсаты:

1. Операциялық күшеткіштің кіріс токтарын өлшеу

2. Операциялық күшейткіштің кіріс тоғының орташа көлемін, кіріс токтардың айырмасын бағалау

3. ОК-тің ығысу кернеуін өлшеу

4. ОК-тің дифференциялды кіріс кедергісін өлшеу

5. ОК-тің шығыс кернеуін есептеу

6. ОК-тің шығыс кернеуінің жылдамдығының өсуін өлшеу

Дата добавления: 2015-05-06