Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных транзисторов




Светодиоды

ЛАБОРОТОРНАЯ РАБОТА №2

Цель работы: Изучите влияние напряжения UСД, тока ICД светодиода и его полярности на световую эмиссию.

 

Порядок выполнения:

Соберите цепь согласно схеме (рис.3.1.3.) и установите входные напряжение

Последовательными шагами, как указано в таблице 1. Измерьте прямые напряжения UСД IСД светодиода с помощью мультиметра и установите светоизлучение (отсутствует, слабое, среднее, сильное). Занесите данные в таблицу.

 

 

Таблица 1

UВХ, В UСД,В IСД, мА светоизлучение
       
       
       
       
       
       
       
       
       
       

 

! Затем изменяя полярность диода пронаблюдайте интенсивность светоизлучения.

 

 

Министерство Образования и науки РФ

Грозненский Государственный Нефтяной технический Университет

им. ак. М.Д. Миллионщикова

 

Кафедра «Электротехника и электропривод»

 

Лабораторная работа 3

 

По дисциплине: «Электроника»

 

Выполнил (а) ст-т (ка) гр. _____ _______________

Проверил _______________

 

Общие сведения

 

Транзистор (рис. 4.1.1) представляет собой полупроводниковый триод, у

которого тонкий р -проводящий слой помещен между двумя п-проводящими слоями (n-p-n транзистор) или n-проводящий слой помещен между двумя p- проводящими слоями (p-n-p транзистор).

p-n переходы между средним слоем (база) и двумя крайними слоями (эмиттер и коллектор) обладают выпрямительным свойством, которое можно исследовать как в случае любого выпрямительного диода.

Носители заряда, которые ускоряются от эмиттера через проводящий p-n переход в чрезвычайно узкую зону базы, проникают в противоположный запертый p-n переход между коллектором и базой и могут притекать к коллектору. Ток базы IБ меньше тока эмиттера IЭ на величину тока коллектора IК :

IБ = IЭ - IК

С другой стороны, на величину тока коллектора влияет ток базы. Отношение этих двух токов именуется коэффициентом усиления по току В:

В = IК∕ IБ

Усиление по току при малых сигналах определяется так

β = ∆IК ∆IБ

 

Способ подсоединения транзистора к рабочему напряжению (+ или -) зависит от типа транзистора. У n-p-n транзисторов база и коллектор положительны по отношению к эмиттеру, а у p-n-p транзисторов - отрицательны.

 

ЛАБОРОТОРНАЯ РАБОТА №3

Цель работы: Изучите влияние тока коллектора на ток базы в статике применительно к n-p-n транзистору.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 614; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.