Электрические параметры. Анод германиевый, туннельный, мезасплавной,

⇐ Предыдущая 4 5 6 789 10 11 12 13 Следующая ⇒

ГИ 401А

ГИ 305А

Анод германиевый, туннельный, мезасплавной,

переключательный.

Электрические параметры.

Пиковый ток	9.210.4 мА
Отношение пикового тока к току впадины не менее

Напряжение не более	85 мВ
Напряжение раствора при I_{пр.макс.}=10мА	430 мВ
Постоянный прямой и обратный ток	20 мА

Анод германиевый, обращенный, мезасплавной

Постоянное прямое напряжение при I_ПР.=0.1мА не менее	0.33 В

Постоянное обратное напряжение при I_ОБР.=1 мА	9015 мВ

Постоянный прямой ток	0.3 мА
Постоянный обратный ток	4 мА

Лабораторная работа №4

Биполярный транзистор в схеме с общей базой

Биполярным транзистором, или просто транзистором, называют полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими р-п переходами и тремя выводами. Он имеет трехслойную структуру, состоящую из чередующихся областей с различными типами электропроводности: р-п-р или п-р-п.

Работа биполярного транзистора зависит от носителей заряда обеих полярностей — электронов и дырок: отсюда его название «биполярный».

Наружная область с наибольшей концентрацией примеси называется эмиттером, вторая наружная область— коллектором, а внутренняя область — базой. Электронно-дырочный переход между эмиттером и базой называют эмиттерным переходом, а между коллектором и базой — коллекторным переходом.

В соответствии с концентрацией основных носителей заряда база является высокоомной областью, коллектор — низкоомной, а эмиттер — самой низкоомной. Толщина базы очень мала и составляет единицы микрометров. Площадь коллекторного перехода в несколько раз превышает площадь эмиттерного. Применение транзистора для усиления электрических колебаний основано на его принципе действия как управляемого электронного прибора. В схеме включения транзистора (рис. 4-1) к эмиттерному переходу должно быть приложено прямое напряжение, а к коллекторному—обратное. Если на эмиттерном переходе нет напряжения, то через коллекторный переход протекает очень небольшой обратный ток I_к.обр. По сравнению с рабочим током им можно пренебречь для упрощения рассуждений и считать, что в коллекторной цепи тока нет, т. е. транзистор закрыт.

При подаче на эмиттерный переход прямого напряжения от источника питания E_э происходит инжекция носителей заряда из эмиттера в базу, где они являются неосновными. Для транзистора р-п-р этими носителями заряда являются дырки. Движение дырок в процессе инжекции через эмиттерный переход создает ток эмиттера I_э. Дырки, перешедшие в базу, имеют вблизи р-п- перехода повышенную концентрацию, что вызывает диффузию их в базе. Толщина базы очень мала, поэтому дырки в процессе диффузии оказываются вблизи коллекторного перехода. Большая их часть не успевает рекомбинировать с электронами базы и втягивается ускоряющим электрическим полем коллекторного перехода в область коллектора. Происходит экстракция дырок под действием обратного напряжения из базы в коллектор. Движение дырок в процессе экстракции из базы в коллектор создает ток коллектора I_к. Незначительная часть инжектируемых из эмиттера в базу дырок рекомбинирует в области базы с электронами, количество которых пополняется из внешней цепи от источника E_э. За счет этого в цепи базы протекает ток базы I_б. Он очень мал из-за небольшой толщины базы и малой концентрации основных носителей заряда — электронов. При этих условиях число рекомбинаций, определяющих величину тока базы, невелико.

Ток коллектора управляется током эмиттера: если увеличится ток эмиттера, то практически пропорционально возрастет ток коллектора. Ток эмиттера может изменяться в больших пределах при малых изменениях прямого напряжения на эмиттерном переходе.

Токи трех электродов транзистора связаны соотношением: I_э=I_к+I_б.

Ток базы значительно меньше тока коллектора, поэтому для практических расчетов часто считают ток коллектора приближенно равным току эмиттера: I_к»I_э. Отношение I_к/I_э= a называют статическим коэффициентом передачи тока эмиттера, или коэффициентом передачи постоянного тока.

Транзистор как управляемый прибор действует за счет создания транзитного (проходящего) потока носителей заряда из эмиттера через базу в коллектор и управления током коллектора путём изменения тока эмиттера. Таким образом, биполярный транзистор управляется током.

Ток эмиттера как прямой ток р-п перехода значительно изменяется при очень малых изменениях напряжения на эмиттерном переходе и вызывает, соответственно, большие изменения тока коллектора. На этом основаны усилительные свойства транзистора.

Выходные характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ, представляют собой зависимость тока коллектора от напряжения коллектор — база при постоянном токе эмиттера, поэтому их называют коллекторными (рис. 4-2,а): I_к=f(U_кб) при I_э=const.

Для того чтобы график характеристик был универсальным для транзисторов типа р-п-р и п-р-п, напряжение по горизонтальной оси отложено без учета его полярности, по абсолютной величине.

Входные характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ, представляют собой зависимость тока эмиттера от напряжения эмиттер—база при постоянном напряжении коллектор— база; эти характеристики называют эмиттерными (рис. 4-2,6): I_э=f(U_эб) при U_кб=const.

1. Термины и обозначения.

Постоянный ток коллектора	I_к
Постоянный ток эмиттера	I_э
Постоянный ток базы	I_б
Постоянное напряжение эмиттер-база	U_эб
Постоянное напряжение коллектор-база	U_кб
Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора (БТ)	P
Входное дифференциальное сопротивление диода БТ в режиме малого сигнала	h₁₁
Коэффициент обратной связи по напряжению БТ в режиме малого сигнала	h₁₂
Коэффициент передачи тока БТ в режиме малого сигнала	h₂₁
Выходная полная проводимость БТ в режиме малого сигнала при холостом ходе	h₂₂
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{к. макс.}
Максимально допустимый постоянный ток эмиттера	I_{э. макс.}
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база	U_{кб. макс.}
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база	U_{эб. макс.}
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность БТ	P_макс.

2. Цель работы.

2.1. Изучение устройства и принципа действия биполярных транзисторов.

2.2. Наблюдение на осциллографе и снятие характеристик транзисторов в схеме с общей базой.

⇐ Предыдущая 4 5 6 789 10 11 12 13 Следующая ⇒

Поделиться с друзьями:

Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 665; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!

Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет

studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление

Генерация страницы за: 0.009 сек.

Электрические параметры. Анод германиевый, туннельный, мезасп­лавной,

Электрические параметры. Анод германиевый, туннельный, мезасплавной,