Основные характеристики p-n перехода и диодов

Электронно-дырочный переход и диоды на его основе

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n перехода описывается уравнением

(1.1)

где e – заряд электрона; k – постоянная Больцмана; U – приложенное напряжение; T – абсолютная температура; I₀ – тепловой ток.

Тепловой ток зависит от температуры и определяется свойствами полупроводникового материала, из которого изготовлен p-n переход:

(1.2)

где S – площадь перехода; D_p,n – коэффициенты диффузии неосновных носителей заряда – соответственно дырок в n -области перехода и электронов в p -области перехода; p_{n 0}и n_{p 0} – концентрации неосновных носителей заряда; L_p,n – диффузионные длины неосновных носителей заряда.

Диффузионная длина и коэффициент диффузии связаны соотношением:

(1.3)

где t_p,n – время жизни соответственно дырок и электронов.

Согласно соотношению Эйнштейна, коэффициенты диффузии связаны с подвижностью носителей заряда

(1.4)

где m_p,n – подвижность дырок и электронов соответственно.

Для диапазона температур, в котором обычно эксплуатируются полупроводниковые приборы, концентрация неосновных носителей заряда определяется соотношениями:

(1.5)

где n_i – концентрация собственных носителей в полупроводнике; N_D,A – концентрации примесей соответственно в n и p -областях перехода.

Величина n_i является одной из важнейших характеристик полупроводникового материала, она определяет концентрацию свободных носителей заряда (электронов и дырок) в собственном (беспримесном) полупроводнике. Обычно значения n_i приводятся в справочных данных для полупроводниковых материалов (как правило, при T =300 K). Для n_i характерна сильно выраженная температурная зависимость, которая определяется соотношением

(1.6)

где D E_g – ширина запрещенной зоны полупроводника; N_c,v – эффективные плотности состояний в зоне проводимости и валентной зоне полупроводника соответственно. Все указанные величины приводятся в справочных данных для полупроводникового материала. Температурная зависимость для D E_g выражено очень слабо и ею при решении задач практически можно пренебречь; для N_c,v температурная зависимость может быть описана соотношением

(1.7)

где T ₀ – температура, для которой в справочных данных указано значение эффективной плотности состояний (обычно T ₀=300 K).

Поскольку величины D_p,n и L_p,n слабо зависят от температуры, то из 1.2, 1.5 – 1.7 следует, что температурная зависимость теплового тока I ₀ определяется в основном соотношением (1.6) или, в первом приближении, экспоненциальным множителем в этом соотношении. Очевидно также, что ток I c увеличением температуры возрастает, так как уменьшение экспоненциальной компоненты в 1.1 будет компенсироваться гораздо большим возрастанием экспоненты в 1.6. Это происходит вследствие того, что множитель при 1/ T в показателе для первой экспоненты по абсолютной величине всегда будет меньше соответствующего множителя в показателе для второй экспоненты, поскольку принципиальным условием существования p-n перехода является сохранение неравенства

Реальный p-n переход, используемый при изготовлении диодов, всегда является несимметричным, т.е. концентрация примесей в одной из областей всегда намного выше, чем в другой. Область с наиболее высокой концентрацией примеси называют эмиттером, область с наименьшей концентрацией примеси – базой. С учетом того, что N_A >> N_D или N_D >> N_A, в соответствии с (1.5) аналогичные соотношения существуют и между концентрациями неосновных носителей заряда (p_{n 0}>> n_{p 0} или n_{p 0}>> p_{n 0}). При расчете теплового тока по (1.2) такие неравенства позволяют пренебречь одним из слагаемых, поскольку различие между величинами D_p и D_n, а также между L_p и L_n невелико.

Ввиду того, что сопротивление базы R_б существенно превышает сопротивление эмиттера и может составлять значительную величину, в уравнение (1.1) должны быть внесены коррективы:

(1.8)

Очевидно, что при заданном напряжении ток в (1.8) может быть определен только при использовании численных методов, однако для упрощения расчетов целесообразно находить напряжение при заданном токе:

(1.9)

причем первое слагаемое соответствует напряжению на p-n переходе, а второе – падению напряжения на сопротивлении базы.

Сопротивление R_б нетрудно рассчитать, если известны его размеры, а также удельная проводимость материала s, определяемая концентрацией основных носителей заряда (приблизительно равной концентрации легирующей примеси), и их подвижностью:

(1.10)

Для простоты в предлагаемых ниже задачах следует считать, что p-n переход плоский, а протяженность базы, определяющая сопротивление, равна ее толщине.

Другим фактором, приводящим к отличию ВАХ реального диода от (1.1), являются процессы генерации – рекомбинации в области пространственного заряда p-n перехода. Наиболее существенное влияние эти процессы оказывают на ВАХ диодов, изготовленных на основе кремния. При обратном смещении диода ток генерации нелинейно возрастает по мере увеличения абсолютного значения напряжения и может значительно превысить тепловой ток. При небольших прямых смещениях наличие тока рекомбинации может привести к заметному превышению тока над рассчитанным значением согласно (1.1) или (1.8).

Реальная ВАХ диода может отличаться от (1.1) или (1.8) из-за существования токов утечки с приблизительно линейным изменением в зависимости от напряжения, влияние которых вследствие малых значений этих токов проявляется лишь при обратных смещениях.

При больших прямых токах ход ВАХ по сравнению с (1.1) или (1.8) искажается вследствие эффектов высокого уровня инжекции – модуляции сопротивления базы, снижения коэффициента инжекции, изменения L, t и др.

Перечисленными факторами (процессами генерации – рекомбинации, эффектами высокого уровня инжекции и, если это не оговаривается специально, токами утечки) в процессе решения предлагаемых задач следует пренебречь.

К числу важнейших параметров диода, используемых при схемотехнических расчетах, относятся дифференциальные или малосигнальные параметры, определяющие связь малых изменений электрических величин в цепи диода. Одним из таких параметров является дифференциальное сопротивление r _диф или обратная ему величина – дифференциальная проводимость (крутизна):

Поскольку диод является нелинейным элементом, определение r_диф имеет смысл только в том случае, если оно соответствует известному постоянному напряжению или постоянному току, определяющим режим работы диода (т.е. рабочей точке).

К числу дифференциальных параметров относится емкость p-n перехода

(1.12)

где Q – заряд, который может быть связанным или накопленным.

Связанный заряд обусловлен ионизированными атомами примеси, расположенными по обе стороны от металлургической границы перехода, причем . Изменение приложенного к переходу напряжения влечет за собой изменение ширины перехода l_p-n, что приводит к изменению Q _связ, в результате чего возникает емкость, называемая барьерной:

(1.13)

(1.14)

(1.15)

где e₀ – энергетическая постоянная; e - относительная диэлектрическая постоянная полупроводникового материала; j_крп - контактная разность потенциалов; N _б – концентрация примесей в базе. Соотношения (1.13) и (1.15) соответствуют несимметричному p-n переходу, для которого N_A >> N_D = N _б или N_D >> N_A = N _б.

Помимо связанного, при изменении приложенного напряжения может изменяться накопленный заряд Q _нак. Существование последнего для несимметричного перехода обусловлено непрерывной инжекцией подвижных носителей из эмиттера в базу, что приводит к возникновению неравновесного заряда инжектированных носителей, вместе с которым в базе сосредотачивается дополнительный заряд основных носителей, что в целом обеспечивает ее электронейтральность: . Увеличение прямого напряжения приводит к возрастанию числа инжектированных носителей, т.е. Q _нак и появлению емкости, называемой диффузионной. Для несимметричного перехода

(1.16)

Обе компоненты емкости существуют независимо друг от друга и поэтому при расчетах суммарной емкости могут складываться. Очевидно, что при обратных смещениях перехода диффузионная емкость практически отсутствует.

Дата добавления: 2015-05-06