Указания. Задание на моделирование характеристик транзисторов

Условия

Задание на моделирование характеристик транзисторов

2.5.1. Характеристики биполярных транзисторов.

1. Получить и построить на отдельных графиках семейство входных характеристик транзистора заданного типа при включении с общим эмиттером U _бэ= U _бэ(I _б)| U _кэ=const.

I _б=0 – 150 мкА; U _кэ=0, 5, 10 В.

Для моделирования рекомендуется использовать схему на рис. 2.6. Направление источника тока во входной цепи и полярность источника напряжения в выходной устанавливаются в соответствии со структурой транзистора (n-p-n или p-n-p). В выходную цепь включается источник тока, управляемый напряжением (преобразователь тока в напряжение). Использование схемы позволяет получить не только входные, но и другие семейства статических характеристик.

Значения источников тока и напряжения не имеют существенного значения при использовании в дальнейшем режима DC Sweep, однако при отсутствии его эти значения не должны выходить за пределы, указанные в условиях на моделирование.

После составления схемы и определения значений и типов всех ее элементов обозначаются узлы, и после перехода в направлении Analysis – DC Swеep (для EWB 5.12) в открывающемся окне производятся необходимые установки: источник 1 - источник тока базы, начальное и конечное значения тока (при заданных условиях соответственно 0 и 150 мкА), шаг изменения тока при свипировании (слишком малый шаг увеличивает время получения характеристики, а слишком большой приводит к снижению числа точек на характеристике и представлению ее в виде ограниченного числа отрезков прямых линий). Далее отмечается использование источника 2, в качестве которого выступает источник напряжения U _кэ. В соответствии с заданными условиями отмечаются начальное и конечное значения U _кэ, а также шаг изменения (0, 10, 5 В). В разделе Output Node устанавливается номер узла, напряжение в котором является выходной величиной для снимаемых характеристик (U _бэ, узел 4). После завершения установок производится переход к моделированию (кнопка Simulate). Изменения направления вертикальной шкалы графика, получающегося после завершения моделирования, можно добиться путем изменения точки заземления (например, переносом ее на базу транзистора) и повторного моделирования.

Если при моделировании используется EWB 5.0a или 5.0с, то получение семейства характеристик на одном графике невозможно, однако каждую характеристику в отдельности можно получить при переходе в режим Parameter Sweep (см. 1.4). В этом случае роль изменяющегося параметра играет аргумент в функциональной зависимости, обозначающей характеристику (для входной характеристики – I _б). Значение величины, которую необходимо поддерживать постоянной при получении данной характеристики (например, U _кэ для входной характеристики), следует установить непосредственно на схеме.

2. Получить и построить на одном графике семейство выходных характеристик транзистора заданного типа при включении с общим эмиттером I _к= I _к(U _кэ)| I _б=const.

Дата добавления: 2015-05-06