Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Туннельные диоды обладают чрезвычайно малой инерционностью, так как




Использование туннельного диода в качестве генератора объясняется

Импульсные диоды обладают специфическими параметрами

1) время пролета носителей через область базы;

2) время установления прямого напряжения ;

3) время жизни неосновных носителей.

 

21. Туннельный диод – это диод

1) обладающий высокой концентрацией примесей (1018÷1019 );

2) обладающий малой толщиной запирающего слоя;

3) имеющий малую площадь перехода;

4) имеющий малую барьерную емкость.

 

22. Что определяет отношение ?

1) усилительные свойства туннельного диода;

2) переключательные свойства туннельного диода;

3) генераторные свойства туннельного диода.

 

1) наличием емкости p-n перехода;

2) наличием отрицательного дифференциального сопротивления на участке характеристики;

3) наличием малого постоянного сопротивления перехода.

 

1) имеют малую диффузионную емкость;

2) перенос тока осуществляется основными носителями;

3) имеют малую толщину p-n перехода;

4) имеют малую площадь перехода.

25. Стабилитрон – это

1) полупроводниковый диод, работающий в режиме электрического пробоя;

2) полупроводниковый диод, обладающий высокой концентрацией примесей;

3) полупроводниковый диод, имеющий малое значение барьерной емкости;

4) полупроводниковый диод, обладающий малым дифференциальным сопротивлением.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 676; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.007 сек.