Важным свойством магнитных пленок является

Для создания магнитных элементов в микроэлектронике применяются

Время переноса зарядового пакета в ПЗС зависит от

Время хранения зарядового пакета в одном элементе ПЗС зависит от

Управляющая способность ПЗС зависит от

Амплитуда управляющих напряжений на затворах ПЗС должна быть

Основными параметрами ПЗС являются

Устройства ввода и вывода разрядовых пакетов в ПЗС служат для

Для нормальной работы ПЗС расстояние между соседними затворами должно быть

Для создания зарядовой связи в ПЗС необходимы

Принцип действия ПЗС основан на

ПЗС называется трехкратным так как он имеет

Основными элементами ПЗС являются

Основными элементами ПЗС являются однотипные

1) МДП-резисторы;

2) МДП-конденсаторы;

3) МДП-транзисторы;

4) МДП-транзисторы и резисторы.

1) подложка р -типа из высокоомного кремния;

2) полоска затворов из алюминия;

3) диэлектрик из диоксида кремния;

4) подложка, диэлектрик, полоска затворов, пленочные проводники.

Раздел 10

1) одну управляемую шину и два зарядовых пакета;

2) две управляющих шины и один зарядовый пакет;

3) три управляющих шины;

4) три зарядовых пакета.

1) накоплении зарядовых пакетов;

2) хранении зарядовых пакетов;

3) накоплении, хранении и перемещении зарядовых пакетов;

4) на перемещении зарядовых пакетов.

1) сигнальные проводники;

2) не нужны сигнальные проводники;

3) должно быть достаточно малое расстояние между затворами;

4) управляющие шины.

1) достаточно малым;

2) равным толщине подложки;

3) большим;

4) зависимым от уровня зарядового пакета.

1) преобразования входного сигнала в зарядовые пакеты;

2) преобразования зарядовых пакетов в сигнал;

3) преобразования выходного сигнала в зарядовые пакеты на входе и обратного преобразования на выходе;

4) согласования ПЗС по входу и выходу.

1) амплитуда управляющих напряжений;

2) величина зарядового пакета;

3) тактовая частота;

4) амплитуда управляющих напряжений, величина зарядового пакета, тактовая частота и рассеиваемая мощность.

1) достаточно большой;

2) достаточно малой;

3) равной величине зарядового пакета;

4) меньше величины зарядового пакета.

1) величины зарядового пакета;

2) емкости диэлектрика;

3) количества затворов;

4) систем согласования ПЗС по входу и выходу.

1) максимальной тактовой частоты;

2) минимальной тактовой частоты;

3) величины зарядового пакета;

4) амплитуды управляющего напряжения.

1) максимальной тактовой частоты;

2) минимальной тактовой частоты;

3) коэффициента потерь;

4) степени согласования ПЗС по входу и выходу.

1) ферритовые кольца;

2) ферритовые и аксиферовые сердечники;

3) тонкие магнитные пленки;

4) сердечники из легированной стали.

1) намагничивание;

2) размагничивание;

3) перемагничивание;

4) намагничивание, размагничивание и перемагничивание.

194. Магнитные домены – это

1) крупные области магнитной пленки с упорядоченным намагничиванием;

2) микроскопические области магнитной пленки с самопроизвольным намагничиванием;

3) области магнитостатических ловушек;

4) области, соответствующие элементу памяти.

195. Цилиндрические магнитные домены (ЦМД) образуются за счет воздействия на магнитную пленку внешнего

1) магнитного поля;

2) электрического поля;

3) электромагнитного поля;

4) электростатического поля.

Дата добавления: 2015-05-06