Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Полупроводниковых интегральных микросхем




ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОИЗВОДСТВА

Автоколебательный мультивибратор на ОУ

Принципиальная схема мультивибратора и принцип его работы приведены на рисунке 2.29.

Принципиальная схема Временные диаграммы

Рисунок 2.29 – Мультивибратор на ОУ

 

Пусть в начальный момент времени t0 на выходе ОУ произошел скачок напряжения из отрицательного в положительнее. При этом конденсатор С будет заряжаться стремясь к максимальному напряжению на выходе ОУ. Как только напряжение на нем достигнет пороговой величины U+ПОР, которое определяется как

U+ПОР=UВХ2=UВЫХ∙R1/(R1+R2),

происходит переключение мультивибратора в исходное состояние (отрицательное напряжение на выходе). Длительность импульса Т определится как

Т=RC∙ln(1+2∙R2/R1).

Таким образом, схема генерирует импульсы со скважностью, равной двум.

Для изменения длительности одного из полупериодов (например, отрицательного) можно зашунтировать резистор R цепью, состоящей из последовательно соединенных резистора R` и диода VD (показанных на схеме пунктиром). При этом время заряда конденсатора С отрицательным напряжением через параллельно включенные резисторы R и R` будет меньше, чем положительным напряжением через один резистор R.

 


 

Технология производства полупроводниковых интегральных микросхем (ППИМС) развилась на основе планарной технологии транзисторов. Поэтому, чтобы разбираться в технологических циклах изготовления ИМС, необходимо ознакомиться с типовыми технологическими процессами, из которых эти циклы складываются.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 378; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.