Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Работа транзистора в усилительном каскаде




Рассмотрим работу активного элемента в усилительном каскаде на примере биполярного транзистора. При этом под усилительным каскадом будем понимать минимальную часть усилителя, содержащую один (реже – два) активный элемент и сохраняющую функции, присущи усилителю.

Чтобы обеспечить усиление сигнала, транзистор усилительного каскада должен работать в активном режиме. Ранее было показано, что активный режим работы транзистора обеспечивается прямым смещением эмиттерного и обратным смещением коллекторного переходов. На рисунке 2.18 показана упрощенная схема включения биполярного транзистора в усилительном каскаде. Источники ЭДС EБЭ и EКЭ подключены относительно выводов транзистора таким образом, чтобы обеспечить ему активный режим работы.


 

Рисунок 2.18 – Активный режим работы транзистора

в схеме с общим эмиттером

 

Проанализируем работу транзистора в статическом и динамическом режимах.

Статическим режимом работы транзистора называется режим, при котором в транзисторе протекают постоянные токи, а между его выводами действуют постоянные напряжения.

В статическом режиме работы транзистора на его входе отсутствует переменная составляющая сигнала, подлежащего усилению. Статический режим обеспечивается подачей на эмиттерный и коллекторный переходы соответствующих напряжений UБЭ и UКБ (UКЭ).

Режим работы транзистора, при котором токи в его цепях изменяются в соответствии с изменениями сигнала переменного тока, поданного на его управляющие электроды, называется динамическим.

Низкочастотные свойства биполярного транзистора определяются семейством его входных и выходных статических характеристик (п. 1.4.3). Как показано ранее, постоянные составляющие токов всех электродов биполярного транзистора связаны следующими соотношениями

 

 

а это значит, что управлять, например, током коллектора можно посредством изменения тока базы. В свою очередь токи являются функциями напряжений, приложенных к эмиттерному и коллекторному переходам. На рисунке 2.19 приведены входные и выходные ВАХ биполярного транзистора. Из рисунка видно, что ток базы транзистора зависит как от напряжения, приложенного к эмиттерному переходу UБЭ, так и от напряжения, приложенного к коллекторному переходу UКЭ. Так, при неизменном напряжении UБЭ 1 повышение напряжения на коллекторном переходе от UКЭ 1 до UКЭ 2 повлечет уменьшение тока базы от значения IБ 1 до значения IБ 2. Точкам О 1 и О 3 на входных ВАХ соответствуют одноименные точки на семействе выходных ВАХ. Из рисунка видно, что уменьшение тока базы влечет существенное уменьшение тока коллектора (от значения IК 1 до значения IК 3). Изменяя напряжение UБЭ, можно поддерживать ток базы неизменным в случае изменения напряжения UКЭ (точки О 1 и О 2), но при этом ток коллектора, хоть и не существенно, будет изменяться (соответствующие точки О 1 и О 2 на семействе выходных ВАХ).

 

 


Рисунок 2.19 – Входные и выходные ВАХ транзистора,

включенного в схеме с ОЭ

 

Таким образом, можно сделать вывод, что выходной ток транзистора IК более чувствителен к изменениям тока базы IБ, чем к изменениям напряжения на коллекторном переходе UКЭ.

Динамической характеристикой усилительного каскада называют зависимость между мгновенными значениями токов и напряжений в его цепях при наличии нагрузки в выходной цепи. Таким образом, понятие «динамическая характеристика» используют при анализе реакции усилительного каскада на входное воздействие в виде переменного сигнала.

Для построения выходных динамических характеристик используют выходные ВАХ активного элемента, применяемого в каскаде. На рисунке 2.20 приведено семейство выходных ВАХ биполярного транзистора, соответствующих его включению по схеме с ОЭ, когда в качестве Iвых используется ток коллектора Iк, а в качестве Uвыхразность потенциалов Uкэ между коллектором и эмиттером транзистора. Ток базы IБ на приведенных ВАХ выступает в роли параметра, управляющего выходным током. Линиями 1 и 2 показаны границы активной (управляемой) области характеристик.

 


Рисунок 2.20 – Основные области на семействе выходных ВАХ транзистора

 

При работе биполярного транзистора в усилительном каскаде, в нем под действием изменяющегося тока базы IБ изменяется величина выходного тока Iк, а это, в свою очередь, может приводить к изменению выходного напряжения Uкэ.

Введем понятия рабочей точки (РТ) и исходной рабочей точки (ИРТ). Точка плоскости выходных (или входных) ВАХ активного элемента, связывающая текущие значения токов и напряжений в каскаде, называется рабочей точкой. Рабочая точка, соответствующая токам и напряжениям при отсутствии входного (усиливаемого) сигнала, называется исходной рабочей точкой.

В дальнейшем токи и напряжения, соответствующие ИРТ, на ВАХ биполярного транзистора будем обозначать IК 0, UКЭ 0, IБ 0, UБЭ 0.

При расчете усилительного каскада необходимо обеспечить такие условия функционирования транзистора, чтобы при любых значениях управляющего параметра (тока базы) рабочая точка находилась в пределах активной (усилительной) области его выходных ВАХ. Только в этом случае может быть обеспечено неискаженное воспроизведение усиливаемого сигнала на выходе усилительного каскада. На рисунке 2.20 активная область ограничена снизу областью отсечки (ниже линии 2), слева – областью насыщения (левее линии 1), сверху – линией максимально допустимой мощности, рассеиваемой на транзисторе (точнее – линией тока коллектора IК = Ptмакс: UКЭ).

Напряжения, токи, а также цепи, обеспечивающие положение ИРТ в пределах активной области, называются соответственно напряжениями, токами и цепями смещения. Напряжения и токи смещения часто также называют начальными.

Начальные напряжения и токи усилительного каскада должны выбираться таким образом, чтобы при изменении входного (управляющего) сигнала в пределах всего диапазона возможных его значений выходные токи и напряжения транзистора не выходили за пределы активной области ВАХ. Этого добиваются правильным подбором цепей смещения.

В процессе воздействия управляющих сигналов на вход транзистора усилительного каскада значения токов и напряжений в каскаде изменяются, а рабочая точка (РТ) занимает различные положения на выходных ВАХ. При этом, если входной сигнал изменяется плавно (не скачком), то РТ перемещается вдоль некоторой непрерывной линии. Линия на плоскости выходных ВАХ, по которой движется РТ в процессе изменения входного сигнала, называется нагрузочной линией или нагрузочной характеристикой.

Нагрузочные линии, как правило, различны для постоянной и переменной составляющих тока, протекающих в выходной цепи активного элемента.

Нагрузочную линию каскада для постоянного тока и напряжения, определяющуюся сопротивлением выходной цепи постоянному току, называют нагрузочной линией постоянного тока. Нагрузочную линию постоянного тока используют при расчете каскадов предварительного усиления для определения положения исходной рабочей точки.

Рассмотрим пример построения нагрузочной характеристики на выходных ВАХ биполярного транзистора, включенного в схему усилительного каскада (рисунок 2.21).

 

 


Рисунок 2.21

 

Исходными данными для построения нагрузочной линии постоянного тока служат напряжение питания выходной цепи EК и сопротивление выходной цепи постоянному току (сопротивление резистора Rк в схеме, приведенной на рисунке 2.21). При этом ток в выходной цепи IК и напряжение между выходными электродами транзистора Uкэ связаны соотношением

 

. (2.47)

 

Записанное выражение является уравнением нагрузочной линии постоянного тока. По сути, если нагрузка усилителя является линейной, оно представляет собой уравнение прямой. Поэтому для построения нагрузочной линии достаточно получить координаты двух крайних точек. Первая точка с координатами (ЕК, 0) в системе координат (UКЭ, IК), может быть получена, если в (2.46) приравнять нулю ток коллектора IК (точка А на рисунке 2.22). Второй будет точка В (с координатами (0, IКмакс)) на вертикальной оси, для получения которой приравнивают нулю напряжение UКЭ. При этом ток в цепи коллектора будет максимальным, равным

. (2.48)

Соединив точки А и В, получим нагрузочную линию постоянного тока (а так как она прямолинейна, ее нередко называют нагрузочной прямой постоянного тока).

 


Рисунок 2.22 – Нагрузочные линии постоянного и переменного тока

 

Изменение сопротивления нагрузки каскада приводит к изменению угла наклона нагрузочной прямой. Вчастности, на переменном токе параллельно резистору Rк включается резистор Rн, что приводит к уменьшению общей нагрузки каскада и, соответственно, к увеличению максимального тока коллектора транзистора (прямая CD на рисунке 2.22). При изменении напряжения питания каскада EК и поддержании неизменным сопротивления нагрузки нагрузочная прямая перемещается вправо или влево вдоль горизонтальной оси без изменения угла наклона.

Согласно записанному ранее определению, РТ при различных значениях входного (базового) тока транзистора может занимать разное положение на нагрузочной прямой. В рассматриваемом примере ИРТ (точка О на нагрузочной прямой постоянного тока, рисунок 2.22) выбрана на середине нагрузочной характеристики. Ее положение характеризуется током IК 0 и напряжением UКЭ 0 покоя выходной цепи, которые соответствуют некоторым току IБ 0 и напряжению UБЭ 0 покоя входной цепи транзистора (рисунок 2.23).



Рисунок 2.23 – Положение ИРТ на входной ВАХ транзистора




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 570; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.025 сек.