Статические ВАХ бип. тр-ра вкл. по схеме с ОБ

Рассм. ход статических вх. хар-ик транзистора, вкл. по схеме с ОЭ I_б=F (U_бэ)| U_кэ=const.

В этом случае они имеют вид, показанный на рис. 1.

рис. 1

Рассм. ход хар-ки, снятой при U_кэ=0. Если на коллекторную p -область подан нулевой, а на базовую n -область – отрицательный потенциал (т.е. | U_кэ | < | U_бэ |), то коллекторный переход находится под прямым U, и через него протекает диффузионная составляющая I (ток основных носителей заряда), которая замыкается через базу.

Через эмиттерный переход, на кот. от батареи подается прямое U, также протекает диффузионная составляющая I, причем, т.к. подача U_кэ=0 для схемы с ОЭ означает короткое замыкание между колл. и эмитт., I эмиттера тоже замыкается через базу. При изменении U_бэ каждый из этих токов изменяется в соответствии с ходом прямой ветви ВАХ p-n -перехода. В базовом выводе эмиттерный и коллекторные токи протекают в одном направлении, т.е. I_б = I_э + I_к и вх. хар-ка, снятая при U_кэ = 0, представляет собой прямую ветвь ВАХ двух параллельно включенных p-n -переходов.

Если вх. хар-ка снимается при каком-то значении обратного коллекторного U | U_кэ | > | U_бэ |, то на коллекторный переход подается обратное U. В этом случае I коллектора меняет свое направление, I эмиттера замыкается через цепь коллектора, и I базы является суммой двух противоположно направленных составляющих, рекомбинационной и тока I’_{к 0}.

При U_бэ=0 рекомбинационная составляющая тока базы I_э (I-α())=0 и в цепи базы протекает только ток I’_{к 0}. После того, как на эмиттерный переход подано прямое напряжение U_бэ>0, появляются эмиттерный ток и рекомбинационная составляющая тока базы по величине меньшая, чем ток I’_{к 0}. В цепи базы протекает разностный ток. При увеличении U_бэ рекомбинационная составляющая растет, разностный ток I’_{к 0} - Iэ (I-α()) уменьшается, и при I_э (I-α()) =I’_{к 0} ток базы равен нулю. При дальнейшем увеличении U_бэ ток базы меняет свое направление, и в цепи базы протекает разностный ток уменьшается и при I_э (I-α()) -I’_{к 0}.

При увеличении обратного U коллекторного перехода вх. хар-ки сдвигаются от начала координат вправо и вниз.

Сдвиг хар-стик вниз объясняется тем, что значения I’_{к 0} растут при увеличении обратного напряжения коллекторного перехода т.к. расширение перехода в сторону базы уменьшает рекомбинацию, в результате чего, увеличивается коэффициент передачи эмиттерного тока α(), и значения I’_{к 0} растут.

Сдвиг хар-стик вправо объясняется тем, что уменьшение рекомбинационной составляющей тока базы и равенство I_э (I-α()) =I’_{к 0} достигается при больших значениях U_бэ.

Дата добавления: 2015-05-06